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【原创】电源效率讨论系列二:磁性元件的损耗

之前的讨论:

电源效率讨论系列一:次级整流二极管的损耗

电源效率讨论系列三:变压器绕制工艺

接着来讨论下电源电路中磁性元件的损耗。

电源中的磁性元件一般就是指电感与变压器,这里我们这种讨论初次级隔离的变压器,因为这种变压器在开关电源中应用最为广泛。

变压器的作用大致是提供初次级的电气隔离,使输出电压或升或降,传送能量;变压器设计的好坏直接关系到整个电源系统的安规,EMC,效率,温升,输出的电气性能参数,寿命,可靠性,甚至会导致系统的崩溃。

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bode
LV.9
2
2010-08-02 09:19

个人感觉变压器的工艺,是个大难题。

特别是漏感和分布电容的不兼容~

楼主能否讲讲升压变压器有何注意的地方~

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2010-08-02 09:48
@bode
个人感觉变压器的工艺,是个大难题。特别是漏感和分布电容的不兼容~楼主能否讲讲升压变压器有何注意的地方~

兄弟第一帖就给我出个大难题呀,呵呵

升压的做过,但经验不多,说说个人的理解,不一定对,权作参考与讨论之用。

升压变压器的难点,楼上已经指出来了,因为绕组的圈数太多,漏感与分布电容很难两全其美;这个时候我觉得应该从以下几个方面着手:

1、在选择变压器的时候,如果结构尺寸允许的话,我们尽量选择高长型(立式)或窄长(卧式)型的,因为这种变压器单层绕线圈数多,可以有效降低绕线的层数,增加初次级的耦合,减小层间电容。

2、优化绕线顺序,使初次级能增减耦合面积;曾经用过这种绕法:1/3次级--1/2初级--1/3次级--1/2初级--1/3次级,结果表明此种绕法漏感可以小很多。

当然这种变压器绕制工艺稍显复杂,成本稍高,但还是可以接受。

3、层间电容大家都知道,每层之间加黄胶带,便可减少层间电容。

当然这些措施都是在考虑安规与EMC的情况下,做出的改进;对于升压电源,漏感与层间电容如果处理不好很容易引起振荡,使电源的EMC不好过,效率不高,有时会莫名其妙的炸MOS管(我实际碰到过的情况)。

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xyz104104
LV.7
4
2010-08-02 10:02
@bode
个人感觉变压器的工艺,是个大难题。特别是漏感和分布电容的不兼容~楼主能否讲讲升压变压器有何注意的地方~

个人觉得应注意

1.磁材的选择

2.加工工艺的选择

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2010-08-02 10:03

我们知道变压器的损耗分为铁损与铜损,先来说说铁损吧。

变压器的铁损包括三个方面:

一是磁滞损耗,当交流电流通过变压器时,通过变压器磁芯的磁力线其方向和大小随之变化,使得磁芯内部分子相互摩擦,放出热能,从而损耗了一部分电能,这便是磁滞损耗。

二是涡流损耗,当变压器工作时。磁芯中有磁力线穿过,在与磁力线垂直的平面上就会产生感应电流,由于此电流自成闭合回路形成环流,且成旋涡状,故称为涡流。涡流的存在使磁芯发热,消耗能量,这种损耗称为涡流损耗。

三是剩余损耗,在磁芯磁化或反磁化的过程中,磁化状态并不是随磁化强度变化而立即变化,有个滞后时间,滞后效应便是引起剩余损耗的原因。

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2010-08-02 10:17

变压器漏感和分布电容在绕线结构上第3帖说得很好!

至于温升其实设计时的计算温升只能做一个参考,影响温升的参数较多,比如不同厂家,不同电路模式磁芯损耗都不一样,甚至连磁芯的组装也会影响到温升,比如PQ变压器只磨中柱的变压器温升会比两边垫气息的温升高,铜损的计算会稍准一些,但电流计算不准也会做成铜损计算不准!

理论设计始终与实际测试有出入,只是经验丰富的计算出来的变压器误差小一些,大多数还是要稍作调整!

