气隙增大储存的能量增多,也能提高带负载能力？？？有这种说法吗？？？？？

气隙大一倍，相当于把磁路的等效长度拉长了一倍（磁芯的磁路长度在有气隙时基本可以不考虑），于是储能也就大一倍。

个人感觉，气隙大了，在电流加大的情况下，抗饱和能力强了，　

另外气隙大了，气隙损耗加大，特别是局部发热严重，

漏感也变大，峰值电压变大，开关管承受电压加大

在保证磁芯不饱和的情况下，气隙赿小赿好，　　不知对否？

个人感觉，气隙大了，在电流加大的情况下，抗饱和能力强了，

（正确，因为气隙大了磁阻变大）　

另外气隙大了，气隙损耗加大，特别是局部发热严重，

（气隙处的任何电的高导材料都会发热）

漏感也变大，峰值电压变大，开关管承受电压加大

（错误，漏感大小跟气隙没关系）

在保证磁芯不饱和的情况下，气隙赿小赿好，　　不知对否？

（正确，但还需要考虑相对AL值，因为气隙还决定电感量）

我一看2帖的网名，就只想到变压器...

版主是哪位...“蚂蚁”？

气隙对漏感的影响很小

原来就是你啊,哈哈...

技术讨论必定奉陪,大奖就没想法了.   我就只专心在那里了.

氧化钙，真的是你啊，这个世界真是小，哈...

这要看是绕组的结构了，如果是反激，正激（含单正，全桥半桥）等需要紧耦哈的变压器，那么初次级绕组在空间上的分布要尽量“重合”，漏磁通其本上只受线圈绕线的中心距影响。这就是为什么三明冶绕法能显著降低漏感的原因。而对于磁集成的LLC、移相全桥等变压器，则初次级绕组在空间上分的很开，这时气隙的影响才会大。

各位测一下手头的反激和正激变压器的漏感，边测边调气隙，甚至把磁芯直接取掉，会发现基本没变化，不信就动手