太阳の光:
问题1:D1,D2发热是由于负载太重引起的.问题2:负载R32端电压只有200V说明可控硅没有完全导通.问题3:压敏电阻R4,自己烧坏,你用的是7D431K,击穿电压是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC因为AC220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以选择压敏电阻的击穿电压是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,所以建议应该选择7D471K,或者10D471K.问题4:用Q2的方式驱动是可以的.问题5:双向可控硅上的压降太大说明你可控硅没有完全导通.双向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你现在工作在1、4象限,双向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的时候,容易损坏.所以有条件最好能更改驱动方式,用低电平驱动双向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去网上去看看可控硅应用10大准则.你可以仔细看一下你的可控硅资料B136,当T2+G+,T2-,G+的驱动电流和维持电流需要多少.驱动电流T2+G+,50MA,T2-,G+,100MA,维持电流T2+G+,30MA,T2-,G+,30MA.在加上你的IC和,Q2的驱动电流和维持电流.注意你的阻容降压电路,必须要在100MA以上.然后在看看你的1UF的电容,能否满足这么大电流.(所以你去按照阻容降压公式算一下满足这么大的电流需要多少的电容).所以也就可以解释,为什么你电压会下降,D1,D2为什么会发热,双向可控硅为什么没有完全导通.