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bode
LV.9
7
2010-08-02 11:09
@心中有冰
兄弟第一帖就给我出个大难题呀,呵呵升压的做过,但经验不多,说说个人的理解,不一定对,权作参考与讨论之用。升压变压器的难点,楼上已经指出来了,因为绕组的圈数太多,漏感与分布电容很难两全其美;这个时候我觉得应该从以下几个方面着手:1、在选择变压器的时候,如果结构尺寸允许的话,我们尽量选择高长型(立式)或窄长(卧式)型的,因为这种变压器单层绕线圈数多,可以有效降低绕线的层数,增加初次级的耦合,减小层间电容。2、优化绕线顺序,使初次级能增减耦合面积;曾经用过这种绕法:1/3次级--1/2初级--1/3次级--1/2初级--1/3次级,结果表明此种绕法漏感可以小很多。当然这种变压器绕制工艺稍显复杂,成本稍高,但还是可以接受。3、层间电容大家都知道,每层之间加黄胶带,便可减少层间电容。当然这些措施都是在考虑安规与EMC的情况下,做出的改进;对于升压电源,漏感与层间电容如果处理不好很容易引起振荡,使电源的EMC不好过,效率不高,有时会莫名其妙的炸MOS管(我实际碰到过的情况)。

关于第一条:

增加初次级的耦合,可以减小变压器的漏感,但会增加初次级间的分布电容。

老兄最后一句话,太对了。

升压变压器,最难搞得就是漏感和分布电容不好处理,很容易震荡。

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wdh1986
LV.4
8
2010-08-02 14:11
@sixbrother
变压器漏感和分布电容在绕线结构上第3帖说得很好!至于温升其实设计时的计算温升只能做一个参考,影响温升的参数较多,比如不同厂家,不同电路模式磁芯损耗都不一样,甚至连磁芯的组装也会影响到温升,比如PQ变压器只磨中柱的变压器温升会比两边垫气息的温升高,铜损的计算会稍准一些,但电流计算不准也会做成铜损计算不准!理论设计始终与实际测试有出入,只是经验丰富的计算出来的变压器误差小一些,大多数还是要稍作调整!
  各位大師說的都很精彩,小弟在此頂起再說!~!~!~!~!~!~
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wdh1986
LV.4
9
2010-08-03 08:13
@wdh1986
[图片] 各位大師說的都很精彩,小弟在此頂起再說!~!~!~!~!~!~

樓主繼續哇,我把茶泡起,就等著聽呢!~!~!!~

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2010-08-03 09:12
@sixbrother
变压器漏感和分布电容在绕线结构上第3帖说得很好!至于温升其实设计时的计算温升只能做一个参考,影响温升的参数较多,比如不同厂家,不同电路模式磁芯损耗都不一样,甚至连磁芯的组装也会影响到温升,比如PQ变压器只磨中柱的变压器温升会比两边垫气息的温升高,铜损的计算会稍准一些,但电流计算不准也会做成铜损计算不准!理论设计始终与实际测试有出入,只是经验丰富的计算出来的变压器误差小一些,大多数还是要稍作调整!

赞同6楼的说法,磁性元件的设计中存在太多的不确定因素,比如同样的绕制工艺要求,不同厂家做出来的会有小小的差异,还有磁芯材质的差异,因为不是每个工厂都用得起TDK的磁芯,所以,我认为设计是需要丰富的经验加上实际的调试来确定最终参数。

我一般都是线大概计算下参数,然后在实际中调试,最终确定的参数主要是看调试的效果。

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2010-08-03 09:13
@wdh1986
樓主繼續哇,我把茶泡起,就等著聽呢!~!~!!~[图片]

昨天出差,回来很晚了,今天继续

 

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roc19850
LV.5
12
2010-08-03 10:54
@心中有冰
赞同6楼的说法,磁性元件的设计中存在太多的不确定因素,比如同样的绕制工艺要求,不同厂家做出来的会有小小的差异,还有磁芯材质的差异,因为不是每个工厂都用得起TDK的磁芯,所以,我认为设计是需要丰富的经验加上实际的调试来确定最终参数。我一般都是线大概计算下参数,然后在实际中调试,最终确定的参数主要是看调试的效果。

我是新手,我提几个菜鸟问题!请教了。

1.变压器绕法有几种啊?哪种相对好?譬如漏感和耦合方面

2.变压器一般温度小于85度最好吗?高几度会怎么样?

