• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

再谈谈三明治和普通绕法

我最近帮公司设计一款12V-2A电源，变压器用了普通和三明治绕法，之前看到论坛上各有各的说法，都不不知是真是假。还是自己亲自做做看：我的方案300V前兀型滤波10UF+10UF，2263 +2N60    整流10100 ，输出R型电感+磁环共模！

第一关：三明治绕法变压器70:12  反馈10T  结果：输入电压100——240V  输出满载12V-2A

工作效率（煲机1个小时后不计线材）：精密电子负载功率/精密AC电源功率  约为83.5%

输出纹波和开关毛刺小于150mV

第二关：普通绕法变压器70:12  反馈10T   实验过程同上，结果：效率约为81.3%

纹波和开关毛刺小于70mV

两款EMC都能通过，不过普通绕法EMC更好些！！看结果其中一些参数就不用多怀疑了，所以两种方法各具特点！没有那种好不好！更好的技术原与各师傅分享QQ:793966971

全部回复(48)
正序查看
倒序查看
yqjwy_2008
LV.8
2
2010-09-06 10:37

前段时间，我做了个12V1.5A的电源，，变压器绕法用的是普通绕法，，后面整流用的是SR5100，，MOS:4N60，效率低压100V时83.5%（线材末端），变压器用的是EF25

  不过变压器自己绕了两个，一个是NS:NP:NF，，另一个是NP-NS-NF，，后面的绕法高压时过流保护比低压的过流保护还要提前，，不成功，，还没想明白是什么原因、、、

0
回复
骏军
LV.7
3
2010-09-06 11:01

在不严格的场合，用普通的绕法好点，简单!

0
回复
chendelei
LV.8
4
2010-09-07 00:42
@骏军
在不严格的场合，用普通的绕法好点，简单!
**此帖已被管理员删除**
0
回复
dengjinlin
LV.1
5
2010-09-07 09:06
@yqjwy_2008
前段时间，我做了个12V1.5A的电源，，变压器绕法用的是普通绕法，，后面整流用的是SR5100，，MOS:4N60，效率低压100V时83.5%（线材末端），变压器用的是EF25 不过变压器自己绕了两个，一个是NS:NP:NF，，另一个是NP-NS-NF，，后面的绕法高压时过流保护比低压的过流保护还要提前，，不成功，，还没想明白是什么原因、、、
12V-1.5A没有必要用4N60，如果提前保护你的效率绝对没83.5%，还是你的变压器设计问题！
0
回复
cheng111
LV.11
6
2010-09-07 09:55
@chendelei
**此帖已被管理员删除**

变压器都是定制的，如果使用三明治更好...还是支持使用三明治...

三明治绕法减小变压器的漏感，也减小了变压器的耦合，所以EMI要好一些....个人观点

0
回复
微龍出湖
LV.8
7
2010-09-07 11:43
@cheng111
变压器都是定制的，如果使用三明治更好...还是支持使用三明治...三明治绕法减小变压器的漏感，也减小了变压器的耦合，所以EMI要好一些....个人观点
好帖。下午來看。做個記號。
0
回复
chendelei
LV.8
8
2010-09-07 12:19
@微龍出湖
好帖。下午來看。做個記號。
你怎么又说三明治加大漏感呢?你别悟导人了.
0
回复
holyfaith
LV.8
9
2010-09-07 14:55
@chendelei
[图片]你怎么又说三明治加大漏感呢?你别悟导人了.[图片]

漏感小，分布电容也小了

0
回复
让你记得我的好
LV.10
10
2010-09-07 15:06

嗯，这个结果与理论分析的结果相当的吻合。

普通绕法，漏感大，效率偏低，但是初、次级耦合电容小，EMC会好一点。

三明治绕法，漏感小，效率好些，但初、次级耦合电容大，EMC会差一点。

0
回复
cheng111
LV.11
11
2010-09-07 17:43
@chendelei
[图片]你怎么又说三明治加大漏感呢?你别悟导人了.[图片]
马上改了，笔误...
0
回复
chendelei
LV.8
12
2010-09-07 18:05
@让你记得我的好
嗯，这个结果与理论分析的结果相当的吻合。普通绕法，漏感大，效率偏低，但是初、次级耦合电容小，EMC会好一点。三明治绕法，漏感小，效率好些，但初、次级耦合电容大，EMC会差一点。
**此帖已被管理员删除**
0
回复
chendelei
LV.8
13
2010-09-07 18:16
@chendelei
**此帖已被管理员删除**

 

请问一下各位老师.IC的供电电压是设计在8.8以上还是14V以上呀?

0
回复
jyh1017
LV.4
14
2010-09-07 21:30
@chendelei
[图片] 请问一下各位老师.IC的供电电压是设计在8.8以上还是14V以上呀?
当然是14V了
0
回复
chendelei
LV.8
15
2010-09-07 23:55
@jyh1017
当然是14V了
那8.8V是????
0
回复
cheng111
LV.11
16
2010-09-08 11:50
@chendelei
那8.8V是????

至少9.8V以上就可以，只要在启动时候给高一点的电压就行。反馈电压可以设置在10V或者10V以上...

个人看法...从使用2843中学习的

0
回复
justin_w
LV.2
17
2010-09-08 12:28
@让你记得我的好
嗯，这个结果与理论分析的结果相当的吻合。普通绕法，漏感大，效率偏低，但是初、次级耦合电容小，EMC会好一点。三明治绕法，漏感小，效率好些，但初、次级耦合电容大，EMC会差一点。

这才是行家.

