RT！
请问哪位高手有解决方案？
这么高的输出电压，有什么好的限压恒流方案吗
DW8520 具体资料在附件~~请查看，~
DW8520产品介绍
輸出電壓超過50V,在AC90V輸入情況下,Duty超過50%,若使用一般Buck架構容易造成異音
建議使用SMD802采Buck-Boost架構
我比较担心恒流精度的问题，毕竟输入和输出的电压范围都很大。
还有想问一下，这个电路怎么能做到隔离，宽电压36W，那么开关管要用到几个安培的？
如果我在前面加个升压稳压电路，再接SMD802的降压电路，这样恒流精度会高点吗，能达到多高的精度？
希望林版主指教指教一下，谢谢啦。
您誤會了
輸出50V以下適合用Buck; 輸出大於50V要犧牲效率(約2%)使用Buck-Boost
至於電流精度如下分析:一般講三部份 1. Line regulation : 可由初級輸入端或Duty取得參數可修正到1%,若沒修正一般會有7% 2.Themperature impact : DR電感改為ER25增加AE值,降低B working,會偏差到炸機 3.mass production consistency : 主影響為三項
(A) 電感值因為ER25控制GAP(2%)比DR Core(10%)好 (B) Current sensor電阻(1%) (C) CS PIN 一般公司+/-10%, 芯瑞SMD802只有+/-5%
若是將高壓引下1M ohm灌入CS PIN,可藉由Current sensor到CS PIN間電阻300 ohm調整Line影響
若是由VCC經270K ohm到LD PIN,接VR10K可調整因為電感造成的生產偏移量
以上說明太淺, 我9/18演講時會用簡報說明
補充說明:
輸出功率在50V 300mA有15W,使用ST的4A TO-220,不需散熱片
但是120V 300mA有36W,建議改增加散熱片方式,可用6A TO-220
隔離式做成FLYBACK方式,記得MOSFET上方要DRC SNUBBER,次級Diode也要SNUBBER
EMI radiation才好過, 36W選RM10, Ae值約0.6~1.0之間,若用RM8很勉強
而FLYBACK與Buck-Boost有雷同之處,同樣的因為須耦合到次級,效率約85%,無法破90%
根据负载数量的不同，输出电压在50V~120V内变化，那输出电流在输出电压50V和120V的情况下会相差多大呢，设计值是300mA。
随便一个反激IC就可以呀，供电不够宽，就在供电上加个串联型稳压电源就行了。
大哥的帖子都是繁体啊
总删同行的，而不删自己的，真垃圾！！
http://bbs.dianyuan.com/topic/587659
講过了,謝謝,我台灣來的
只刪不切主題的跟帖廣告, LD & WD我都沒刪,你要我刪什麼?你的攻擊人身文嗎?
wangruifei123請注意用詞,至少狂人寫的是疑問句不是罵人
輸入48V至500Vac,因為無電解電容,且啟動被ZD1限20V,待輔助繞組打出30V後完成