3.功率多大选择多大的磁芯,是根据什么?还是靠经验来选择的?

谢谢!

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wdh1986
LV.4
13
2010-08-03 13:38
@roc19850
我是新手,我提几个菜鸟问题!请教了。1.变压器绕法有几种啊?哪种相对好?譬如漏感和耦合方面2.变压器一般温度小于85度最好吗?高几度会怎么样?3.功率多大选择多大的磁芯,是根据什么?还是靠经验来选择的?谢谢!

關注中,我這菜鳥也想知道........

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2010-08-03 14:20
@心中有冰
赞同6楼的说法,磁性元件的设计中存在太多的不确定因素,比如同样的绕制工艺要求,不同厂家做出来的会有小小的差异,还有磁芯材质的差异,因为不是每个工厂都用得起TDK的磁芯,所以,我认为设计是需要丰富的经验加上实际的调试来确定最终参数。我一般都是线大概计算下参数,然后在实际中调试,最终确定的参数主要是看调试的效果。
很感谢你的解说,我一直存在一个疑问,在一个比如5W的成熟的电源中原来用的是PC40,如果改为PC50的话会有哪些影响?
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2010-08-03 14:56
@心中有冰
我们知道变压器的损耗分为铁损与铜损,先来说说铁损吧。变压器的铁损包括三个方面:一是磁滞损耗,当交流电流通过变压器时,通过变压器磁芯的磁力线其方向和大小随之变化,使得磁芯内部分子相互摩擦,放出热能,从而损耗了一部分电能,这便是磁滞损耗。二是涡流损耗,当变压器工作时。磁芯中有磁力线穿过,在与磁力线垂直的平面上就会产生感应电流,由于此电流自成闭合回路形成环流,且成旋涡状,故称为涡流。涡流的存在使磁芯发热,消耗能量,这种损耗称为涡流损耗。三是剩余损耗,在磁芯磁化或反磁化的过程中,磁化状态并不是随磁化强度变化而立即变化,有个滞后时间,滞后效应便是引起剩余损耗的原因。

从铁损包含的三个个方面的定义上看,只要控制磁力线的大小便可降低磁滞损耗,减少磁芯与磁力线垂直的面积可以减少涡流损耗。

赵老师在《开关电源中磁性元器件》一书中指出:

 

由上面的话可以看出,在磁芯材质与形状,体积等都确定的情况下,变压器的铁损与变压器的工作频率以及磁感应强度摆幅deltB成正比。

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2010-08-03 15:34
@roc19850
我是新手,我提几个菜鸟问题!请教了。1.变压器绕法有几种啊?哪种相对好?譬如漏感和耦合方面2.变压器一般温度小于85度最好吗?高几度会怎么样?3.功率多大选择多大的磁芯,是根据什么?还是靠经验来选择的?谢谢!

1、变压器的绕法有无数种,那种相对较好也无法回答,因为变压器结构,电路拓扑不同,所采用的绕法也会不相同,漏感与耦合方面的请参照第3贴

2、磁芯的最佳工作温度为80-110度,你可以根据结构与散热条件来等因素来设定磁芯的温度,不过实际的工作稳定往往不是某几个因素能决定的,需要综合考虑,具体可见第6楼sixbrother的论述。

3。关于选择磁芯,可以根据AP法来计算。当然还有许多因素共同决定的,比如结构尺寸,散热条件,电路拓扑,成本,温升要求,效率,输出电压的路数,输入输出电压电流的大小……

总之这些不是一句话能说清楚的,选择合适的磁芯,需要丰富的理论与实际工程经验

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2010-08-03 15:36
@mzwr963852741
很感谢你的解说,我一直存在一个疑问,在一个比如5W的成熟的电源中原来用的是PC40,如果改为PC50的话会有哪些影响?

