电容降压碰到的问题,请大家提供帮助(急急急急急急急)

可控硅接错了,要反过来接.

图画得有点问题,现在该过来了,实际使用的时候是按照现在的这个图来做的.也就是按照上面的这个新图发现很多问题,请大家帮忙,谢谢

C1容量过大,导致D2发热,D1发热的原因应该是IC耗电量过大引起的

如果把C1的容量变小,我也试过,也有发热,但是如果变小的话,从稳压管出来的电压加上负载电路,电压到不了12V,,有时候是9V

请大家指点,谢谢

可以D2放在D1后面,还有C1换一般的更小陶瓷电容看看?
个人看法,不知有没有效果

如果C1换小的话,可控硅根本驱动不起来,

现在的问题还有就是可控硅上的电压只有200V,怎么样能全导通,让输出的电压是220V

找高手解答

C1 R1组成rc降压电路,只要C1的电容值和D1的稳压值确定,那么支路电流也就是个定值了.也就是说不管负载如何变化,流过D1和D2的电流总和不变.
  D1功率确定: 首先计算出总的电流值,当电源空载时大部分电流都流向D1,确定D1的功率,要想不烫可以并联几个稳压管.D2同理计算

问题1:D1,D2发热是由于负载太重引起的.
问题2:负载R3 2端电压只有200V说明可控硅没有完全导通.
问题3:压敏电阻R4,自己烧坏,你用的是7D431K,击穿电压是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC
因为AC220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以选择压敏电阻的击穿电压是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,
所以建议应该选择7D471K,或者10D471K.
问题4:用Q2的方式驱动是可以的.
问题5:双向可控硅上的压降太大说明你可控硅没有完全导通.
双向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你现在工作在1、4象限,双向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的时候,容易损坏.
所以有条件最好能更改驱动方式,用低电平驱动双向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去网上去看看可控硅应用10大准则.

你可以仔细看一下你的可控硅资料B136,当T2+ G+,T2-,G+的驱动电流和维持电流需要多少.
驱动电流T2+ G+,50MA,T2-,G+,100MA,维持电流T2+ G+,30MA,T2-,G+,30MA.
在加上你的IC和,Q2的驱动电流和维持电流.注意你的阻容降压电路,必须要在100MA以上.
然后在看看你的1UF的电容,能否满足这么大电流.(所以你去按照阻容降压公式算一下满足这么大的电流需要多少的电容).
所以也就可以解释,为什么你电压会下降,D1,D2为什么会发热,双向可控硅为什么没有完全导通.

问题1:D1,D2发热是由于负载太重引起的.
问题2:负载R3 2端电压只有200V说明可控硅没有完全导通.
问题3:压敏电阻R4,自己烧坏,你用的是7D431K,击穿电压是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC
因为AC220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以选择压敏电阻的击穿电压是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,
所以建议应该选择7D471K,或者10D471K.
问题4:用Q2的方式驱动是可以的.
问题5:双向可控硅上的压降太大说明你可控硅没有完全导通.
双向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你现在工作在1、4象限,双向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的时候,容易损坏.
所以有条件最好能更改驱动方式,用低电平驱动双向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去网上去看看可控硅应用10大准则.

你可以仔细看一下你的可控硅资料B136,当T2+ G+,T2-,G+的驱动电流和维持电流需要多少.
驱动电流T2+ G+,50MA,T2-,G+,100MA,维持电流T2+ G+,30MA,T2-,G+,30MA.
在加上你的IC和,Q2的驱动电流和维持电流.注意你的阻容降压电路,必须要在100MA以上.
然后在看看你的1UF的电容,能否满足这么大电流.(所以你去按照阻容降压公式算一下满足这么大的电流需要多少的电容).
所以也就可以解释,为什么你电压会下降,D1,D2为什么会发热,双向可控硅为什么没有完全导通.

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