FSCQ1565的规格书第39页,或仙童网站上的AB-63.pdf(http://www.fairchildsemi.com/an/AB/AB-63.pdf)
上有讲到应用FSCQ做198W的通用输入彩电电源.
电路如下图:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/6371244028862.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
其应用电路没有加吸收回路,按其变压器参数:此时初级Ip约在10A左右,其漏感要求小于10uH.
照此参数,Vds轻易超过650V.
在我的应用中也是如此,虽然我加了吸收,但效果不明显.我的反射电压120V,功率与上面例子相当(通用输入,只有两组输出),漏感为5uH.在高压输入,300W动态输出时能测到Vds峰峰值760V.
最大的问题是:IC工作正常,用RP和RT都试过,Vds在高达760V时都能正常长时间工作.
请问,这是何种原因呢?
急盼高人解惑!!!
关于FSCQ1565RT/RP 请原厂的FAE看下...
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@beyonddj
按仙童的参考设计,都没有加吸收回路,他的Vds就真能做到IC标称值以下?还是有别的说法?
FSCQ1565RT也好FSCQ1565RP也好,吸收回路不是传统的RCD模式,而是LC模式,其中L是漏感,C就是谐振电容,即C107 1nF/1KV;这种共振吸收回路对MOS管D、S两端的尖峰电压抑制能力要比RCD强的多.至于你的反峰电压之所以这么高,原因有两个,第一,你的输出功率较高导致较大的di/dt;第二,你的漏感还有些偏高;解决方法请将原、副边的圈数再适量增加一点,气隙加大以保证原边电感量不变,但是漏感可得到有效降低不信你试试.
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@kingwell
FSCQ1565RT也好FSCQ1565RP也好,吸收回路不是传统的RCD模式,而是LC模式,其中L是漏感,C就是谐振电容,即C1071nF/1KV;这种共振吸收回路对MOS管D、S两端的尖峰电压抑制能力要比RCD强的多.至于你的反峰电压之所以这么高,原因有两个,第一,你的输出功率较高导致较大的di/dt;第二,你的漏感还有些偏高;解决方法请将原、副边的圈数再适量增加一点,气隙加大以保证原边电感量不变,但是漏感可得到有效降低不信你试试.
还有谐振电容也不要拘泥于102 1KV,在输出功率较大时,此电容容值建议也要加大一点,不要光想到开关损耗的问题.
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@beyonddj
几天没来看了,补充一下之前提问时的情况:高低压输出功率,各点波形(除关断尖峰外),都还不错.调整谐振电容容量(增大)后,尖峰降低,但同等功率情况下IC发热较快,基本上,电容越大,尖峰越低,IC越热.(最大测试到472)变压器的漏感含浸后约3-4uH不加吸收也能高低压满载工作.尖峰大大超出IC限制值....这个比较疑惑
谐振电容加到472是很大了,你试试152~182/1KV,注意谐振谷点开通一定要保证,如果不在谷点开通,说明你的同步脚电平不在合理范围之内,或者你的外围检测滤波时间常数不对;另外给出你变压器的设计参数,以及输入电压情况、输出电压、电流要求,我帮你看看,你的变压器设计是否合理.
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