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求助：IR2110 全桥驱动，低压实验，MOSFET击穿…………

大家好，我最近在做IR2110驱动的全桥电路，电路搭建完成后，仅用12V小电压实验，观察波形。就把上桥臂的两片MOSFET击穿了，请问这是怎么回事啊？？

谢谢！
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xzszrs
LV.11
2
2010-03-05 16:22

发个图来看下。

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wky2007
LV.2
3
2010-03-05 16:33
@xzszrs
发个图来看下。
  

贴出来了，帮忙看看啊…………通的直流电压不是310V的，是仅仅只有12V的蓄电池提供的，可还是把上桥臂的两片MOSFET的G S极烧通了……
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wky2007
LV.2
4
2010-03-05 16:44
@xzszrs
发个图来看下。
而且，上桥臂的两片MOSFET热的烫手……
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xzszrs
LV.11
5
2010-03-05 19:12
@wky2007
[图片] [图片] 贴出来了，帮忙看看啊…………通的直流电压不是310V的，是仅仅只有12V的蓄电池提供的，可还是把上桥臂的两片MOSFET的GS极烧通了……
2110的5脚要接到上管的源极。
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st.you
LV.9
6
2010-03-05 20:50
高端MOS的驱动没有回路,当然会驱动不正常了

2110的VS端要接到桥路的中点.
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homeyang
LV.4
7
2010-03-05 22:42
@wky2007
[图片] [图片] 贴出来了，帮忙看看啊…………通的直流电压不是310V的，是仅仅只有12V的蓄电池提供的，可还是把上桥臂的两片MOSFET的GS极烧通了……

上端的NMOS驱动电压没浮动，Vgs不够，导致NMOS没有完全导通。 IR2110的PIN5接到Q3（U1）和Q4（U2）的D脚

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wky2007
LV.2
8
2010-03-06 09:27
@homeyang
上端的NMOS驱动电压没浮动，Vgs不够，导致NMOS没有完全导通。IR2110的PIN5接到Q3（U1）和Q4（U2）的D脚
Vgs不够，是不是自举电容小啊？？
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