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郁闷中啊！电路老是炸机，有图

  此方案老是炸机，有点开机就炸 有的老化6个小时没事，结果第二天老化45分钟炸，两个小时炸。。。炸33262，100UF电容，IRFR420三个脚全击穿短路，等测了下驱动波形，与VDS波形都很好，就是测取样电阻1.2R的电压波形，开与关尖峰比较大，P-P都1.7V了
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P200818
LV.5
2
2010-07-16 17:38
 
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谢厚林
3
2010-07-16 17:43
@P200818
[图片] 
MOS的gate脚加一个10K的电阻到地。
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谢厚林
4
2010-07-16 17:44
@P200818
[图片] 
1.2R 也不能直接到IC的4Pin上，需要加RC。
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P200818
LV.5
5
2010-07-16 17:45
@谢厚林
MOS的gate脚加一个10K的电阻到地。

关断时快速放电？

 

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P200818
LV.5
6
2010-07-16 17:46
@谢厚林
1.2R也不能直接到IC的4Pin上，需要加RC。
我有加过RC。效果不明显
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P200818
LV.5
7
2010-07-16 17:46
@P200818
我有加过RC。效果不明显
不知炸机的直接原因是不是在这个开关尖峰上。
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P200818
LV.5
8
2010-07-16 17:47
@谢厚林
1.2R也不能直接到IC的4Pin上，需要加RC。

R=1K C=201

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谢厚林
9
2010-07-16 17:49
@P200818
[图片] 
 
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谢厚林
10
2010-07-16 17:50
@谢厚林
[图片] 
 
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P200818
LV.5
11
2010-07-16 17:52
@谢厚林
[图片] 

这个炸机直接原因会不会是因为这个呢？

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谢厚林
12
2010-07-16 18:01
@P200818
这个炸机直接原因会不会是因为这个呢？
大哥，会不会是炸机的原因，看你的了，我们还等你的实验结果呢。
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让你记得我的好
LV.10
13
2010-07-16 18:08
@P200818
关断时快速放电？ 
不是的。上电瞬间，IC还没有工作，驱动端可能还是高阻态。因为MOS管存在miller电容，上电时通过miller电容给栅极充电，可能会导致MOS误开通，如果没有电阻给栅极放电的话，MOS会一直导通，最后爆掉。有了GS电阻，可以给栅极放电，就避免了这个悲剧的发生。
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让你记得我的好
LV.10
14
2010-07-16 18:09
@P200818
这个炸机直接原因会不会是因为这个呢？
很可能是MOS的GS间没有并电阻的缘故。
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P200818
LV.5
15
2010-07-16 18:46
@让你记得我的好
很可能是MOS的GS间没有并电阻的缘故。

现在我们是纸上谈兵嘛，分析有可能发生的情况撒，100个老化了那么久炸掉3个，所以实验不是简单的事啊，几个看不出效果。

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new5
LV.1
16
2010-07-16 20:12
@P200818
[图片] 

驱动10R稍小，应为50R左右并加接10K电阻于ＧＳ端，炸机的机率可降到０.１%以下

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52football
LV.5
17
2010-07-16 21:20
@P200818
[图片] 

1、加栅极电阻；

2、vcc加稳压；

3、布线好像也不是很好；

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P200818
LV.5
18
2010-07-17 11:35
@52football
1、加栅极电阻；2、vcc加稳压；3、布线好像也不是很好；
刚才有把驱动电阻改为50R,接地10K，RC为350R，470PF，取样电阻的电压波形还是不见好转，在输入170V时尖峰比较小，P-P只有1.02V.到了220V就有点大了，P-P都1.78了最大值才800MV左右。
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P200818
LV.5
19
2010-07-17 11:38
@P200818
刚才有把驱动电阻改为50R,接地10K，RC为350R，470PF，取样电阻的电压波形还是不见好转，在输入170V时尖峰比较小，P-P只有1.02V.到了220V就有点大了，P-P都1.78了最大值才800MV左右。
示波器在高频抑制下，200MV,2.5US,触发16MV时P-P  1.02V,200MV触发时P-P1.68V,低频抑制时，触发680MV,P-P也是1.68V。
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tercelzhang
LV.4
20
2010-07-17 12:42
@P200818
示波器在高频抑制下，200MV,2.5US,触发16MV时P-P 1.02V,200MV触发时P-P1.68V,低频抑制时，触发680MV,P-P也是1.68V。
我以前用NCP1200做电源时, R,C 中的C取值太大也会烧MOSFET. 看看吧.
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让你记得我的好
LV.10
21
2010-07-17 13:06
@P200818
刚才有把驱动电阻改为50R,接地10K，RC为350R，470PF，取样电阻的电压波形还是不见好转，在输入170V时尖峰比较小，P-P只有1.02V.到了220V就有点大了，P-P都1.78了最大值才800MV左右。