最直接的回答应该是:温升低了,成本高了

建议还是仔细看看这两种磁芯的特性差异,然后思考我上面说的话,你会发现有不少的收获。

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2010-08-03 16:06
@心中有冰
从铁损包含的三个个方面的定义上看,只要控制磁力线的大小便可降低磁滞损耗,减少磁芯与磁力线垂直的面积可以减少涡流损耗。赵老师在《开关电源中磁性元器件》一书中指出:[图片] 由上面的话可以看出,在磁芯材质与形状,体积等都确定的情况下,变压器的铁损与变压器的工作频率以及磁感应强度摆幅deltB成正比。

磁滞在低场下可以不予考虑,涡流在低频下也可忽略,剩下的就是剩余损耗。在磁感应强度较高或工作频率较高时,各种损耗互相影响难于分开。故在涉及磁损耗大小时,应注明工作频率f以及对应的Bm值。但在低频弱场下,可用三者的代数和表示:tanδm= tanδh+tanδf+tanδr。式中tanδh  tanδf  tanδr分别为:磁滞损耗角正切,涡流损耗角正切,剩余损耗角正切。各种损耗随频率的变化关系如图。

 
 
    由图可见,剩余损耗和B的大小无关,但随频率增大而增大。而磁滞损耗随B的增加增大,涡流损耗则和频率成线性变化。了解了这些就可知:在正激和桥式电源中,磁芯损耗着重考虑涡流损耗。在反激变压器和储能电感中,既要考虑涡流损耗又要考虑磁滞损耗,尤其是DCM方式工作的电源,磁滞损耗是第一位的。所以可以确定,做电源时第一点就是根据电源的工作频率选取相应的磁芯材料。

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2010-08-04 09:35
@心中有冰
磁滞在低场下可以不予考虑,涡流在低频下也可忽略,剩下的就是剩余损耗。在磁感应强度较高或工作频率较高时,各种损耗互相影响难于分开。故在涉及磁损耗大小时,应注明工作频率f以及对应的Bm值。但在低频弱场下,可用三者的代数和表示:tanδm=tanδh+tanδf+tanδr。式中tanδh tanδf tanδr分别为:磁滞损耗角正切,涡流损耗角正切,剩余损耗角正切。各种损耗随频率的变化关系如图。[图片]     由图可见,剩余损耗和B的大小无关,但随频率增大而增大。而磁滞损耗随B的增加增大,涡流损耗则和频率成线性变化。了解了这些就可知:在正激和桥式电源中,磁芯损耗着重考虑涡流损耗。在反激变压器和储能电感中,既要考虑涡流损耗又要考虑磁滞损耗,尤其是DCM方式工作的电源,磁滞损耗是第一位的。所以可以确定,做电源时第一点就是根据电源的工作频率选取相应的磁芯材料。

贴一篇理论分析比较全面的文章,大家可以看看

磁芯损耗 

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2010-08-05 13:12
@心中有冰
我们知道变压器的损耗分为铁损与铜损,先来说说铁损吧。变压器的铁损包括三个方面:一是磁滞损耗,当交流电流通过变压器时,通过变压器磁芯的磁力线其方向和大小随之变化,使得磁芯内部分子相互摩擦,放出热能,从而损耗了一部分电能,这便是磁滞损耗。二是涡流损耗,当变压器工作时。磁芯中有磁力线穿过,在与磁力线垂直的平面上就会产生感应电流,由于此电流自成闭合回路形成环流,且成旋涡状,故称为涡流。涡流的存在使磁芯发热,消耗能量,这种损耗称为涡流损耗。三是剩余损耗,在磁芯磁化或反磁化的过程中,磁化状态并不是随磁化强度变化而立即变化,有个滞后时间,滞后效应便是引起剩余损耗的原因。

