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求助:IR2110 全桥驱动,低压实验,MOSFET击穿…………
求助:IR2110 全桥驱动,低压实验,MOSFET击穿…………
大家好,我最近在做IR2110驱动的全桥电路,电路搭建完成后,仅用12V小电压实验,观察波形。就把上桥臂的两片MOSFET击穿了,请问这是怎么回事啊??
谢谢!
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xzszrs
LV.11
2
2010-03-05 16:22
发个图来看下。
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wky2007
LV.2
3
2010-03-05 16:33
@xzszrs
发个图来看下。
贴出来了,帮忙看看啊…………通的直流电压不是310V的,是仅仅只有12V的蓄电池提供的,可还是把上桥臂的两片MOSFET的G S极烧通了……
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wky2007
LV.2
4
2010-03-05 16:44
@xzszrs
发个图来看下。
而且,上桥臂的两片MOSFET热的烫手……
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xzszrs
LV.11
5
2010-03-05 19:12
@wky2007
[图片] [图片] 贴出来了,帮忙看看啊…………通的直流电压不是310V的,是仅仅只有12V的蓄电池提供的,可还是把上桥臂的两片MOSFET的GS极烧通了……
2110的5脚要接到上管的源极。
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st.you
LV.9
6
2010-03-05 20:50
高端MOS的驱动没有回路,当然会驱动不正常了
2110的VS端要接到桥路的中点.
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homeyang
LV.4
7
2010-03-05 22:42
@wky2007
[图片] [图片] 贴出来了,帮忙看看啊…………通的直流电压不是310V的,是仅仅只有12V的蓄电池提供的,可还是把上桥臂的两片MOSFET的GS极烧通了……
上端的NMOS驱动电压没浮动,Vgs不够,导致NMOS没有完全导通。 IR2110的PIN5接到Q3(U1)和Q4(U2)的D脚
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wky2007
LV.2
8
2010-03-06 09:27
@homeyang
上端的NMOS驱动电压没浮动,Vgs不够,导致NMOS没有完全导通。IR2110的PIN5接到Q3(U1)和Q4(U2)的D脚
Vgs不够,是不是自举电容小啊??
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