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驱动MOS的驱动芯片选择问题

请问对MOS选取驱动芯片的话,芯片驱动电流是怎样选择的?  大家有什么经验公式吗?   我一般按Qg=IT 其中Qg是栅电荷  I是驱动电流 T是上升时间   不知对不对?请高手指正.
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wsl001
LV.2
2
2009-09-02 16:19
顶一下
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ayong168
LV.5
3
2009-09-02 17:48
根据功率管的栅电容大小
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wsl001
LV.2
4
2009-09-03 11:13
@ayong168
根据功率管的栅电容大小
求教选择经验或公式.
0
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wsl001
LV.2
5
2009-10-15 21:13
@ayong168
根据功率管的栅电容大小
请问有具体的计算公式吗? 或经验结论吗 ?
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tqr987654321
LV.5
6
2009-10-16 09:06
@wsl001
请问有具体的计算公式吗?或经验结论吗?
告诉你一个最简单的方法,就是30mA驱动1A的MOS.
假如一个芯片是250mA的驱动电流那么一般可以驱动
7A左右的MOS.
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wsl001
LV.2
7
2009-10-17 10:31
@tqr987654321
告诉你一个最简单的方法,就是30mA驱动1A的MOS.假如一个芯片是250mA的驱动电流那么一般可以驱动7A左右的MOS.
谢谢
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wsl001
LV.2
8
2009-10-17 10:33
@tqr987654321
告诉你一个最简单的方法,就是30mA驱动1A的MOS.假如一个芯片是250mA的驱动电流那么一般可以驱动7A左右的MOS.
谢谢  这个应该是和栅电荷有关系  现在MOS制作技术进步很快,有没有驱动电流要求和栅电荷关系的公式.
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