求助:反激MOS管振荡厉害.

进入DCM模式了.
漏感偏大.
震荡这么厉害,只能调吸收电路参数了.

我想应该是驱动电路有点问题.你可以用示波器看下VGS波形,把关断速度加快.

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吸收电路只能吸收第一个尖峰吧.另外吸收电容已经达到10N,电阻3K了.波形下面的就是驱动啊.没看出异样,关断速度也挺快.

看看公司的经验案例里有没有这样的....

的确,RCD的吸收是对第一个尖峰有明显抑制效果的

但是后面的震荡吸收不能

吸收这么强力还有这么高的尖峰,考虑下变压器的设计吧,看漏感是否偏大.可能需要调整变压器.

还一个奇怪的,尖峰之后有一段振荡明显抑制了的,之后又出现了大幅度振荡,这需要找找原因吧.按我们一般看到的VDS波形都是从最大尖峰开始,再逐渐阻尼的.
考虑看看你RCD中的D,看那个二极管是否使用不对.

谢谢谢谢,我想你肯定也是我们公司的.尖峰之后又有震荡我也发现了,可能和副边的同步整流有关系,但没分析清楚.二极管会有什么问题呢?都查看了资料也是公司常用的.变压器采用夹绕了并且漏感已经很小了.不知道和输出电容有没有关系.会不会是母线电容抗纹波电流不够造成输出震荡导通同步整流管造成.高手们指教啊

因为我自己以前有遇到过吸收回路的二极管恢复特性不同,对尖峰的影响也截然不同的情况.

RCD主要是吸收了漏感造成的尖峰,如果漏感很小,同时调整RCD的吸收强度都没看到尖峰明显减小,说明这个尖峰的主要产生原因不是漏感造成的了

哇，09年的贴，在想有没回复的必要了，楼上在考虑RCD，MOS管都没问题后，可以看下是不是受变压器干扰，用铜箔把变压器绕一层，看震荡信号是否被屏蔽了。

3年前的贴子了，我感觉由于结电容太大造成的哎，换个结电容小点的MOS试过没？