如题,用的是单管并联谐振,放一个铁锅时会出现如下的波形,请问原因是什么.我想是因为谐振频率被改变,(图中应该是频率增加了),这种波形对系统有什么影响?如何改进?我想通过mcu计算出波谷的时刻，打开IGBT，如此可能减小开关损耗，也就是提前打开IGBT了，相当于提高开关频率,请问是否有意义？
还有就是我想问问，pwm的占空比对功率有什么影响，我通过测试市面上一款炉子发现每个功率档的频率并不完全一样(23~28kHz)，占空比大输出功率就大，我想知道这个占空比是如何计算出来的。小弟没经验谢谢
各位的帮助！！
图2 电磁振荡电路图
如图2为电磁振荡电路原理图，当220V的交流电经过硅桥（B1），再通过电容C1的滤波处理，转换成为直流电压信号。励磁线圈（炉盘）和电容C3为并联的，用以产生电磁振荡。
图3为电磁振荡过程中的各点的波形，这些信号都是在振荡过程中相当重要的，如果有一个信号出错，都会影响电磁振荡的正常进行，其中包括了参考电源信号V1，电压反馈信号V2，以及同步结果信号V5，控制功率的参考电压信号Vref，以及IGBT的驱动信号等。
t0－t1过程：IGBT为截止状态，L、C正在发生振荡。首先，在t0时刻，电路中的能量表现为电感L2的电流，接下来能量通过电感转向电容器，即以电流的形式向电压的形式转换，通过电容器C3与电感L2的并联回路给电容充电。当电容电压达到最大值的时候，如图3中的V2的峰值时刻，这时电容的电压能够达到1000V，电感的电流为0，接下来能量从电容C3转向电感。当V2电压低于比较的电压信号V1时，比较器1的输出发生一次翻转，此时电容C5迅速放电，使得V3的电压低于了功率参考电压Vref，由于比较器2的作用，强行使IGBT导通。
t1－t2过程：IGBT为导通状态，这个时间段内，电感L2的电流急剧增加，如图3所示，反馈电压V2接近0，比较器1的输出口V5也为低电平。在这个时候，电容C5开始充电，当这个电压（V3）高于功率参考电压Vref的时候，比较器2的输出口电压发生翻转，把IGBT的驱动电压强行拉低了，这就是一个IGBT导通的一个过程。
t0－t2的过程就是一个电磁振荡的过程，也是电磁振荡的一个周期，以后的过程与这段时间相同，如图3中，t2－t3过程与t0－t1过程完全相同，t3－t4过程与t1－t2过程完全相同。t0－t1的时间间隔取决于谐振线圈L2和谐振电容C3，所以这个电磁振荡的频率f主要取决于L2和C3。
图3 电磁振荡过程中的一些重要信号波形
电压V1、V2的选取在整个系统中相当重要，它关系到同步电路部分能否准确监测主回路的状态。在静态的时候，V2 要略高于V1，以保证比较器1的输出为高。但是如果V2过高，R14选取相对过大，在振荡的过程中，会出现电容C3的电压已降为0时不能及时驱动IGBT，使其导通，这样不能准确监测主回路的工作状态。同样如果R14与R12的匹配的值过小，会提前促使IGBT导通，这样一来由于反压过高，此时IGBT一旦导通，就会被损坏。
在反复的实验中，得到了如图4的数据，t1和t1’则并不是同一时刻，这是值得注意的，这也是相当重要的。一个振荡周期大概为40μs，如图4中所示，t1’要比t1滞后2个μs，这个滞后是允许的，但是这个时间不能太长。说明在反馈电压V2还没有降到0的时候，已经又有信号驱动IGBT，使其导通。首先这个时间是允许的，因为IGBT有一个栅极电压VGE，这个电压的具体值根据不同的器件而定的，大概为2V～5V，说明在t1’时刻IGBT不一定已经导通了。其次，这个时间不易过长，如果过长了，则会出现反馈电压V2还没有降到0，就再次驱动IGBT了，这个时候IGBT的集电极还有很高的电压，这样一来，IGBT很可能受到损坏。在实际的电路中，可以通过调节V1与V2的电压来控制t1与t1’之间的时间间隔，其中V1是一个参考电压，也就是一个基准电压，V2是反馈电压，通过使用比较器起到同步的作用。
图4 把驱动电压与反馈电压合成的效果图
