逆变/UPS领域-国产IGBT模块与国外产品的性能对比

针对广泛应用于逆变、UPS电源的IGBT模块，以下为代表了国内IGBT封装领域最高水平的国产SilverMicro K系列IGBT的芯片特性：

1.第五代（Gen) IGBT NPT 芯片

2.电压等级600V 1200V

3.导通压降（Vcesat)与开关损耗(Esw)的完美平衡

4.短路承受时间>10μs

5.低Miller效应，降低了复杂电磁环境下IGBT的误开通

6.低拖尾电流

7.极好的一致性和正温度系数，保证了芯片的并联使用

以下为针对英飞凌、富士的常用型号的特性对比：











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