下面我们开始来讨论下变压器的铜损。

变压器的铜损即变压器绕组的损耗,包含直流损耗与交流损耗。

直流损耗主要是因为绕变压器的铜漆包线,对通过它的电流有一定的阻抗(Rdc)而引起的损耗。此电流指的是各个绕组电流波形的有效值。直流损耗跟电流大小的平方成正比。

相对来说,交流损耗就复杂得多,包含绕组的趋肤效应,临近效应引起的损耗,同样还包括各次谐波引起的损耗。

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2010-08-05 13:43
@心中有冰
下面我们开始来讨论下变压器的铜损。变压器的铜损即变压器绕组的损耗,包含直流损耗与交流损耗。直流损耗主要是因为绕变压器的铜漆包线,对通过它的电流有一定的阻抗(Rdc)而引起的损耗。此电流指的是各个绕组电流波形的有效值。直流损耗跟电流大小的平方成正比。相对来说,交流损耗就复杂得多,包含绕组的趋肤效应,临近效应引起的损耗,同样还包括各次谐波引起的损耗。

先说直流阻抗,形成原因上面说了。下面我们来分析怎样减少直流损耗

首先,给出直流损耗计算公式:Pdc=(Irms)^2*Rdc

由上面的公式可见,对于电流有效值一定的情况下,只要降低绕组的直流等效电阻就可以降低绕组的直流损耗。

我们知道绕组的电阻与材质,长度,截面积甚至温度(关系很小)等有关,那么我们就可以采用如下方法来降低绕组的直流损耗:

1、采用电阻率小的导体来绕制变压器,一般采用铜漆包线,尽量不用铜包铝漆包线或铝漆包线

2、在变压器窗口面积允许的情况下,尽量用大一点的等效截面积的漆包线(单根线不要超出穿透深度,后面会分析)

3、适当减少绕组的匝数(会增加铁损),慎用

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320bapi
LV.3
22
2010-08-07 15:03
@心中有冰
最直接的回答应该是:温升低了,成本高了[图片]建议还是仔细看看这两种磁芯的特性差异,然后思考我上面说的话,你会发现有不少的收获。

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lionxiao7
LV.1
23
2010-08-08 17:08
@心中有冰
1、变压器的绕法有无数种,那种相对较好也无法回答,因为变压器结构,电路拓扑不同,所采用的绕法也会不相同,漏感与耦合方面的请参照第3贴2、磁芯的最佳工作温度为80-110度,你可以根据结构与散热条件来等因素来设定磁芯的温度,不过实际的工作稳定往往不是某几个因素能决定的,需要综合考虑,具体可见第6楼sixbrother的论述。3。关于选择磁芯,可以根据AP法来计算。当然还有许多因素共同决定的,比如结构尺寸,散热条件,电路拓扑,成本,温升要求,效率,输出电压的路数,输入输出电压电流的大小……总之这些不是一句话能说清楚的,选择合适的磁芯,需要丰富的理论与实际工程经验

前辈你好:

3。关于选择磁芯,可以根据AP法来计算。在功率小的时候,我用AP法来选磁芯还没遇到问题,可当功率稍大些,比如10几个KW时,发现用AP法算下来的值很夸张,一般会需要好几个磁芯并在一起,窗口面积也显得太小了(主要是电流大绕线粗的缘故),能否给点建议。

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2010-08-08 20:43
@lionxiao7
前辈你好:3。关于选择磁芯,可以根据AP法来计算。在功率小的时候,我用AP法来选磁芯还没遇到问题,可当功率稍大些,比如10几个KW时,发现用AP法算下来的值很夸张,一般会需要好几个磁芯并在一起,窗口面积也显得太小了(主要是电流大绕线粗的缘故),能否给点建议。

