IGBT驱动到底快好还是慢好?业界没有定论.
我是快速驱动的支持者.在驱动上不产生高压振荡的情况下,我会尽量快的开关IGBT.
从开通角度:整流二极管或其它杂散电容引起的开通损耗对IGBT来讲是可以承受的(与MOSFET有不同),同时在电路上是可以处理的.
从关闭角度:由于拖尾,快速关闭对IGBT关闭损耗没有太大影响.既然如此,快速关闭未尝不可.减小关闭损耗可以在电路原理上解决.
如果驱动内阻足够小,负压没有必要,-5V足以.我十几年没见过dv/dt过高引起的IGBT失效现象,这种只是理论上的会产生的失效早就应该在教科书上删去.当然,从电路结构上需要引起重视.
从小功率来看,IGBT,MOSFET可以使用同样驱动.
对MOSFET,开通引起的大电流需要特别注意,因为它是多子器件,开通内阻小,开通的瞬态功耗有可能使MOSFET失效加快.
因此,ZVS经常用在MOSFET,ZCS用在IGBT.
我自己做的驱动器JD10.短路驱动能力>20A,开通沿时<180ns,关闭延时<120ns.驱动0.1u,3.3R串联负载,上升率<100ns.体积55x20.如果各位同行有更好的驱动器资料,请告知.
不胜感激.
