请问DX们用示波器怎么看变压器有没饱和

看sense电阻上的电压斜率是否突变,突变就是饱和了.

是在低压大电流的情况测试吧

满载,其实应该看OCP的临界点不饱和才好,高压输入更容易饱和.

那怎么看OCP的临界点呢,谢谢,经常看到大师发表一些好的东东,今天碰到真是难得呀

就是输出一直加载,直到输出保护线路动作前的时刻,或者输出功率开始下降前(直接反映是输入功率开始下降)

奥知道了,再请问一下LP加大是否更容易饱和些

一般反激的是这样的

谢谢大师,那么晚还在呀,晚安了,以后再请教您了

高压输入更容易饱和,依据是什么?

反激的就是这样的,自己可以推导一下,也可以验证.

我只知道我做的实验,在高压输入情况下Ipeak稍低于低压输入的情况.
你不是要告诉我,高压输入情况下,磁体的发热严重点吧.
公式能不能推给我看看,谢谢.

我也糊涂了,不明白为什么反激的,高Lp 或高Vin 时会更容易饱和.

可以很简单的推出Vi*Ton是会随着Toff的增加而增加的.

Lp高是因为会叠加直流磁通,&B的空间变小,还有就是储能能力下降.
但是Lp不是直接影响饱和的原因.

我想你只考虑到了B的变化量,没考虑到直流的B吧,在全电压范围内DCM模式下,你说的没错．但在ccm模式下,我觉得是不一定的．所以我并不认为高VIN下,就一定易饱和,涉及到很多东西．

你坚持吧,这个不好强求,我不是很喜欢用想象的方式分析问题的.

说的是CCM吧,我觉得是
1. Lp高, ΔB(ΔI)变小,但Bpk(Ipk)亦变小,
2. Vin高,ΔB(ΔI)变大,但Bpk(Ipk)会变小,
所以两者变高,都不会更容易饱和.

如果是DCM,更加不成立.

哪你把公式推出来就得了啊,我也没看到你的有效证明.不要动不动就说你坚持吧,不好强求的.或者说别人是想象之类的话题,你能拿出证明了,大家看了,自然不用说什么坚持不坚持的话题了.

他可能想告诉我Uvin高Ton>Uvin低Ton,根据NB(变化量)S=UTon的公式得出,B(变化量)高>B(变化量)低,所以Vin高时易饱和．哪我想在全部DCM情况下可能是他说的哪样．

我在14帖已经把推导的结论说得很清楚了, 你应该是当领导的料,什么都喜欢看现成的.

14贴哪样就算说的很清楚了?算了,我理解能力差,也不麻烦你了.

我是按照CCM推导的,DCM公式太复杂,没有具体去推过.

不要只看ΔB,B的峰值Bpk才重要(不竟饱和的margin 是Bsat-Bpk),Vin高了,Bpk反而低了,这是可以推导出来的.
DCM时,Vin的变化根本不影响Ipk(Bpk),更谈不上影响饱和.

是不是说反啦,CCM的复杂吧.不过我的推导好像也没错呀.

没有说反,DCM的D是跟负载有关的,比较复杂,你推导的没有错,但是我也没有找到我的推导错在那里,继续.

我之前有做过一次实验,低压输入时,工作半小时,CS波形发生突变,变压器饱和.而高压输入时,工作四小时还没发现变压器饱和.

其实,OCP临界点远离饱和点更好,因要考虑温度升起来后,变压器饱和磁通密度会有所降低.另外,在同等输出功率条件下(无PFC),输入电压越低,变压器越容易饱和吧.因其磁化电流更大,输入电容两端的纹波电压也会增加.

VT=NBS中的B具体是&B还是总电流引起的B? 怎么感觉越来越糊涂了?

我碰到的刚好相反,低压90Vac可以测试高温直到温度稳定,但是高压264Vac输入很快就饱和炸机了.
看来得仔细分析一下工作状态的影响才行.

B的变化量,是交流信号引起的.&B