10几个KW的功率我还真没有做过,没有相关经验,谈一下个人看法,供参考。

大功率的电源一般频率跑得比较低,deltB也选得很低,各种分布参数对电源的影响非常大,一般比较难精确计算损耗值,所以很多人都是凭经验选取磁芯。

你说的磁芯并联,可能是为了发热平衡的设计

再说大功率的成本压力非常小,一般都是把余量放得很足,有利于电源长期稳定的工作

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bode
LV.9
25
2010-08-08 20:50
@心中有冰
最直接的回答应该是:温升低了,成本高了[图片]建议还是仔细看看这两种磁芯的特性差异,然后思考我上面说的话,你会发现有不少的收获。
冰斑竹能在帖子的最后,讲解下变压器绕制方面的工艺要求,就更完美了。
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2010-08-08 21:01
@bode
冰斑竹能在帖子的最后,讲解下变压器绕制方面的工艺要求,就更完美了。

不急,这个帖子会继续下去的

等把变压器的损耗分析完了,就开始讲变压器的绕指方法与工艺

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bode
LV.9
27
2010-08-08 22:58
@心中有冰
不急,这个帖子会继续下去的等把变压器的损耗分析完了,就开始讲变压器的绕指方法与工艺
临睡前,再顶冰斑竹一次,期待明天冰斑竹,有更精彩的发言。
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林建良
LV.7
28
2010-08-09 02:49

冰班竹說的非常正確,對於初學者,我給幾個建議:

1.由於鐵損涉及價格,若保持競爭力情況下,我都只考慮磁滯損耗,且故意操作在距離飽和前500高斯,以免浪費.例如PC40號稱常溫4000高斯飽和,但查表在100度C下,只剩3200高斯,故我設計在2500~2800不敢再高了.萬一飽和會炸機.如此就只剩查表的工作,也就是這變壓器的鐵損會因為您設計的(磁通)(頻率)(重量)就得到損失多少鐵損.

2. 銅損部份因為EMI與電解電容ESR特性,一般頻率操作在65KHz,所以只要線徑小於0.6mm,則集膚效應所影響不大,因為高頻會跑表層,若線太粗則中心形同無效.若120KHz則分細線至少0.4mm以下. 如此的話就可以簡單的計算I平方R就好,溫度方面以安規ClassB標準,在常溫下變壓器85度C,那麼50度C操作環境就到頂端110度C,再加10度C的溫度線誤差時,120度C是安規可接受頂線,還有另一點是電解電容只耐105度C,變壓器太燙的話,電容也會烤乾的.

3. 功率建議以Ae值評估,原因是必須在不飽和與價格上取平衡點,選大了貴,選小了要不圈數多時銅線燙,要不圈數少時GAP大卻造成漏感大以及Core和MOSFET燙. 比如

3~5W選EE13, Ae約0.18

5~12W選EE16~EE19, Ae約0.2~0.24

10~20W選EF20~EF25,Ae約0.33~0.51

25~40W選EF25~ER28或RM8~RM10, Ae約0.51~0.78

40~60W選RM10 PQ2625 或ER35  EI40或者POT30, Ae約0.9~1.5

60~120W選 POT33~EE4215,Ae約 1.5~2.1

 以上是FLYBACK 架構,若是Forward其變壓器只負責傳送,實際儲能在後級電感,其功率越高鐵芯越大,但選太大, 老闆的頭會大.

4. 繞法跟效率與EMI關係密切,當然漏感越小效率越高,問題是哪兒高,是AC90V滿載高嗎?還是AC264V 25%載效率高,答案是全部都有.  至於AC90V滿載則是輸出線徑粗時效率高,原因只是歐姆定律,而AC264V 25% load效率則在於Lp感量高才能將Duty拉開,而IC降頻也有推波助瀾效果.  可是漏感越好,如同原边的老公跟次边的老婆親密度類似,當然越多人夾越多層,最好都別穿衣服(沒有隔離銅箔檔著),那麼漏感肯定降到3%以下.只是若沒有隔離銅箔檔著,那麼原边的Noise跑到次边上傳出去發射在空中就是很悽慘的EMI. 我以往會做三明治夾法(2原1次),而次边兩旁2個隔離銅箔檔著,徹底將Noise檔著犧牲效率,只要繞線平整就好,後來為了Energy star 2.0的四點平均效率提升,只好善用IC的抖頻而隔離同箔只留裡面一層.

