请问图中LM5020供电部分是如何工作的，红框部分。
规格书中VCCmax是15V，这里好像要远超15V的，（母线输入为9~42Vdc）
请帮忙解释一下，谢谢。
LM5020供电部分电路疑问
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@让你记得我的好
LMV431和Q1组成了一个线性稳压电源。稳压值在11V左右。你可以自己计算一下。LMV431的基准值应该是1.25V的。
这个电路更像是为提高低压端效率而设
1、当输入电压低于11V时，图中的Q1被导通，这时芯片的供电由红框中的电路供电，经R13的电路供电电流降低，当输入电压高时这个电路应该是断开的，而芯片的供电由R13及芯片内部产生，这种方式在国NS芯片做小功率的时比较多见。
2、不知道楼上大哥是怎么计算出来11V这个数值的，可不可以给出计算的方式，大家看一下，我想提醒楼上大哥的是，这个电路里，输入端是没有电阻的，所以我很难看出VCC被稳在11V（如果楼上大哥成立的话，好像管子也不对），请楼上大哥再看一下。
3、最一开始，我把他看成了一个输入过压保护电路，可是算了一下，又看了一下拓扑感觉也不对，分析更像是一条那样，可是我疑惑的是，如果为了在这么窄的范围提高效率用这种电路成本投入好像不太值，毕竟要用两个半导体，其中一个还是431。所以我很怀疑我的判断而是有的地方我还没注意到，就像楼上大哥所说就是一个辅助电源。
4、这个电路或多或少有点问题，首先是上电瞬间，Q1有被电流击穿的可能，楼主可以做几千次开关机试一下，高低端都试一下。第二个问题是，如果这个电路就是为了提高效率而设我判断没错，在高压端431被拉低（有可能低到1点几伏），而VCC由芯片提供了7.7V电压，那么Q1的Vbe反向电压就有可能到5V（有的管子是6V），从而击穿Q1。你自已查Q1参数。这两种损坏，到了生产时，是很难分清。
5、你所说的VCC电压，在你的电路里不用担心，如果我上面的分析成立，你的VCC不会高于11V，你的芯片在输入大于12V时，VCC应在7.7V左右。你可以量一下看一下。
对于楼主你量出你的高低端效率，去掉Q1在相同条件再测一次效率，看看低端效率。
还要在加有Q1时，在高端测一下VCC电压，如果电压大于8V以上，那就是我错了，如果是7.7V，那你调低输入到11V以下，看看VCC是不是约等于输入电压（低0.4左右）。如果是那我的判断就应该没错。
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@化雪
这个电路更像是为提高低压端效率而设1、当输入电压低于11V时，图中的Q1被导通，这时芯片的供电由红框中的电路供电，经R13的电路供电电流降低，当输入电压高时这个电路应该是断开的，而芯片的供电由R13及芯片内部产生，这种方式在国NS芯片做小功率的时比较多见。2、不知道楼上大哥是怎么计算出来11V这个数值的，可不可以给出计算的方式，大家看一下，我想提醒楼上大哥的是，这个电路里，输入端是没有电阻的，所以我很难看出VCC被稳在11V（如果楼上大哥成立的话，好像管子也不对），请楼上大哥再看一下。3、最一开始，我把他看成了一个输入过压保护电路，可是算了一下，又看了一下拓扑感觉也不对，分析更像是一条那样，可是我疑惑的是，如果为了在这么窄的范围提高效率用这种电路成本投入好像不太值，毕竟要用两个半导体，其中一个还是431。所以我很怀疑我的判断而是有的地方我还没注意到，就像楼上大哥所说就是一个辅助电源。4、这个电路或多或少有点问题，首先是上电瞬间，Q1有被电流击穿的可能，楼主可以做几千次开关机试一下，高低端都试一下。第二个问题是，如果这个电路就是为了提高效率而设我判断没错，在高压端431被拉低（有可能低到1点几伏），而VCC由芯片提供了7.7V电压，那么Q1的Vbe反向电压就有可能到5V（有的管子是6V），从而击穿Q1。你自已查Q1参数。这两种损坏，到了生产时，是很难分清。5、你所说的VCC电压，在你的电路里不用担心，如果我上面的分析成立，你的VCC不会高于11V，你的芯片在输入大于12V时，VCC应在7.7V左右。你可以量一下看一下。 对于楼主你量出你的高低端效率，去掉Q1在相同条件再测一次效率，看看低端效率。 还要在加有Q1时，在高端测一下VCC电压，如果电压大于8V以上，那就是我错了，如果是7.7V，那你调低输入到11V以下，看看VCC是不是约等于输入电压（低0.4左右）。如果是那我的判断就应该没错。
