记得十年前,LLC还只是停留在大学的实验室里面。今天,LLC已经作为一种优秀的拓扑被业界所广泛的接受和使用。不得不感慨技术发展的速度。也正说明了LLC是一种非常优秀的拓扑,才能在如此短的时间里得到大家的认可。虽然今天LLC已经被广泛的使用,但工作中发现很多工程师对LLC的原理和设计不是很了解。所以开个帖子跟大家一起讨论下LLC这个拓扑的原理和设计。
【原创】LLC的原理与设计
最早的软开关技术是采用有损缓冲电路来实现。从能量的角度来看,它是将开关损耗转移到缓冲电路中消耗掉,从而改善开关管的工作条件。这种方法对变换器的效率没有提高,甚至会使效率降低。目前所研究的软开关技术不再采用有损缓冲电路,这种技术真正减小了开关损耗,而不是损耗的转移,这就是谐振技术。而谐振变换器又分为全谐振变换器,准谐振变换器,零开关PWM变换器和零转换PWM变换器。全谐振变换器的谐振元件一直谐振工作,而准谐振变换器的谐振元件只参与能量变换的某一个阶段,不是全程参与。零开关PWM变换器是在准谐振的基础上加入一个辅助开关管,来控制谐振元件的谐振过程。零转换PWM变换器的辅助谐振电路只是在开关管开关时工作一段时间,其它时间则停止工作。
对于谐振电路而言,要使其呈现感性状态,必须使外加激励的频率高于谐振频率。因此对于LLC,其最小开关频率不能低于fR2. 从开关频率与谐振频率的关系来看,LLC的工作状态分为fs=fR1, fs>fR1,fR2
最近更新比较慢,我还是先回答这位朋友的问题吧。对于死区时间,是llc的一个重要参数。它跟励磁电流,MOSFET的输出电容和线路寄生电容有关。要使llc实现软开关,就要使得在死区时间内,励磁电流能抽走或者充满MOSFET的输出电容和线路上的寄生电容,才能使得LLC的mosfet的D-S两端电压能达到0v。但是如果死区时间太大的话,会使得半桥的电压利用率降低,使得原边电流增大,不利于提高效率。所以要选择合适的死区时间。不过由于LLC变压器的励磁电感比较小,励磁电流比较大,死区时间比较小。对于OCL,不知道你指的是什么。负载电流的平均值是由负载决定的,但有效值是随波形变化的。在开关频率高于谐振频率时,由于原边电流连续,副边电流相对比较平缓,有效值较低,效率相对会比较高点。
老兄你最好能画出时序图来解释。
实现软开关,[励磁电流能抽走或者充满MOSFET的输出电容和线路上的寄生电容]。死去时间内,变压器传递能量吗?这时候有没有负载折算过来的电流?在这里不起作用吗?