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脉冲高压电源的实现方法,MOS管串联开关

    最近接触了一些使用脉冲电源的朋友,发现他们在需要方波输出的时候,使用全桥加变压器,次级直接输出方波。个人觉得这种方式存在很大的缺陷,比如初级的振荡会传到次级,使输出波形很差;调节输出占空比比较困难;当频率比较低时变压器更难设计,体积也会变得很大;对于短路的抵抗力也相当差。

使用高压开关可以完全解决以上问题。使用一个直流电源,加上一个开关,通过控制开关的导通与关断来实现脉冲输出。这种开关通过简单的电路,将MOS管或IGBT串联,通过低感且较小的布局,实现任意频率任意脉宽的开关,且寿命长,易维修。

开关由大量的MOSFETIGBT通过串联、并联,并通过紧凑、低感的布局组成的,体积小,性能好。自身包含驱动电路,是一个小体积的组件,具有极高的可靠性和优异的开关性能(包括低的导通阻抗,高的截止阻抗,纳秒量级的控制传输延时和百纳秒量级的开启和关断时间)。同时控制驱动电路和开关电路的全隔离,保证了开关即可以用于高端开关,也可以用于低端开关,还可以用于两个高压开关组成的推挽电路。开关的使用也是极其简单的,只要提供一个5V的供电和TTL的开关控制信号,开关即可以工作在固定的脉宽下,也可以工作在可变的脉宽下。所选用器件均为常用器件,成本低。高压开关可以通过系列化的生产,具有极宽的负载电压和电流范围。

这种开关可以完全代替变压器直接输出的方式,同时可以把各种触发管,如真空管、闸流管等完全代替。

同时控制驱动电路和开关电路的全隔离,保证了开关即可以用于高端开关,也可以用于低端开关,还可以用于两个高压开关组成的推挽电路。开关的使用也是极其简单的,只要提供一个5V的供电和TTL的开关控制信号,开关即可以工作在固定的脉宽下,也可以工作在可变的脉宽下。所选用器件均为常用器件,成本低。高压开关可以通过系列化的生产,具有极宽的负载电压和电流范围。

总体图如下所示: 

 

 

下面是正电源高端接开关

 

下面的是负电源高端接开关

 

下面是正电源双开关,可以实现很好的前后沿。典型应用为行波管阳极调制。

 

下面的是正负电源双开关,典型应用为雷达发射机栅极调制。

  

 

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2010-09-17 06:15

市场上现在我见到的mos最高耐压1500~1800V之间,若20KV的阳极电源,用n管串联,请教如何解决开关触发脉冲的同步以及各管的均压问题?

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2010-09-17 10:57
@angryheart
市场上现在我见到的mos最高耐压1500~1800V之间,若20KV的阳极电源,用n管串联,请教如何解决开关触发脉冲的同步以及各管的均压问题?

我们目前做的最高电压为60kV.对于同步问题,可以采用很多种驱动方式,如脉变及光耦等,因为原信号是一样的,所以同步没有问题。对于均压,可以对每只开关管并联一些均压器件,而电流比较小时基本不用加太多东西。这两点也算是这种开关的技术核心了。

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classtwo
LV.6
4
2010-09-21 08:44
@fyfandy520
我们目前做的最高电压为60kV.对于同步问题,可以采用很多种驱动方式,如脉变及光耦等,因为原信号是一样的,所以同步没有问题。对于均压,可以对每只开关管并联一些均压器件,而电流比较小时基本不用加太多东西。这两点也算是这种开关的技术核心了。

光耦是不可能用在这里的,没有耐压十几kv的光偶。用脉冲变压器隔离有可能会实现,但由于每个磁芯的导磁率不相同,会驱动导致脉冲前沿的不一致,所以实现起来也不容易。另外,如何处理微波管打火?还有,你画的栅控调制器的电路不是很正确。

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2010-09-23 09:37
@classtwo
光耦是不可能用在这里的,没有耐压十几kv的光偶。用脉冲变压器隔离有可能会实现,但由于每个磁芯的导磁率不相同,会驱动导致脉冲前沿的不一致,所以实现起来也不容易。另外,如何处理微波管打火?还有,你画的栅控调制器的电路不是很正确。