0
回复
chendelei
LV.8
18
2010-09-08 12:37
@cheng111
至少9.8V以上就可以，只要在启动时候给高一点的电压就行。反馈电压可以设置在10V或者10V以上...个人看法...从使用2843中学习的

你这样的IC介绍都可以这样选吗?会不会有其它影响?

0
回复
changtong
LV.7
19
2010-09-08 13:08
@cheng111
变压器都是定制的，如果使用三明治更好...还是支持使用三明治...三明治绕法减小变压器的漏感，也减小了变压器的耦合，所以EMI要好一些....个人观点

三明治的成本会略高

0
回复
changtong
LV.7
20
2010-09-08 13:09
@chendelei
那8.8V是????
8.8是欠压保护点
0
回复
cheng111
LV.11
21
2010-09-08 14:01
@chendelei
你这样的IC介绍都可以这样选吗?会不会有其它影响?

“你这样的IC介绍都可以这样选吗?”？？？？

如果为了安全起见，你可以选择15V，至少功耗大一点...自己做实验看看咯

0
回复
chendelei
LV.8
22
2010-09-08 18:07
@justin_w
这才是行家.

这也是行家??都UVLO是欠压保护.那8.8-15V之间呢??

0
回复
cheng111
LV.11
23
2010-09-08 18:10
@changtong
三明治的成本会略高

不过定制的话，应该是差不多了...

三明治的绕法是有一点麻烦。

0
回复
changtong
LV.7
24
2010-09-08 18:17
@cheng111
不过定制的话，应该是差不多了...三明治的绕法是有一点麻烦。

订制也要算人工成本的哦，三明治至少多一个流水线的工位噢

0
回复
cheng111
LV.11
25
2010-09-09 08:39
@changtong
订制也要算人工成本的哦，三明治至少多一个流水线的工位噢
恩
0
回复
yuyan
LV.9
26
2010-09-09 21:14
@chendelei
这也是行家??都UVLO是欠压保护.那8.8-15V之间呢??
学习
0
回复
heruogu
LV.3
27
2010-09-10 09:40
@yqjwy_2008
前段时间，我做了个12V1.5A的电源，，变压器绕法用的是普通绕法，，后面整流用的是SR5100，，MOS:4N60，效率低压100V时83.5%（线材末端），变压器用的是EF25 不过变压器自己绕了两个，一个是NS:NP:NF，，另一个是NP-NS-NF，，后面的绕法高压时过流保护比低压的过流保护还要提前，，不成功，，还没想明白是什么原因、、、

18W输出，全电压输入，你用EF25的变压器，是不是小了，变压器温升，会高的离谱吧（肯定大于60℃），效率肯定不高的。

高压过流提前的问题是，高压输入是工作在CCM模式，峰值电流比低压工作在DCM模式的电流大恨多（2倍以上）。

0
回复
chendelei
LV.8
28
2010-09-10 12:21
@heruogu
18W输出，全电压输入，你用EF25的变压器，是不是小了，变压器温升，会高的离谱吧（肯定大于60℃），效率肯定不高的。高压过流提前的问题是，高压输入是工作在CCM模式，峰值电流比低压工作在DCM模式的电流大恨多（2倍以上）。
EF25做18W开关频率70KHZ全电压输入也足够了.
0
回复
sarcophile
LV.6
29
2010-09-10 12:45
@让你记得我的好
嗯，这个结果与理论分析的结果相当的吻合。普通绕法，漏感大，效率偏低，但是初、次级耦合电容小，EMC会好一点。三明治绕法，漏感小，效率好些，但初、次级耦合电容大，EMC会差一点。

可是普通绕法漏感大，会导致更多的辐射，因为初级有更多的磁场能量泄露到空间中，这一点应该对EMC有负面影响，而且辐射比电容耦合的干扰更难解决

没实际测试过，不知道对不对，欢迎实际数据

0
回复
asd651986625
LV.2
30
2011-05-05 17:24

我用 相同的匝数  方法 

三明治绕法 测得：Np:796uH Ns:54uH 辅助：31uH

普通绕法     测得：Np:12mH Ns:854uH 辅助：462uH

相差怎么这么大的啊  现在都不敢上电了

0
回复
lijian_power
LV.5
31
2011-07-14 00:50
@heruogu
18W输出，全电压输入，你用EF25的变压器，是不是小了，变压器温升，会高的离谱吧（肯定大于60℃），效率肯定不高的。高压过流提前的问题是，高压输入是工作在CCM模式，峰值电流比低压工作在DCM模式的电流大恨多（2倍以上）。

老兄我做的12V 1,5A 就是用EF20  效率82.5% 你说EF25还不行？  EF25可以做25W了

高电压是在DCM 模式 呵呵说反了  峰值电流是比低电压要高

0
回复
工程师都在看
关于三极管和稳压管组成的稳压电路
24c01硬件电子
【 DigiKey DIY原创大赛】基于TouchGFX的无线手势音乐播放器之方案提交
lihui710884923
【 DigiKey DIY原创大赛】树莓派5的智能家居控制系统(三)控制自己的设备
沈夜
【 DigiKey DIY原创大赛】基于树莓派的 Modbus网关
pomin
立创EDA关于PCB中线宽和电流的关系；
程序小白
立
即
发
帖