反激電源的初級RCD吸收问题,请高手讨论(有图)

本人做一款12V4A的电源,磁芯用的是PQ2625,带满负载时MOS管漏极的波形图如下:尖峰电压有112V,如何修改RCD电路降低这个电压,尖峰电压应为多高为好?此电压高低对效率及MOS管的发热有何影响?请高手不惜指点?谢谢!!