这里的光耦指的应该是光纤发送器吧。耐压没问题,但辅助源的问题怎么解决,可能还是变压器来的实在些

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classtwo
LV.6
6
2010-09-23 15:58
@angryheart
这里的光耦指的应该是光纤发送器吧。耐压没问题,但辅助源的问题怎么解决,可能还是变压器来的实在些
辅助电源是一个问题,另外,几十个光纤的体积也是个问题
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2010-09-25 22:29
@classtwo
辅助电源是一个问题,另外,几十个光纤的体积也是个问题
栅控原理没有问题,只是画的示意图,不是详细的,还要加下拉电阻,保证不开脉冲情况下在负偏电位。当输出电压不是很高的情况下用脉变完全可以实现,磁环就更不是问题了,导磁是有差别,但不会差别很大,通过一定方法可以使管子很快导通,导通致性很好。再说,串联管子不可能没有一点差别,要不还要动态均压做什么?如果输出功率很大电压又很高的话,要很多管子串,而且管子很大,那脉变就驱动不了了,就得用光耦。光纤都不是问题,大功率高电压,体积能小吗?光纤那点体积算什么?辅助电源就更不是问题了,用大于输出电压耐压值的高压线做初级就可以很容易实现。这些对于没有做出来的是个问题,但做出来了解决了就不是问题了。国内有个研究所做得就很好,我们虽然还没有达到那种级别,但所说的还是能够很容易做到的。还有他们写了一本书,特别好,大家可以看看的。
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classtwo
LV.6
8
2010-09-26 08:16
@fyfandy520
栅控原理没有问题,只是画的示意图,不是详细的,还要加下拉电阻,保证不开脉冲情况下在负偏电位。当输出电压不是很高的情况下用脉变完全可以实现,磁环就更不是问题了,导磁是有差别,但不会差别很大,通过一定方法可以使管子很快导通,导通致性很好。再说,串联管子不可能没有一点差别,要不还要动态均压做什么?如果输出功率很大电压又很高的话,要很多管子串,而且管子很大,那脉变就驱动不了了,就得用光耦。光纤都不是问题,大功率高电压,体积能小吗?光纤那点体积算什么?辅助电源就更不是问题了,用大于输出电压耐压值的高压线做初级就可以很容易实现。这些对于没有做出来的是个问题,但做出来了解决了就不是问题了。国内有个研究所做得就很好,我们虽然还没有达到那种级别,但所说的还是能够很容易做到的。还有他们写了一本书,特别好,大家可以看看的。

磁环导初始磁率的允许误差为±20%,如果用在着这里肯定要精挑细选。均压电阻只对直流有用,对脉冲是无效的。你所提到的研究所叫什么名字?

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2010-09-26 11:26
@classtwo
磁环导初始磁率的允许误差为±20%,如果用在着这里肯定要精挑细选。均压电阻只对直流有用,对脉冲是无效的。你所提到的研究所叫什么名字?

通过实验及产品结果,磁环对导通一致性基本上没什么太大的影响。均压我说的是动态均压,C、RC或RCD均压,根据不同的电流等因素选择这些参数。

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classtwo
LV.6
10
2010-09-26 15:02
@fyfandy520
通过实验及产品结果,磁环对导通一致性基本上没什么太大的影响。均压我说的是动态均压,C、RC或RCD均压,根据不同的电流等因素选择这些参数。

磁环在这里起信号隔离与传输并影响着冲信号的前沿,而脉冲驱动信号前沿的一致性对晶体管串联起着决定性的作用。当然可以通过调整后级放大电路来达到要求,但前提是磁环的一致性不能相差太大。

另外在脉冲电路中用电阻或电容作为均压元件都是不可取的。

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fyfandy520
LV.4
11
2010-09-26 17:26
@classtwo
磁环在这里起信号隔离与传输并影响着冲信号的前沿,而脉冲驱动信号前沿的一致性对晶体管串联起着决定性的作用。当然可以通过调整后级放大电路来达到要求,但前提是磁环的一致性不能相差太大。另外在脉冲电路中用电阻或电容作为均压元件都是不可取的。

电阻电容均压不可取在什么地方?原因是什么呢?那大家都是按照这种做法做出来的难道都错了?不加均压怎么串管?怎么实现脉冲高压呢?用触发管之类的?

加RC是会增加损耗,加大体积,但开关管导通不可能做到完全致,那么在开关开启时,有的开关慢,那么电压都会加到后开启的管子上,如果不加动态均压,开关管肯定损坏。加电容之后,可以使在这段时间差距内,保证电压不会超过开关管的耐压值。这样方式是必须的。可能有点孤陋寡闻了,不知道还有什么方式可以做到,请赐教!