还有一种可能就是这个电路是为照顾低端起动，9V输入被认为是正常，那么欠压保护也得在8V左右了，这时经R13的电路可能对VCC已经不够用了，你看一下芯片资料的第二页，芯片内部是一下调整电源。这个电路用做这种功能可能性很大。而且看起来比用做辅助电源或提高效率来的要通顺很多，而且如果是用做这个功能，这个电路是必不可少的，但我上面的第四条依然成立，你依然要办法去解决。
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@dolameng
化雪老师的深入分析，小弟非常感激。如果在R10处并一10nF电容，能否避免反向击穿的意外。
1、这个不大行，最好的办法是在Q1的射级串一个二极管，但是会引起一些问题，那就是你在8V起动时会比较麻烦，这时Q1加串联二极管压降有1V，你就不能起动了，所以这个我也没太多办法。
2、我所说的两种损坏，第一个电流冲击应在Q1上串电阻解决，电阻不用取太大，有几十欧应该就可以，第二种Vbe反向电压损坏你得查管子型号，量你高端输入时管子的Vbe，这个要在实际中测了，如果实测不超6V（一般管子就是6V），那就没问题，超了，你就相办法吧，哈哈，低压输入的电源，很难弄的。
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@化雪
1、这个不大行，最好的办法是在Q1的射级串一个二极管，但是会引起一些问题，那就是你在8V起动时会比较麻烦，这时Q1加串联二极管压降有1V，你就不能起动了，所以这个我也没太多办法。2、我所说的两种损坏，第一个电流冲击应在Q1上串电阻解决，电阻不用取太大，有几十欧应该就可以，第二种Vbe反向电压损坏你得查管子型号，量你高端输入时管子的Vbe，这个要在实际中测了，如果实测不超6V（一般管子就是6V），那就没问题，超了，你就相办法吧，哈哈，低压输入的电源，很难弄的。
非常感谢化雪老师，全面和细致。
我的问题是：
1.“电流冲击应在Q1上串电阻”也是指在射极串么？可这样，假设VCC电流为100mA，20ohm的电阻将产生2V，这对VCC影响有点大。
2.我觉得如果BE反向击穿，是在上电瞬间431阴极瞬间对地的时候（会有这种可能么？），如果确实可能这样，那并在R上的电容，可保证开机时ref脚为低电位。
弱问一下，此处VCC稳压使用类似7812之类的芯片（耐压够的情况）会有不妥么？
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@dolameng
非常感谢化雪老师，全面和细致。我的问题是：1.“电流冲击应在Q1上串电阻”也是指在射极串么？可这样，假设VCC电流为100mA，20ohm的电阻将产生2V，这对VCC影响有点大。2.我觉得如果BE反向击穿，是在上电瞬间431阴极瞬间对地的时候（会有这种可能么？），如果确实可能这样，那并在R上的电容，可保证开机时ref脚为低电位。弱问一下，此处VCC稳压使用类似7812之类的芯片（耐压够的情况）会有不妥么？
1、一般电阻会串在集电极，也有串射级。一般这种电源要在变压器上出辅助绕组做辅助电源。依靠C13的回差提供起动能量。但是你的电源功率应该比较小，所以也没做变压器辅助电源。另个就是你的VCC应该耗不了这么大的电流，但是耗多大我不知道。这个串联的电阻就靠你实验去选。低压起动电源本身就是一个比较难做项目，你只能折中一下看看能选多大。
2、你可能忽略了一个问题，当你431基准端上电压高于1.4的时候，他阳极电压会降低，不同的431降低程度不同，所以当你高端输入时，基准上电压较高时，431的阳极电压可能会低到1V左右，是多少你实测一下，像我用2.5V的431会低到2V左右，你用的这个我没用过所以具体情况我不太了解。从这里看，你的Vbe反压是一个常态。解决这个问题就是我说串二极管，但一样会影响你起动。我帮不了你多少。
