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关于FSCQ1565RT/RP 请原厂的FAE看下...

FSCQ1565的规格书第39页,或仙童网站上的AB-63.pdf(http://www.fairchildsemi.com/an/AB/AB-63.pdf)
上有讲到应用FSCQ做198W的通用输入彩电电源.
电路如下图:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/6371244028862.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

其应用电路没有加吸收回路,按其变压器参数:此时初级Ip约在10A左右,其漏感要求小于10uH.

照此参数,Vds轻易超过650V.

在我的应用中也是如此,虽然我加了吸收,但效果不明显.我的反射电压120V,功率与上面例子相当(通用输入,只有两组输出),漏感为5uH.在高压输入,300W动态输出时能测到Vds峰峰值760V.

最大的问题是:IC工作正常,用RP和RT都试过,Vds在高达760V时都能正常长时间工作.
请问,这是何种原因呢?
急盼高人解惑!!!
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beyonddj
LV.7
2
2009-06-04 08:35
刚用耐压测试仪测了下...

测了十来颗,

DS耐压均大于730V,但又没有到800V的
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beyonddj
LV.7
3
2009-06-04 10:26
按仙童的参考设计,都没有加吸收回路,他的Vds就真能做到IC标称值以下?

还是有别的说法?
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beyonddj
LV.7
4
2009-06-04 15:24
@beyonddj
刚用耐压测试仪测了下...测了十来颗,DS耐压均大于730V,但又没有到800V的
下午重新测试了下,很有意思的结果.

测了一管,有一颗770多V,其它的都是790多V,个别的800零几V

同时测了IR的IRFB13N50A VDS都在550V-570V之间.

不知道这个测试可靠性怎样
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fsc_sg
LV.6
5
2009-06-04 17:24
@beyonddj
下午重新测试了下,很有意思的结果.测了一管,有一颗770多V,其它的都是790多V,个别的800零几V同时测了IR的IRFB13N50AVDS都在550V-570V之间.不知道这个测试可靠性怎样
这很正常啊!大于650V的都是合格品,本来半导体的等级就是测试后筛选出来的.IR的产品只不过将大于600V的标称为N60的产品了.
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beyonddj
LV.7
6
2009-06-04 19:42
@fsc_sg
这很正常啊!大于650V的都是合格品,本来半导体的等级就是测试后筛选出来的.IR的产品只不过将大于600V的标称为N60的产品了.
老兄,主要问题是仙童的参考设计,是怎么做到Vds在650V以内呢???

无吸收回路,多组输出,反射电压约124V,漏感低于10uH即可...

除非FSCQ全系列耐压都在750V以上或该设计另有玄机?
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beyonddj
LV.7
7
2009-06-04 19:47
期待仙童原厂的朋友出来解惑.....

虽然此设计通过调整吸收回路可以将高压端(270V)超点载(将近300W)Vds压到650V以内,但是损耗不小.

如果官方证实其参考设计是可行的,那我也不用整这么麻烦了...