我觉得你的这个布局安排的有点问题。。。。。。

那么多信号线都从功率电感下面穿过来，这样当然干扰大啦。

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P200818
LV.5
22
2010-07-17 14:00
@让你记得我的好
我觉得你的这个布局安排的有点问题。。。。。。那么多信号线都从功率电感下面穿过来，这样当然干扰大啦。
这个是PFC电感，我看了好多都这样，有点干脆用贴片33262直接在电感下面，照样没事，问题是炸机不是全部，所以改了之后，虽然波形没什么改善，不知炸机情况能不能改善。
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P200818
LV.5
23
2010-07-17 14:27
@P200818
这个是PFC电感，我看了好多都这样，有点干脆用贴片33262直接在电感下面，照样没事，问题是炸机不是全部，所以改了之后，虽然波形没什么改善，不知炸机情况能不能改善。
这个是28W的。1.5R取样电阻是不是小了点，电流检测峰值电压固定在1.5V，我的峰峰值有时都1.8V啦。
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P200818
LV.5
24
2010-07-17 18:14
@P200818
这个是28W的。1.5R取样电阻是不是小了点，电流检测峰值电压固定在1.5V，我的峰峰值有时都1.8V啦。

驱动电阻10R也炸的稀烂。

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贴片机
LV.8
25
2010-07-17 18:31
@P200818
[图片] 
会不会是先炸的100uF电容,进而33262供电不正常,导致MOS 门极电压不正常,炸管....进而...
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让你记得我的好
LV.10
26
2010-07-17 18:41
@贴片机
会不会是先炸的100uF电容,进而33262供电不正常,导致MOS门极电压不正常,炸管....进而...

有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不会影响到后面的电解电容。要是电解电容短路了，输出就没有电压了，PFC电感在一两个周期内就会饱和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。

不过，这种CRM模式的电路，假如电解电容短路了，电感退不了磁，零电流检测不到电流过零信号，MOS还会再次开通吗？这是个疑问。

建议楼主测量一下电解电容的温度和温升。

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zero3210
LV.7
27
2010-07-17 23:01
@让你记得我的好
有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不会影响到后面的电解电容。要是电解电容短路了，输出就没有电压了，PFC电感在一两个周期内就会饱和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。不过，这种CRM模式的电路，假如电解电容短路了，电感退不了磁，零电流检测不到电流过零信号，MOS还会再次开通吗？这是个疑问。建议楼主测量一下电解电容的温度和温升。
不错
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52football
LV.5
28
2010-07-19 01:15
@让你记得我的好
有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不会影响到后面的电解电容。要是电解电容短路了，输出就没有电压了，PFC电感在一两个周期内就会饱和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。不过，这种CRM模式的电路，假如电解电容短路了，电感退不了磁，零电流检测不到电流过零信号，MOS还会再次开通吗？这是个疑问。建议楼主测量一下电解电容的温度和温升。

此话差矣，如果输出电容电路的话，那么电源的保护电路应该会起作用，除非你的输出二极管也击穿了。

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P200818
LV.5
29
2010-07-19 08:22
@52football
此话差矣，如果输出电容电路的话，那么电源的保护电路应该会起作用，除非你的输出二极管也击穿了。

电解电容是332262供电的去耦电容，它的温度温升都正常。

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P200818
LV.5
30
2010-07-19 10:27
@让你记得我的好
有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不会影响到后面的电解电容。要是电解电容短路了，输出就没有电压了，PFC电感在一两个周期内就会饱和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。不过，这种CRM模式的电路，假如电解电容短路了，电感退不了磁，零电流检测不到电流过零信号，MOS还会再次开通吗？这是个疑问。建议楼主测量一下电解电容的温度和温升。
有的还是冷机开机就炸。
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