3、你说的加7812类东西去做是没有可能的，大部分的调整芯片（7812类）都要求有3V左右压差才能正常工作，如果你加这类芯片行的话，那你LM5020上自已内部东西就已经行了。另外确实有低压差的调整芯片但是价格比较高，而且用上去会不会过度发热是个未知数。
你这种低压电源很难做的地方就在这里，你可以考虑在变压器出个辅助电源试试（不知道能改善多少）。
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@化雪
1、一般电阻会串在集电极，也有串射级。一般这种电源要在变压器上出辅助绕组做辅助电源。依靠C13的回差提供起动能量。但是你的电源功率应该比较小，所以也没做变压器辅助电源。另个就是你的VCC应该耗不了这么大的电流，但是耗多大我不知道。这个串联的电阻就靠你实验去选。低压起动电源本身就是一个比较难做项目，你只能折中一下看看能选多大。2、你可能忽略了一个问题，当你431基准端上电压高于1.4的时候，他阳极电压会降低，不同的431降低程度不同，所以当你高端输入时，基准上电压较高时，431的阳极电压可能会低到1V左右，是多少你实测一下，像我用2.5V的431会低到2V左右，你用的这个我没用过所以具体情况我不太了解。从这里看，你的Vbe反压是一个常态。解决这个问题就是我说串二极管，但一样会影响你起动。我帮不了你多少。3、你说的加7812类东西去做是没有可能的，大部分的调整芯片（7812类）都要求有3V左右压差才能正常工作，如果你加这类芯片行的话，那你LM5020上自已内部东西就已经行了。另外确实有低压差的调整芯片但是价格比较高，而且用上去会不会过度发热是个未知数。 你这种低压电源很难做的地方就在这里，你可以考虑在变压器出个辅助电源试试（不知道能改善多少）。
小弟有不同意见，
关于第二点，VBE常态不应该是一个反压状态，431构成的稳压器，3904在其中应该是一个射随器，以提高带载，不该出现反压。如果VBE会有反压，也应该是在一种特殊情况下出现的。
不知这样理解有什么问题。
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@化雪
这个电路更像是为提高低压端效率而设1、当输入电压低于11V时，图中的Q1被导通，这时芯片的供电由红框中的电路供电，经R13的电路供电电流降低，当输入电压高时这个电路应该是断开的，而芯片的供电由R13及芯片内部产生，这种方式在国NS芯片做小功率的时比较多见。2、不知道楼上大哥是怎么计算出来11V这个数值的，可不可以给出计算的方式，大家看一下，我想提醒楼上大哥的是，这个电路里，输入端是没有电阻的，所以我很难看出VCC被稳在11V（如果楼上大哥成立的话，好像管子也不对），请楼上大哥再看一下。3、最一开始，我把他看成了一个输入过压保护电路，可是算了一下，又看了一下拓扑感觉也不对，分析更像是一条那样，可是我疑惑的是，如果为了在这么窄的范围提高效率用这种电路成本投入好像不太值，毕竟要用两个半导体，其中一个还是431。所以我很怀疑我的判断而是有的地方我还没注意到，就像楼上大哥所说就是一个辅助电源。4、这个电路或多或少有点问题，首先是上电瞬间，Q1有被电流击穿的可能，楼主可以做几千次开关机试一下，高低端都试一下。第二个问题是，如果这个电路就是为了提高效率而设我判断没错，在高压端431被拉低（有可能低到1点几伏），而VCC由芯片提供了7.7V电压，那么Q1的Vbe反向电压就有可能到5V（有的管子是6V），从而击穿Q1。你自已查Q1参数。这两种损坏，到了生产时，是很难分清。5、你所说的VCC电压，在你的电路里不用担心，如果我上面的分析成立，你的VCC不会高于11V，你的芯片在输入大于12V时，VCC应在7.7V左右。你可以量一下看一下。 对于楼主你量出你的高低端效率，去掉Q1在相同条件再测一次效率，看看低端效率。 还要在加有Q1时，在高端测一下VCC电压，如果电压大于8V以上，那就是我错了，如果是7.7V，那你调低输入到11V以下，看看VCC是不是约等于输入电压（低0.4左右）。如果是那我的判断就应该没错。
膜拜大佬，我想知道有什么型号的国产芯片可以替代这个LM5020?
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