大功率MOSFET驱动

小弟请教有经验的前辈，要使IGBT/MOSFET能快速开关，必须提供足够的驱动峰值电流，一般驱动芯片（VCC=15V）的输出都接了10欧左右的限流电阻，如果驱动大功率的IGBT（需要3~4A驱动峰值电流），这个限流电阻可否省略？请各位不吝赐教！

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LV.4

2010-01-30 20:48

不可以取消.请参照IGBT/MOSFET的 PDF 参数.

LV.3

2010-01-31 09:58

@power998

不可以取消.请参照IGBT/MOSFET的PDF参数.

恩，谢谢指点，再请教一个问题，如果驱动峰值电流达到4A的话，那么限流电阻是不是要用大功率电阻啊？

LV.4

2010-01-31 16:04

@kuernikewa

恩，谢谢指点，再请教一个问题，如果驱动峰值电流达到4A的话，那么限流电阻是不是要用大功率电阻啊？

此电阻可防止IGBT/MOSFET自激损坏，可用两个电阻串联，其中一个并二极管

功率不用太大，1--2w试一下

LV.3

2010-01-31 18:56

@xhbb

此电阻可防止IGBT/MOSFET自激损坏，可用两个电阻串联，其中一个并二极管功率不用太大，1--2w试一下

驱动芯片输出电压12V，输出峰值电流4A，下面是MOSFET的开关特性参数，请各位大虾帮小弟看一下，限流电阻取多大合适，功率值应该选择多大的呢？

（点击放大）

LV.3

2010-02-03 10:56

@kuernikewa

驱动芯片输出电压12V，输出峰值电流4A，下面是MOSFET的开关特性参数，请各位大虾帮小弟看一下，限流电阻取多大合适，功率值应该选择多大的呢？[图片] （点击放大）

小弟初学，请各位大虾帮忙看看吧！

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