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+24.0V的Transformer在265V時高,

請教: +24.0V的Transformer在265V時有102 Deg.C比90V時高了8Deg.C, 這是為什么?
+24.0v/6.0A
FLYBACK
CORE:PQ3225, PC44
Lp:420
Np: 30
Vin: 390Vdc
急!!!
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2005-11-23 12:45
d
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LV.3
3
2005-11-23 14:34
yituo
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2005-11-23 18:36
因为高压输入占空比减小,有效值电流增加,所以铜损增加,
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2005-11-28 12:45
@troubleshooting
因为高压输入占空比减小,有效值电流增加,所以铜损增加,
可是,我將DUTY由0.22提高到0.35還是不行??
有其它的辦法嗎
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2005-11-28 18:34
@dianyuan8888
可是,我將DUTY由0.22提高到0.35還是不行??有其它的辦法嗎
你是怎样提高占空比的,减小次级匝数吗?
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2005-11-28 18:39
@dianyuan8888
可是,我將DUTY由0.22提高到0.35還是不行??有其它的辦法嗎
How do you increase the duty circle?
Do you decrease the secondary winding turns?

I think it should be better than before.
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stekyang
LV.2
8
2005-12-02 11:00
@dianyuan8888
可是,我將DUTY由0.22提高到0.35還是不行??有其它的辦法嗎
我怀疑是你的次级铜线截面积小了,或者是变压器的绕制方法有问题.
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2005-12-02 13:01
@troubleshooting
你是怎样提高占空比的,减小次级匝数吗?
提高Np
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2005-12-02 13:04
@dianyuan8888
提高Np
在原來的基礎上將
次級減少暸1T還是一樣﹐
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2005-12-02 13:04
@stekyang
我怀疑是你的次级铜线截面积小了,或者是变压器的绕制方法有问题.
能詳細點么
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stekyang
LV.2
12
2005-12-02 16:44
@dianyuan8888
能詳細點么
很简单,高输入电压的时候,次级导通时间加长,如果次级铜截面积太小的话,铜损会急剧增加,当然,层数太多的次级也会使邻近效应太强而造成导电效率太低.你可以试一下用次级包住初级的方法看看如何.无论如何,请尽量加大次级的导电效率或者减小次级铜损.
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stekyang
LV.2
13
2005-12-02 16:49
@dianyuan8888
能詳細點么
和匝比无关,原来的匝比29:5=5.8是最好的!don't change it! because you can use 600V mosfet and 100V schocty diode with this parameter!
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2005-12-03 10:10
@stekyang
很简单,高输入电压的时候,次级导通时间加长,如果次级铜截面积太小的话,铜损会急剧增加,当然,层数太多的次级也会使邻近效应太强而造成导电效率太低.你可以试一下用次级包住初级的方法看看如何.无论如何,请尽量加大次级的导电效率或者减小次级铜损.
首先謝謝你的指導

目前我的transformer是3明治繞法
次級是: 0.55*3 共2層---導電面積是足矣,
如果改成 1.0*2  1層, 這樣是否就增加了次級導電效率? why?
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2005-12-03 10:21
@stekyang
和匝比无关,原来的匝比29:5=5.8是最好的!don'tchangeit!becauseyoucanuse600Vmosfetand100Vschoctydiodewiththisparameter!
About the N=5.8
I had test and time after time, I think it's best.
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stekyang
LV.2
16
2005-12-06 17:53
@dianyuan8888
首先謝謝你的指導目前我的transformer是3明治繞法次級是:0.55*3共2層---導電面積是足矣,如果改成1.0*2  1層,這樣是否就增加了次級導電效率?why?
请使用多股绞线!不行的话改用扁铜带.后面的打法显然要好一些.截面积增加了1.5倍,层数又只有一层.应该好很多.原理你可以从电动力学原理上去了解.
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