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大家一起聊下IGBT的缓冲电路

大家一起聊下IGBT的缓冲电路咧!我目前用的一个IGBT缓冲电路,就是直接一个R+C串联电路,电阻烫得吓死人,工作时缓冲电路里的电阻温度达到200°以上,到底是什么原因造成的呢?我试着加大缓冲电容,结果电阻温升得更快!缓冲电路的阻容应该怎么调?大家是怎么调的?

另外,我听说缓冲电路单独一个电容吸收尖峰,电容的容量加大,容易造成电容击穿,是吗?

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sangjuen
LV.8
2
2010-07-06 00:37

不同的应用场合要求也不同。没有具体电路,只能说加大电容或减小电阻,所吸收的尖峰越多,但电阻的损耗也越大,效率也越低……

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lawu_yiu
LV.3
3
2010-07-06 15:30

电容越大,吸收的尖峰越多,电阻肯定约热了。最简单的做法就是电容放个102、222、或472等,然后去调电阻值,先大后小,在吸收的尖峰和电阻发热之间找个平衡。网上有公式计算,可以拿来参考

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2010-07-06 17:00

C太大是没用的,不但不能有效吸收尖峰,而且带来大损耗。比较通用简单的设计办法是:在没有加吸收之前,测试震荡频率,假如频率是f,那么开始并电容,并了电容震荡频率自然下降,那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半,就是0.5f。

这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数,电感L。最后取R=(L/C)开根号。

最后根据实际情况调整,一般可以把C向下调整。

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