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【新品快讯】飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS™

飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS™

可让电源满足能源之星规范中对台式电脑的80 PLUS金(Gold) 级别和
对服务器的白金(Platinum)级别的要求

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品.包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N,以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT.SupreMOS™系列器件兼具低RDS (ON) 和低总栅极电荷,相比飞兆半导体的600V SuperFET™ MOSFET,品质因数(Figure of Merit, FOM,即 RDS (ON) × Qgd )降低了40%.SupreMOS™器件具有业界最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt,可以提高开关电源(SMPS)中谐振转换器、LLC和移相(phase-shifted)全桥拓扑的可靠性.

相比SuperFET™ MOSFET器件,SupreMOS™600V超级结MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的栅极电荷,并且具有出色的开关性能,能够将开关和传导损耗减少20%,从而提高效率.另外,SupreMOS™器件具有较低的输入和输出电容,能够提高轻负载条件下的效率.这些特性可让电源满足能源之星规范中适用于台式电脑的80 PLUS 金(Gold) 级别和用于服务器的白金(Platinum)级别的要求.

SupreMOS™器件是飞兆半导体全面之MOSFET产品系列的一部分,为设计人员带来宽阔的击穿电压范围(-500V 至1000V)、先进封装和业界领先的品质因数(FOM),为各种电能转换环境提供所需的高效功率管理功能.

供货: 现提供样品
交货期: 收到订单后9至11周内

编辑注:产品的 PDF 格式数据表可从以下网址获取:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FC/FCP22N60N.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FC/FCPF22N60NT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FC/FCA22N60N.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FC/FCP16N60N.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FC/FCPF16N60NT.pdf

查看飞兆半导体在Twitter发放的实时产品信息,请访问:http://twitter.com/FairchildSemi
查看产品和公司信息视频,请访问网页:http://www.fairchildsemi.com/video/index.html
听取产品信息网上音频,请访问网页: http://www.fairchildsemi.com/company/media_center/index.html
阅读飞兆半导体博客并发表评论, 请访问:EngineeringConnections.com

查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-3250-7688;北京办事处,电话:010-6408-8088 或访问公司网站:www.fairchildsemi.com.

飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号:FCS) 是全球首屈一指提供高能效功率模拟和功率分立解决方案的领导厂商.作为功率专家 The Power Franchise®,飞兆半导体为消费、通信、工业、便携、计算机和汽车系统提供业界最先进的半导体和封装技术、制造能力和系统专业技术.飞兆半导体是一家以应用主导及以解决方案为基础的半导体供货商,提供在线设计工具和遍布全球的设计中心,是其全面的 Global Power ResourceSM (全球功率资源) 的一部分. 详情请访问网站: www.fairchildsemi.com.
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haihan
LV.3
2
2009-09-27 09:35
需要600V以上,电流在100度时大于30A,通态电阻小于0.1Ohm,反并联二极管恢复时间小于150ns的MOSFET,不知有没有?
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fsc_sg
LV.6
3
2009-09-27 10:04
@haihan
需要600V以上,电流在100度时大于30A,通态电阻小于0.1Ohm,反并联二极管恢复时间小于150ns的MOSFET,不知有没有?
有一个产品比较接近你的要求FCA47N60F,请参考手册.这是SuperFET工艺的. 2572241254017040.pdf
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haihan
LV.3
4
2009-09-27 11:00
@fsc_sg
有一个产品比较接近你的要求FCA47N60F,请参考手册.这是SuperFET工艺的.2572241254017040.pdf
电压500V,电流30A,trr<150ns的有没有?
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fsc_sg
LV.6
5
2009-09-28 09:29
@haihan
电压500V,电流30A,trr
目前这个等级的没有反向恢复时间这么小的.
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haihan
LV.3
6
2009-09-28 16:19
@fsc_sg
有一个产品比较接近你的要求FCA47N60F,请参考手册.这是SuperFET工艺的.2572241254017040.pdf
FCA47N60F就是电流有点小,100度时电流大于35A的有没有?
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fsc_sg
LV.6
7
2009-09-29 11:37
@haihan
FCA47N60F就是电流有点小,100度时电流大于35A的有没有?
没有这么高电流的.
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真武阁
LV.6
8
2009-11-02 10:52

好东西,希望有机会分享

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sznetling
LV.1
9
2009-12-24 13:24
有没有100毫欧以下,600V耐压以上,5V脉冲控制,电流2A就够了,价格不会高的离谱的n mos推荐?
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fsc_sg
LV.6
10
2009-12-24 16:07
@sznetling
有没有100毫欧以下,600V耐压以上,5V脉冲控制,电流2A就够了,价格不会高的离谱的nmos推荐?
没有如此低电压控制的高压MOSFET,虽说个别管子可以在3V左右开启,但是最佳状态也在10V左右.
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sznetling
LV.1
11
2009-12-25 09:39
@fsc_sg
没有如此低电压控制的高压MOSFET,虽说个别管子可以在3V左右开启,但是最佳状态也在10V左右.
那去除“5V脉冲控制”这个条件有什么推荐?
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fsc_sg
LV.6
12
2009-12-25 13:27
@sznetling
那去除“5V脉冲控制”这个条件有什么推荐?
FCA47N60F就可以.
http://www.fairchildsemi.com/ds/FC%2FFCA47N60F.pdf
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aosimai
LV.1
13
2010-01-05 16:11
@fsc_sg
有一个产品比较接近你的要求FCA47N60F,请参考手册.这是SuperFET工艺的.2572241254017040.pdf

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