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请教,驱动全桥,ir2110的HIN和LIN输入不是互补的可不可以(一个有一个没有)

从原理上来说,自举电容是在下管导通的时候才能充电的。但是如果我的LIN一直为低,HIN输入pwm波形,电路会不会工作。是不是正常可以允许的用法?

原理上来说好像电路不能工作,的实际上我就是这么用的,电路也工作了。我是用一个MOS全桥驱动电机,电机转了,但大部分时间会出现转一下就烧2110的现象(用了几次后出现的,刚开始不烧,或小功率电源也不烧)。不知道是不是这个原因引起的。请高手帮忙分析一下。

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st.you
LV.9
2
2010-08-05 10:35

做产品,不会只求能用而已吧??

 

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luckyfly
LV.2
3
2010-08-05 12:39
@st.you
做产品,不会只求能用而已吧?? 

当然不是,我是因为出现问题了,反思哪里出现了错误,想确认一下是不是这的问题。

其实开始确定方案的时候,我问过我的一位用过2110的同事,能不能这样用,他告诉我可以。后来板子已经做出来后,试过也能用,然后出了问题之后再去找他咨询才发现,当初他理解错我的意思了,他也从来没这么用过,也想不通这个自举电容究竟是怎么充上电的。所以我就来这咨询一下高手们,多谢。

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st.you
LV.9
4
2010-08-05 14:15
@luckyfly
当然不是,我是因为出现问题了,反思哪里出现了错误,想确认一下是不是这的问题。其实开始确定方案的时候,我问过我的一位用过2110的同事,能不能这样用,他告诉我可以。后来板子已经做出来后,试过也能用,然后出了问题之后再去找他咨询才发现,当初他理解错我的意思了,他也从来没这么用过,也想不通这个自举电容究竟是怎么充上电的。所以我就来这咨询一下高手们,多谢。
半桥结构,下管导通时候,高端驱动部分的自举电容就有对地的充电回路。
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水蜘蛛
LV.8
5
2010-08-05 14:54

2110是高/低端驱动,逻辑上;高/低端逻辑是自由的。可你这样用;会半桥短路,烧2110和FET都会发生。用示波器测一下波型就能发现了。

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junjunyu
LV.4
6
2010-08-05 16:07
@水蜘蛛
2110是高/低端驱动,逻辑上;高/低端逻辑是自由的。可你这样用;会半桥短路,烧2110和FET都会发生。用示波器测一下波型就能发现了。

顶一下,关注中,刚想做,也在考虑这个问题。

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水蜘蛛
LV.8
7
2010-08-05 21:19
@junjunyu
顶一下,关注中,刚想做,也在考虑这个问题。

选型时;没仔细看数据表的后果!

建议看看IRS2186

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luckyfly
LV.2
8
2010-08-06 22:10
@水蜘蛛
[图片]选型时;没仔细看数据表的后果!建议看看IRS2186

各位可能还是没理解 我的意思,我把电路图弄来了,大家看一下就明白了。

 

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水蜘蛛
LV.8
9
2010-08-06 22:16
@luckyfly
各位可能还是没理解 我的意思,我把电路图弄来了,大家看一下就明白了。[图片] 
高频不同
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luckyfly
LV.2
10
2010-08-06 22:17
@luckyfly
各位可能还是没理解 我的意思,我把电路图弄来了,大家看一下就明白了。[图片] 

输入的Lz和Rz是互锁的,Lz为1的时候Rz就为0,反之亦然。同PWM信号经过与门后与出两个2110的输入,分别对应1、4管和2、3管。举例来说,Lz为1的时候,1、4管跟随pwm不断的斩波,2、3管一直关断。

(电路中RCD吸收和负载两端吸收均未加上,15V地和5V地是隔离的,此图没体现出来)

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luckyfly
LV.2
11
2010-08-06 22:21
@st.you
半桥结构,下管导通时候,高端驱动部分的自举电容就有对地的充电回路。
st.you 请帮我看一下这图,在我这种输入方式下,自举电容怎么能充上电。多谢!
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bg4tfw
LV.4
12
2010-08-06 22:39

不互补可以,但是要考虑同时为高时拓扑结构是否支持,下管必须在自举电容电压降到正常工作值之前导通,以给电容充电。

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st.you
LV.9
13
2010-08-06 22:47
@luckyfly
st.you 请帮我看一下这图,在我这种输入方式下,自举电容怎么能充上电。多谢!

除非是交流的驱动,上下管互补导通,自举电容才能在下管导通时充上电,产生一个高端驱动部分的电源.

直流的话,需要外加一个独立的电源给高端驱动部分,才可以持续输出.

