sangjuen 的图纸我也做了一台 改进了几个地方！

我烧了快10只MOS才做好，他原来的图纸绝对要改

图是不错的，只是有成功图不一定抄出成功的机。

15年不坏JJ图要短路后等待再开机时间短，和可控硅并联的47UF就要减容量，小容量放电时间更短，复位等待时间也短了。

要根据自己JJ的输出电压来计算驱动电源分压比，原图高压700V。自己做的JJ可能电压低导致斩波MOS驱动不足，自己JJ高压太高可能导致18V稳压管被烧然后MOS驱动电压过高，栅极击穿。

抄板不是照搬，还要结合自己的情况才能设计更合理。

有款IXRH50N120，50A1200V   IXYS出品

哦！大意了，是IGBT

GT150Q101: NMOS, GDS, 1400V  15A 

GT25Q101:NMOS,GDS,1400V,25A

GT40T101:nMOS,GDS,1500V40A

11n120 1200v 11A 180W

k1489   1000V  12A 200W

k1120   1000V    8A  150W

我也烧了很多管子，电压在400V以下时一切正常，短路自动保护，超过600V很容易烧mos，而且只烧mos其它元件都没坏，就是正常开机时损坏的，现在怀疑是开机瞬间电压过高而击穿mos，但想不通的是我后级空载才700多伏，还有做成功的吗？能帮我分析下原因吗？

还有个可能，你MOS的驱动电压取值如何？是不是太高，输出电压高，驱动分压值也高，MOS驱动电压一般20来V，超过就挂，你的驱动电压是否和15年不坏JJ一样有18V稳压二极管作为保护MOS栅电压不超标的设计？

回13帖：mos驱动用的就是18V，实际测量也是18伏，都是在开机瞬间损坏，不是短路，就是正常接灯试验，现在烧了很多管子了，还是没找到原因，但是发现了个现象，有时开机瞬间，变压器有“吱吱”声，并且这时如果用数字万用表测，1000v档就超量程了，我怀疑就是这一瞬间的高压造成的？可是又想不通，空载才700多伏，为什么启动瞬间会有这么高的电压，是否由于负载太重，而导致频率降低电压急剧升高？

非常谢谢您的解答

我做的没有你说的那种情况，我做的电压750，但由于水阻太低，下水就保护，而无法开机，我取保护值为峰值30A，

谢 11455355大师回复

回18贴：3个200W串时很容易烧，再加串2000w电炉不容易烧，从这点分析又好像还是由于负载太重而导致的电压突升，有点矛盾，负载重为什么电压还会突升呢？

回19贴：水阻低可以降低取样电阻啊

接200W灯泡，要多按几下才能保护，保护以打隔方式进行

2000W的电炉丝比200W电灯冷态时电阻要高，你串了肯定不会烧了

看来是启动初期的电压异常引起MOS过压击穿，从这几点去考虑：

1：有没有设计闭环反馈电路？有可能该电路元件取值不当造成启动异常。

2：3525不良，换个不同批次的实验下。

3：3525外围电路仔细看看，有没不合理的地方？

负载重不可能导致电压升高，反而负载轻输出电压才高。

请问什样算取保护值为峰值30A?

回27帖 11455355大师：

确实没有涉及闭环反馈电路

你说“负载重不可能导致电压升高，反而负载轻输出电压才高”

实际是启动瞬间这时灯泡冷态电阻小，负载重，变压器发出“吱“的一声，同时万用表显示电压超量程，启动完成后电压降低到600多付，为什么会这样呢，空载时电压才700多伏啊？