5. 主變壓器一般使用B=V x T x 10^8 / Ae Np計算是因為MOSFET將Bulk CAP電壓通到變壓器,所以電壓固定值, Ton時間決定B. 但是PFC Choke與 Forward的輸出儲能Choke都是串聯在電路上,須要用 I x R來取代 V x T才不容易算錯

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2010-08-09 09:32
@林建良
冰班竹說的非常正確,對於初學者,我給幾個建議:1.由於鐵損涉及價格,若保持競爭力情況下,我都只考慮磁滯損耗,且故意操作在距離飽和前500高斯,以免浪費.例如PC40號稱常溫4000高斯飽和,但查表在100度C下,只剩3200高斯,故我設計在2500~2800不敢再高了.萬一飽和會炸機.如此就只剩查表的工作,也就是這變壓器的鐵損會因為您設計的(磁通)(頻率)(重量)就得到損失多少鐵損.2.銅損部份因為EMI與電解電容ESR特性,一般頻率操作在65KHz,所以只要線徑小於0.6mm,則集膚效應所影響不大,因為高頻會跑表層,若線太粗則中心形同無效.若120KHz則分細線至少0.4mm以下.如此的話就可以簡單的計算I平方R就好,溫度方面以安規ClassB標準,在常溫下變壓器85度C,那麼50度C操作環境就到頂端110度C,再加10度C的溫度線誤差時,120度C是安規可接受頂線,還有另一點是電解電容只耐105度C,變壓器太燙的話,電容也會烤乾的.3.功率建議以Ae值評估,原因是必須在不飽和與價格上取平衡點,選大了貴,選小了要不圈數多時銅線燙,要不圈數少時GAP大卻造成漏感大以及Core和MOSFET燙.比如3~5W選EE13,Ae約0.185~12W選EE16~EE19,Ae約0.2~0.2410~20W選EF20~EF25,Ae約0.33~0.5125~40W選EF25~ER28或RM8~RM10,Ae約0.51~0.7840~60W選RM10PQ2625或ER35 EI40或者POT30,Ae約0.9~1.560~120W選POT33~EE4215,Ae約1.5~2.1 以上是FLYBACK架構,若是Forward其變壓器只負責傳送,實際儲能在後級電感,其功率越高鐵芯越大,但選太大,老闆的頭會大.4.繞法跟效率與EMI關係密切,當然漏感越小效率越高,問題是哪兒高,是AC90V滿載高嗎?還是AC264V25%載效率高,答案是全部都有. 至於AC90V滿載則是輸出線徑粗時效率高,原因只是歐姆定律,而AC264V25%load效率則在於Lp感量高才能將Duty拉開,而IC降頻也有推波助瀾效果. 可是漏感越好,如同原边的老公跟次边的老婆親密度類似,當然越多人夾越多層,最好都別穿衣服(沒有隔離銅箔檔著),那麼漏感肯定降到3%以下.只是若沒有隔離銅箔檔著,那麼原边的Noise跑到次边上傳出去發射在空中就是很悽慘的EMI.我以往會做三明治夾法(2原1次),而次边兩旁2個隔離銅箔檔著,徹底將Noise檔著犧牲效率,只要繞線平整就好,後來為了Energystar2.0的四點平均效率提升,只好善用IC的抖頻而隔離同箔只留裡面一層.5.主變壓器一般使用B=VxTx10^8/AeNp計算是因為MOSFET將BulkCAP電壓通到變壓器,所以電壓固定值,Ton時間決定B.但是PFCChoke與Forward的輸出儲能Choke都是串聯在電路上,須要用IxR來取代VxT才不容易算錯
多谢林版主的精彩总结!的确是非常实用的经验之谈。
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2010-08-09 09:34
@心中有冰
