场效应管和快恢复二极管迅速升温求助

能传图上来看吗?

变压器设计有问题吧,加大磁隙试一下.

文件如图所示
1221011244706124.doc

我已经上传的电路图,没有用到变压器

电感用过3mH,10mH,还是没有解决问题.

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MOS管:(仙童 英飞凌原装正品)
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我怎么看不到上面有图呢,只是空白页.

看你电路结构应该是BUCK降压型,频率应该在80K左右,我不清楚你驱动功率是多大,但是,不过输入电流峰值应该不会超过1A,虽然4N60的RDS只有2.5Ω,但是Qg很高,超过15nC,在超过60K的频率下,MOSFET损耗很厉害,所以发热严重,1N60虽然RDS有11Ω,但是Qg很小,只有5nC,开关损耗会小很多,建议你试试,2N60也可以,Qg有9nC,Rds 3.5Ω.如果不想换MOSFET那就把频率降到45K左右吧.

很多人使用MOSFET都只关心Rds,其实对于高频,Qg是个很重要的参数,Qg越大高频损耗越大
快恢复管发热也是因为MOSFET损耗太大,开关波形畸变的原因,先把MOSFET换了再说.160的恢复时间足够了

谢谢大师的解答.现在还有一个问题,我把频率降到58K,同时MOS管也换成了2N60,结果负载只有微弱地向征性的一点光,请问又是什么问题呢?我的上标输出是400毫安30V.

我看了图纸,你那个LED是从电源直接下来的,MOS管的功耗与LED不发生关系,还不如把LED接到MOS管的源极.

楼上的意思是不用光耦吗?

这种IC本身就有恒流,不必用光耦了,另外LED要从电感串接过来,再到MOS管的漏极,这样电路就形成了,续流二极管要选正向电阻在440以下的,内阻高的时间恢复也长,不好用的.

不用光耦的电路之前也试过,同样出现了温度高的问题,不知论坛里面有没有成功的案例,MOS管的温度会在多少?

请问RDS和QG,哪个对热量及损耗的影响更大呢?

你的电路是接错了,LED没有经过MOS管,是直接从电源上取的,所以MOS管是空载,肯定会发热的,时间长了会烧坏的,正常情况下MOS管的温度很低,不会超过40度.

降压电路,你可以看MOS的漏极上的波形,RDS带来的损耗主要是P=RDS*IRMS^2*占空比D,因为MOS截止时,RDS不会带来损耗.假设RDS是10Ω,平均电流IRMS就是LED电流0.35A,220V输入,50V输出,占空比也就23%不到.RDS带来的损耗10*0.35^2*0.23=0.28W.
开关损耗的算法我知道的有2种,一种是P=总电荷Qg*门极电压Vg*频率Fs*系数K(记不得有没有这么个系数了);一种P=反向传输电容C*门极电压Vg*频率Fs/处于临界导通时的门极电流I.
高频开关下通常是刚上电时开关损耗太大,导致MOS结温迅速上升,RDS也随温度上升而变大,有时因为占空比太高,导致温升到一定程度RDS的导通损耗超过了开关损耗.

谢谢!只是如果是这样的话,我的LED上三百多毫安的电流是哪里来的呢?

电路没错,接光藕的作用是为了LED电流更平滑

那么大的光耦,通过300MA的电流,不是饱合了吧,旁边并联的1.5K的电阻,控制相位对吗.

哪有1.5K电阻?你看哪去了?

http://www.sddz-ic.com/upload/200892295073540755938A.pdf
他的电路参考的是这个

是的,就是这个电路

试试我们的COOLMOS:SPP04N60C3&SPD04N60C3,RDS(ON)只有其它MOS的一半大,更好地降低整机损耗.



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518961245397984.pdf

Qg大成马了

Qg太大了.

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