条件是:
输入380,输出电压30V,电流160A
成本不是主要的.
设计的拓扑不限制,请各位专家不吝指教!
请教各位电源专家,对于一个4500W的电源的效率能到多少?
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首先,谢谢各位在此积极的讨论.
我目前做到的是90%,再提升一个点都非常困难,很郁闷.很早以前我就看见一款国外的电源,是48V输出,在60V30A时的效率是94%,采用的是LLC谐振,但是把LLC的方式移植到本电路,效率也不高.
另外:有一个问题请教各位:
1:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器做开环输出的效率高还是LLC谐振闭环的效率高?
2:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器闭环的效率高还是用传统的相移电路闭环的效率高?
本人认为:变压器开环硬开关的条件下,虽然开关管在开关时刻有相当部分的损耗,但是变压器的损耗非常小,LLC谐振电路其特点就是主开关工作在电流续流时开通,降低了开关损耗,然而,带来的主管导通损耗和输出整流二极管的导通损耗也非常可观,尤其是低压大电流.
硬开关闭环和移相闭环相比,在占空比上,硬开关站有优势,而移相电路由于原边谐振电感的存在,有相当部分损失,限制了其效率的进一步提升,
欢迎各位批评指正!
我目前做到的是90%,再提升一个点都非常困难,很郁闷.很早以前我就看见一款国外的电源,是48V输出,在60V30A时的效率是94%,采用的是LLC谐振,但是把LLC的方式移植到本电路,效率也不高.
另外:有一个问题请教各位:
1:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器做开环输出的效率高还是LLC谐振闭环的效率高?
2:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器闭环的效率高还是用传统的相移电路闭环的效率高?
本人认为:变压器开环硬开关的条件下,虽然开关管在开关时刻有相当部分的损耗,但是变压器的损耗非常小,LLC谐振电路其特点就是主开关工作在电流续流时开通,降低了开关损耗,然而,带来的主管导通损耗和输出整流二极管的导通损耗也非常可观,尤其是低压大电流.
硬开关闭环和移相闭环相比,在占空比上,硬开关站有优势,而移相电路由于原边谐振电感的存在,有相当部分损失,限制了其效率的进一步提升,
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@lizimo2006
首先,谢谢各位在此积极的讨论.我目前做到的是90%,再提升一个点都非常困难,很郁闷.很早以前我就看见一款国外的电源,是48V输出,在60V30A时的效率是94%,采用的是LLC谐振,但是把LLC的方式移植到本电路,效率也不高. 另外:有一个问题请教各位: 1:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器做开环输出的效率高还是LLC谐振闭环的效率高? 2:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器闭环的效率高还是用传统的相移电路闭环的效率高? 本人认为:变压器开环硬开关的条件下,虽然开关管在开关时刻有相当部分的损耗,但是变压器的损耗非常小,LLC谐振电路其特点就是主开关工作在电流续流时开通,降低了开关损耗,然而,带来的主管导通损耗和输出整流二极管的导通损耗也非常可观,尤其是低压大电流. 硬开关闭环和移相闭环相比,在占空比上,硬开关站有优势,而移相电路由于原边谐振电感的存在,有相当部分损失,限制了其效率的进一步提升, 欢迎各位批评指正!
你的分析非常正确.
97%的有人发布过产品.
在软开关的情况下,磁芯损耗确实较大,在软开关情况下开关管的损耗很小,所以问题的重点是如何解决在软开关下的磁芯损耗.
97%的有人发布过产品.
在软开关的情况下,磁芯损耗确实较大,在软开关情况下开关管的损耗很小,所以问题的重点是如何解决在软开关下的磁芯损耗.
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@lizimo2006
首先,谢谢各位在此积极的讨论.我目前做到的是90%,再提升一个点都非常困难,很郁闷.很早以前我就看见一款国外的电源,是48V输出,在60V30A时的效率是94%,采用的是LLC谐振,但是把LLC的方式移植到本电路,效率也不高. 另外:有一个问题请教各位: 1:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器做开环输出的效率高还是LLC谐振闭环的效率高? 2:在同等的输出条件下(假设输出30V150A),是硬开关、变压器闭环的效率高还是用传统的相移电路闭环的效率高? 本人认为:变压器开环硬开关的条件下,虽然开关管在开关时刻有相当部分的损耗,但是变压器的损耗非常小,LLC谐振电路其特点就是主开关工作在电流续流时开通,降低了开关损耗,然而,带来的主管导通损耗和输出整流二极管的导通损耗也非常可观,尤其是低压大电流. 硬开关闭环和移相闭环相比,在占空比上,硬开关站有优势,而移相电路由于原边谐振电感的存在,有相当部分损失,限制了其效率的进一步提升, 欢迎各位批评指正!
我给你一个拓扑,效率可以做的高一些.
交错并联双管正激.MOS.
如果想再好点的话,用IGBT.交错并联双管正激,加零压关断无源软吸收.
不特别设计,效率应该可以提高2%.
交错并联双管正激.MOS.
如果想再好点的话,用IGBT.交错并联双管正激,加零压关断无源软吸收.
不特别设计,效率应该可以提高2%.
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