讨论一下MOSFET 的 H 桥驱动问题,大家都是怎样消除miller 电容效应的?

如下面的原理图: 2547661247921367.pdf 500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/2547661247921387.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
之前做过一个两相步进电机驱动器.当电流设置过大时总是会爆MOSFET,2A以下小电流则没事,通过用显示波器测量发现有传说中的米勒效应存在,所以现在用Orcad仿真试试.
原理图是模拟两片IR2101驱动H桥的电路,假设M1 和 M4 永远没有信号,设为关闭.33KHz的PWM做用于M2 和 M3,仿真出来的波形如附件图,和真实线路板所测波形大概一致.
现在想和大家讨论几个问题:1.是否真是米勒电容的问题是一直没有信号的M1在下桥的M2开通时也有一个开通信号.
                          2.是否真是M1在M2的干扰下开通后,形成了短暂的上下桥共通,从而出现电阻R1上的大电流.
                          3.大家是怎么消除MOSFET在miller 效应区域存在的问题.