场效应管

我也关注中.我们的镇流器老用MOSFET,但是不知道怎么测试.

原则上MOS不用测试,多测试一次就多损坏一点.MOS最怕静电.你只要保证你的货源就OK了.要不就直接上机测试.  

不知道你是检测MOSFET的哪个参数?Vds,Ids,Vgs,RdsON,....用万用表可以简单体检测MOSFET(N-MOS)是否有损坏:(1)用万用表的二极管档,黑表笔接D极,红表笔接S极,好的MOSFET应该有0.4-0.6V的压降,(2)用万用表的二极管档,黑表笔接D极,红表笔去触发G极(1-2下),再把红表笔去接S极,好的MOSFET应该有1-50 ohm阻值.如果还是0.4-0.6V的压降,说明此材料已失去触发功能,已是不良了,不能用了.(3)在触发后,将G,D,S极短路,又可重复1,2步骤,说明此MOSFET没有问题民.
如果你要准确测试Vds,Ids,Vgs,RdsON,....这些参数,必须借助371测试仪来测试.

谢谢