下面我们开始来讨论下变压器的铜损。变压器的铜损即变压器绕组的损耗,包含直流损耗与交流损耗。直流损耗主要是因为绕变压器的铜漆包线,对通过它的电流有一定的阻抗(Rdc)而引起的损耗。此电流指的是各个绕组电流波形的有效值。直流损耗跟电流大小的平方成正比。相对来说,交流损耗就复杂得多,包含绕组的趋肤效应,临近效应引起的损耗,同样还包括各次谐波引起的损耗。
这段时间可能会比较忙,但是帖子会继续下去
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bode
LV.9
31
2010-08-09 09:41
@林建良
冰班竹說的非常正確,對於初學者,我給幾個建議:1.由於鐵損涉及價格,若保持競爭力情況下,我都只考慮磁滯損耗,且故意操作在距離飽和前500高斯,以免浪費.例如PC40號稱常溫4000高斯飽和,但查表在100度C下,只剩3200高斯,故我設計在2500~2800不敢再高了.萬一飽和會炸機.如此就只剩查表的工作,也就是這變壓器的鐵損會因為您設計的(磁通)(頻率)(重量)就得到損失多少鐵損.2.銅損部份因為EMI與電解電容ESR特性,一般頻率操作在65KHz,所以只要線徑小於0.6mm,則集膚效應所影響不大,因為高頻會跑表層,若線太粗則中心形同無效.若120KHz則分細線至少0.4mm以下.如此的話就可以簡單的計算I平方R就好,溫度方面以安規ClassB標準,在常溫下變壓器85度C,那麼50度C操作環境就到頂端110度C,再加10度C的溫度線誤差時,120度C是安規可接受頂線,還有另一點是電解電容只耐105度C,變壓器太燙的話,電容也會烤乾的.3.功率建議以Ae值評估,原因是必須在不飽和與價格上取平衡點,選大了貴,選小了要不圈數多時銅線燙,要不圈數少時GAP大卻造成漏感大以及Core和MOSFET燙.比如3~5W選EE13,Ae約0.185~12W選EE16~EE19,Ae約0.2~0.2410~20W選EF20~EF25,Ae約0.33~0.5125~40W選EF25~ER28或RM8~RM10,Ae約0.51~0.7840~60W選RM10PQ2625或ER35 EI40或者POT30,Ae約0.9~1.560~120W選POT33~EE4215,Ae約1.5~2.1 以上是FLYBACK架構,若是Forward其變壓器只負責傳送,實際儲能在後級電感,其功率越高鐵芯越大,但選太大,老闆的頭會大.4.繞法跟效率與EMI關係密切,當然漏感越小效率越高,問題是哪兒高,是AC90V滿載高嗎?還是AC264V25%載效率高,答案是全部都有. 至於AC90V滿載則是輸出線徑粗時效率高,原因只是歐姆定律,而AC264V25%load效率則在於Lp感量高才能將Duty拉開,而IC降頻也有推波助瀾效果. 可是漏感越好,如同原边的老公跟次边的老婆親密度類似,當然越多人夾越多層,最好都別穿衣服(沒有隔離銅箔檔著),那麼漏感肯定降到3%以下.只是若沒有隔離銅箔檔著,那麼原边的Noise跑到次边上傳出去發射在空中就是很悽慘的EMI.我以往會做三明治夾法(2原1次),而次边兩旁2個隔離銅箔檔著,徹底將Noise檔著犧牲效率,只要繞線平整就好,後來為了Energystar2.0的四點平均效率提升,只好善用IC的抖頻而隔離同箔只留裡面一層.5.主變壓器一般使用B=VxTx10^8/AeNp計算是因為MOSFET將BulkCAP電壓通到變壓器,所以電壓固定值,Ton時間決定B.但是PFCChoke與Forward的輸出儲能Choke都是串聯在電路上,須要用IxR來取代VxT才不容易算錯

林版主深入浅出形象生动的讲解,让人受益匪浅~

建议能有加分机制,就是对于 精彩发言,可以给加分。

虽然论坛积分是虚幻的,不过还是感觉等级越高越好啊,嘿嘿~

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