 

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luckyfly
LV.2
14
2010-08-06 23:14
@st.you
除非是交流的驱动,上下管互补导通,自举电容才能在下管导通时充上电,产生一个高端驱动部分的电源.直流的话,需要外加一个独立的电源给高端驱动部分,才可以持续输出. 
但是我现在的情况,给单独1、4管驱动信号,2、3不动,居然也可以持续输出啊。原理上解释不通,但实际却能用。我觉得这么用是不是自举电容也可以形成充电回路,只是现在还搞不清这条回路是怎么形成的。最关键的问题是这是不是条正确的回路,会不会造成错误的后果。
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luckyfly
LV.2
15
2010-08-06 23:18
@bg4tfw
不互补可以,但是要考虑同时为高时拓扑结构是否支持,下管必须在自举电容电压降到正常工作值之前导通,以给电容充电。
我这绝对没有同时为高的情况,前端是互锁的,并且从驱动信号来看,在上管斩波的时候,并没有让下管导通,它是一直关断的,但就是这种情况下,居然也可以保持上管连续不断的输出。想不通原理!
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st.you
LV.9
16
2010-08-06 23:43
@luckyfly
但是我现在的情况,给单独1、4管驱动信号,2、3不动,居然也可以持续输出啊。原理上解释不通,但实际却能用。我觉得这么用是不是自举电容也可以形成充电回路,只是现在还搞不清这条回路是怎么形成的。最关键的问题是这是不是条正确的回路,会不会造成错误的后果。

驱动信号是直流还是PWM信号?如果是PWM的话,是可以的

MOS的体内二极管提供马达的续流回路,这样自举电容就能充上电了.

只是,最好不要这么用,在每一个MOS上并联一个肖特基是一个不错的方法.

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luckyfly
LV.2
17
2010-08-07 08:20
@st.you
驱动信号是直流还是PWM信号?如果是PWM的话,是可以的MOS的体内二极管提供马达的续流回路,这样自举电容就能充上电了.只是,最好不要这么用,在每一个MOS上并联一个肖特基是一个不错的方法.

的确是PWM,多谢st.you,这下明白了,是不是下管的二极管续流的时候,将中间的悬浮地和地拉在一起,形成了自举电容两端的压差,所以就能充上电了。

最好不要这么用什么意思,我老烧2110和这个有关么?你说的肖特基是用来代替内部二极管的么,要用耐压多少的呢?

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st.you
LV.9
18
2010-08-07 09:56
@luckyfly
的确是PWM,多谢st.you,这下明白了,是不是下管的二极管续流的时候,将中间的悬浮地和地拉在一起,形成了自举电容两端的压差,所以就能充上电了。最好不要这么用什么意思,我老烧2110和这个有关么?你说的肖特基是用来代替内部二极管的么,要用耐压多少的呢?

最好不要用到MOS的体内二极管,就这个电压级别来说,直接找一个比供电电压高一些的肖特基,并联在MOS的DS之间就可以了。

至于2110损坏的问题,你参考一下相关资料吧,IR的网站上有。

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水蜘蛛
LV.8
19
2010-08-07 15:38
@luckyfly
输入的Lz和Rz是互锁的,Lz为1的时候Rz就为0,反之亦然。同PWM信号经过与门后与出两个2110的输入,分别对应1、4管和2、3管。举例来说,Lz为1的时候,1、4管跟随pwm不断的斩波,2、3管一直关断。(电路中RCD吸收和负载两端吸收均未加上,15V地和5V地是隔离的,此图没体现出来)

这不是互锁问题。

看看我的贴;http://bbs.dianyuan.com/topic/579603http://bbs.dianyuan.com/topic/584112

首先要明白“弥勒效应时间(开关时间)ton/off”关系,互补脉冲要设置合适的死区!或设置合适的λ值。

其次;流过每个FET的电流是断续的。傅立叶展开后可以发现,里面有非常丰富的高频分量。你需要为他们提供适当的流通道路。

再次;绝对要用PCB仔细做这类功率电路!除非你是绝顶高手;否则你就必死无疑!

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2015-01-03 15:32
@luckyfly
我这绝对没有同时为高的情况,前端是互锁的,并且从驱动信号来看,在上管斩波的时候,并没有让下管导通,它是一直关断的,但就是这种情况下,居然也可以保持上管连续不断的输出。想不通原理!
你好,我现在也在用IR2110做全桥驱动,遇到的问题和你一样,也想了好长时间,直到看到你的帖子,我感觉12贴说的挺有道理,是不是需要在程序上控制一下啊,不知你想通了没有,是否可以给我讲一下,大谢啦
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