MOSFET管代替IGBT后,MOS管发烫

空载损耗大约有20W，是否460的体二极管影响了效率，增加损耗了？？？可是我的频率才62K，人家150K的频率空载损耗都没那么大，请高手赐教

我用的IGBT是IRGP20B60PD，明显体二极管的反向恢复时间比460的小

我觉得是,空载的时候,初级电感是需要一个续流回路的,只有开关管的体内二极管可走,因为MOS的体内二极管的特性不好,会导致反向恢复损耗. 可以屏蔽掉试试.

我看别人的是IRF740的，工作频率150K,空载损耗都没那么大
另外，只要我一提高频率，我交流串的60W灯泡就大亮，明显是两管同时导通了

米勒效应，MOSFET上下管同时导通。

IR2011的耐压200V。如果AC220V供电，其不可用。

IR2011不行吗？我的是半桥啊，VS端电压才一半的电源电压，我用IGBT就能稳定工作

IR2011不行，上管导通，下管截止时，压差大于300V。

MOSFET与IGBT不同，MOSFET的导通阈值（VGS）低，约2V；IGBT的高，大于5V。所以空载时MOSFET有明显共通现象，而IGBT无明显共通现象。

那该如何改进呢？不知道以下方法能否改进？
1、增加死区时间
2、延缓开通速度，加快关断速度
3、在MOS外部并接反向二极管，加快恢复

我知道降低工作频率可以减少损耗，我的已经 很低了，不想再降，有什么好方法吗

米勒效应与死区时间无关，与关断速度无关，与MOS外部并接反向二极管无关，与开通速度有关。如果延缓开通速度，会缓解共通问题，但是开通损耗会明显增加。

正确的做法是，当MOS管关断时，VGS为负压。所以不能简单采用自举方式给IR2XXX浮地的一路供电，IR2XXX浮地和不浮地的两路驱动都必须独立供电，都必须加负压。

驱动 

驱动如图，以这驱动为基础，请问怎么改呢？现在发现提高频率后，两个MOS管会直通，查了下，发现460的体内二极管确实很差，如果我要提高功率使用MOS 管，因IGBT频率不能太高，那么加负压关断怎么搞？？

我加到90K就不行了，一开机就直通