期待回复...
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2009-06-11 16:46
@beyonddj
期待仙童原厂的朋友出来解惑.....虽然此设计通过调整吸收回路可以将高压端(270V)超点载(将近300W)Vds压到650V以内,但是损耗不小.如果官方证实其参考设计是可行的,那我也不用整这么麻烦了...期待回复...
还在调试当中,效率暂时还低了点...总体来说还不错的
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kingwell
LV.2
9
2009-06-17 16:46
@beyonddj
按仙童的参考设计,都没有加吸收回路,他的Vds就真能做到IC标称值以下?还是有别的说法?
FSCQ1565RT也好FSCQ1565RP也好,吸收回路不是传统的RCD模式,而是LC模式,其中L是漏感,C就是谐振电容,即C107 1nF/1KV;这种共振吸收回路对MOS管D、S两端的尖峰电压抑制能力要比RCD强的多.至于你的反峰电压之所以这么高,原因有两个,第一,你的输出功率较高导致较大的di/dt;第二,你的漏感还有些偏高;解决方法请将原、副边的圈数再适量增加一点,气隙加大以保证原边电感量不变,但是漏感可得到有效降低不信你试试.
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kingwell
LV.2
10
2009-06-17 16:49
@kingwell
FSCQ1565RT也好FSCQ1565RP也好,吸收回路不是传统的RCD模式,而是LC模式,其中L是漏感,C就是谐振电容,即C1071nF/1KV;这种共振吸收回路对MOS管D、S两端的尖峰电压抑制能力要比RCD强的多.至于你的反峰电压之所以这么高,原因有两个,第一,你的输出功率较高导致较大的di/dt;第二,你的漏感还有些偏高;解决方法请将原、副边的圈数再适量增加一点,气隙加大以保证原边电感量不变,但是漏感可得到有效降低不信你试试.
还有谐振电容也不要拘泥于102 1KV,在输出功率较大时,此电容容值建议也要加大一点,不要光想到开关损耗的问题.
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mtpjiawang
LV.2
11
2009-06-18 15:31
@kingwell
还有谐振电容也不要拘泥于1021KV,在输出功率较大时,此电容容值建议也要加大一点,不要光想到开关损耗的问题.
只要把那个Sync那个脚的波形调好跟资料的那样,就会成功一半了
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beyonddj
LV.7
12
2009-06-20 22:00
@mtpjiawang
只要把那个Sync那个脚的波形调好跟资料的那样,就会成功一半了
几天没来看了,补充一下之前提问时的情况:

高低压输出功率,各点波形(除关断尖峰外),都还不错.

调整谐振电容容量(增大)后,尖峰降低,但同等功率情况下IC发热较快,基本上,电容越大,尖峰越低,IC越热.(最大测试到472)

变压器的漏感含浸后约3-4uH

不加吸收也能高低压满载工作.尖峰大大超出IC限制值.... 这个比较疑惑
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kingwell
LV.2
13
2009-06-22 11:50
@beyonddj
几天没来看了,补充一下之前提问时的情况:高低压输出功率,各点波形(除关断尖峰外),都还不错.调整谐振电容容量(增大)后,尖峰降低,但同等功率情况下IC发热较快,基本上,电容越大,尖峰越低,IC越热.(最大测试到472)变压器的漏感含浸后约3-4uH不加吸收也能高低压满载工作.尖峰大大超出IC限制值....这个比较疑惑
谐振电容加到472是很大了,你试试152~182/1KV,注意谐振谷点开通一定要保证,如果不在谷点开通,说明你的同步脚电平不在合理范围之内,或者你的外围检测滤波时间常数不对;另外给出你变压器的设计参数,以及输入电压情况、输出电压、电流要求,我帮你看看,你的变压器设计是否合理.
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mtpjiawang
LV.2
14
2009-06-24 10:51
@kingwell
谐振电容加到472是很大了,你试试152~182/1KV,注意谐振谷点开通一定要保证,如果不在谷点开通,说明你的同步脚电平不在合理范围之内,或者你的外围检测滤波时间常数不对;另外给出你变压器的设计参数,以及输入电压情况、输出电压、电流要求,我帮你看看,你的变压器设计是否合理.
我那个变压器是按照资料给的做的.不过用那个软件来设计就不用的,我只是把那个多组输出的,改成一组输出的,用软件就算不出来了.老是提示错误的
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beyonddj
LV.7
15
2009-06-24 17:24
@mtpjiawang
我那个变压器是按照资料给的做的.不过用那个软件来设计就不用的,我只是把那个多组输出的,改成一组输出的,用软件就算不出来了.老是提示错误的
主要是我的输出功率比较大,峰值功率达到280W了...
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mtpjiawang
LV.2
16
2009-06-25 10:59
@beyonddj
主要是我的输出功率比较大,峰值功率达到280W了...
请问你调试得怎么样呢?有QQ吗?我的461950365
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