德国BEHLKE公司在开关方面做得很好,很多都是受他们的启发做出来的。

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classtwo
LV.6
12
2010-09-26 20:11
@fyfandy520
电阻电容均压不可取在什么地方?原因是什么呢?那大家都是按照这种做法做出来的难道都错了?不加均压怎么串管?怎么实现脉冲高压呢?用触发管之类的?加RC是会增加损耗,加大体积,但开关管导通不可能做到完全致,那么在开关开启时,有的开关慢,那么电压都会加到后开启的管子上,如果不加动态均压,开关管肯定损坏。加电容之后,可以使在这段时间差距内,保证电压不会超过开关管的耐压值。这样方式是必须的。可能有点孤陋寡闻了,不知道还有什么方式可以做到,请赐教!德国BEHLKE公司在开关方面做得很好,很多都是受他们的启发做出来的。

在脉冲电路中如果并电容会对调制信号的上升沿产生不利的影响。

你说的德国公司是做的非常好,但应用领域不一样的。

最早做晶体管串联的是一家英国公司,他门专业生产脉冲调制器。

还有,这种技术涉及到很多敏感领域,如果还要继续讨论可以加我的QQ:1293390876

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subb
LV.2
13
2011-01-21 17:04
@classtwo
在脉冲电路中如果并电容会对调制信号的上升沿产生不利的影响。你说的德国公司是做的非常好,但应用领域不一样的。最早做晶体管串联的是一家英国公司,他门专业生产脉冲调制器。还有,这种技术涉及到很多敏感领域,如果还要继续讨论可以加我的QQ:1293390876
14所是最强的,你只是说说,人家产品一堆了
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classtwo
LV.6
14
2011-01-25 16:33
@subb
14所是最强的,你只是说说,人家产品一堆了

此言差矣,14所的第一台样机当初曾经是从我们这里买过去的。国内我们是第一家做这个产品的,也是做得最好的之一。

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2011-01-26 10:43

楼主加个朋友吗,我是专门从事脉冲调制器方面研究的。对于,60kV耐压,如何保证数百只mosfet开关管导通时间一致,实现动态静态均压,我没有这方面的经验,楼主有没有过具体的实验电路或是实验数据啊。不知道楼主是不是也是搞发射机的。

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classtwo
LV.6
16
2011-01-27 21:33
@kevin04021101
楼主加个朋友吗,我是专门从事脉冲调制器方面研究的。对于,60kV耐压,如何保证数百只mosfet开关管导通时间一致,实现动态静态均压,我没有这方面的经验,楼主有没有过具体的实验电路或是实验数据啊。不知道楼主是不是也是搞发射机的。

你这是阴控的吧!请问,你需要的最高重复频率是多少?最小脉宽是多少?

现在mosfet有耐压3kv的了,用25个串联就够了

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ccps
LV.7
17
2011-01-30 21:09
@classtwo
你这是阴控的吧!请问,你需要的最高重复频率是多少?最小脉宽是多少?现在mosfet有耐压3kv的了,用25个串联就够了
学习,严重标记
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ccps
LV.7
18
2011-01-30 21:10
@ccps
学习,严重标记
楼主出产品了?均压均流怎么解决?
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classtwo
LV.6
19
2011-01-31 10:16
@ccps
楼主出产品了?均压均流怎么解决?

产品出来有7年了,现在最高频率做到120khz,脉宽1.0微秒,调制电压20kv,隔离电压120kv。

串联不存在均流问题,均压措施之一是采用TVS管,当然还有其它措施、方法,这里原谅不能多说了,否则就要泄密了

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2011-02-08 19:36
@classtwo
在脉冲电路中如果并电容会对调制信号的上升沿产生不利的影响。你说的德国公司是做的非常好,但应用领域不一样的。最早做晶体管串联的是一家英国公司,他门专业生产脉冲调制器。还有,这种技术涉及到很多敏感领域,如果还要继续讨论可以加我的QQ:1293390876
同样求问,tvs串联均压方案我看过了,我看过魏智老师的书,书上说有C,R并联静态动态均压的,为什么您说不可取呢?求解 谢谢
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2011-02-08 19:38
@classtwo
你这是阴控的吧!请问,你需要的最高重复频率是多少?最小脉宽是多少?现在mosfet有耐压3kv的了,用25个串联就够了
重复频率在50kHz左右,最小脉宽1us,问题是我采用的是变压器升压,变压器分布参数对我的波形影响很大,导致脉宽大于1us,求解分布参数如何处理。
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angryheart
LV.4
22
2011-03-20 16:05
@classtwo
产品出来有7年了,现在最高频率做到120khz,脉宽1.0微秒,调制电压20kv,隔离电压120kv。串联不存在均流问题,均压措施之一是采用TVS管,当然还有其它措施、方法,这里原谅不能多说了,否则就要泄密了[图片]

哥们哪个单位的?

