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反激 同步整流出现初级侧MOSFET过热情况,请各位分析下

反激电源

输入48V 输出5V@2A.  

电路如图
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/1955381258369813.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

同步整流的时候,发现主开关异常发热,初级侧MOSFET的电流尖峰很大,工作频率为350kHz,如图
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我用肖特基替换了同步整流MOSFET后,主开关发热情况明显减少.而且波形较好,如图
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/1955381258370147.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

我分析原因如下:同步整流MOSFET从导通到关断的时间 要比肖特基的反向恢复时间要大,因此出现了两管同时导通的情况. 不知道是否是这样,请各位坛友分析一下.

虽然,解决了发热严重的问题(但还是有发热的情况),但还是想采用同步整流方案,因为同步整流能提高效率、减少发热,但不知道应该怎么改进?是否与变压器性能、MOSFET参数有关系??
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2009-11-16 21:10
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2009-11-17 08:48
@wang123wang
此帖已被删除
有,谢谢
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desolate
LV.4
4
2009-11-18 09:05
5v2a开关频率350KHZ用SR能提高效率么?
用自驱的话,工作在CCM似乎可以,可是工作在DCM呢?
所以,如果想用SR的话,最好用芯片驱动了.
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heibaihao
LV.4
5
2009-12-29 11:43

MOS的关断都是有存储时间的,在CCM你不留有死区必然会造成电流倒灌,造成你原边MOS发热,你这电流在DCM也会出现倒灌。

如果一点要SR的话,建议用SR ic控制,但是需要增加一颗IC的价钱,不到3RMB,就看你成本能不能接受了。

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