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fyfandy520
LV.4
23
2011-03-28 18:15

我的产品终于出来了,分三种系列,高压小电流,最高50kV;高压大电流,最高40kV,脉冲电流20A,占空比1%;高频系列,电流小,3kV/200kHZ,脉宽最小300ns,上升沿15ns(0%-100%),还有460kHZ/800V,损耗30W,这个是给一个弹载行波管做的栅级高制器,以前损耗70W,现在终于降下来了。

还有,这个东西其实也没什么要保密的,魏智老师的书上说得很详细了,大家都能看得懂,只是有很多东西还要我们自己去理解,去摸索。

相比以前,主要在驱动方式上做了很大的改进,不但大大降低了驱动所要的功率(100只1000V/8A的MOS管驱动的功率大约为6W),而且可以实现任意脉宽的开关。

还做了一个产品是正负15kV的环保用的脉冲电源,也是用这种方式做的,频率从10Hz~1kHz可调,脉宽2~5us,脉冲电流12A,完成模仿变压器输出的波形,因为以前是用开关变压器做的脉冲电源,失败了。现在已经成功交付使用了,真是不容易。

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caidong
LV.3
24
2013-09-23 22:43
@fyfandy520
我的产品终于出来了,分三种系列,高压小电流,最高50kV;高压大电流,最高40kV,脉冲电流20A,占空比1%;高频系列,电流小,3kV/200kHZ,脉宽最小300ns,上升沿15ns(0%-100%),还有460kHZ/800V,损耗30W,这个是给一个弹载行波管做的栅级高制器,以前损耗70W,现在终于降下来了。还有,这个东西其实也没什么要保密的,魏智老师的书上说得很详细了,大家都能看得懂,只是有很多东西还要我们自己去理解,去摸索。相比以前,主要在驱动方式上做了很大的改进,不但大大降低了驱动所要的功率(100只1000V/8A的MOS管驱动的功率大约为6W),而且可以实现任意脉宽的开关。还做了一个产品是正负15kV的环保用的脉冲电源,也是用这种方式做的,频率从10Hz~1kHz可调,脉宽2~5us,脉冲电流12A,完成模仿变压器输出的波形,因为以前是用开关变压器做的脉冲电源,失败了。现在已经成功交付使用了,真是不容易。

前后延能在50ns之内吗?



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yywang
LV.6
25
2013-09-27 16:10
@fyfandy520
我的产品终于出来了,分三种系列,高压小电流,最高50kV;高压大电流,最高40kV,脉冲电流20A,占空比1%;高频系列,电流小,3kV/200kHZ,脉宽最小300ns,上升沿15ns(0%-100%),还有460kHZ/800V,损耗30W,这个是给一个弹载行波管做的栅级高制器,以前损耗70W,现在终于降下来了。还有,这个东西其实也没什么要保密的,魏智老师的书上说得很详细了,大家都能看得懂,只是有很多东西还要我们自己去理解,去摸索。相比以前,主要在驱动方式上做了很大的改进,不但大大降低了驱动所要的功率(100只1000V/8A的MOS管驱动的功率大约为6W),而且可以实现任意脉宽的开关。还做了一个产品是正负15kV的环保用的脉冲电源,也是用这种方式做的,频率从10Hz~1kHz可调,脉宽2~5us,脉冲电流12A,完成模仿变压器输出的波形,因为以前是用开关变压器做的脉冲电源,失败了。现在已经成功交付使用了,真是不容易。

您用的是什么方法


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btma
LV.8
26
2013-09-27 23:44
@fyfandy520
我的产品终于出来了,分三种系列,高压小电流,最高50kV;高压大电流,最高40kV,脉冲电流20A,占空比1%;高频系列,电流小,3kV/200kHZ,脉宽最小300ns,上升沿15ns(0%-100%),还有460kHZ/800V,损耗30W,这个是给一个弹载行波管做的栅级高制器,以前损耗70W,现在终于降下来了。还有,这个东西其实也没什么要保密的,魏智老师的书上说得很详细了,大家都能看得懂,只是有很多东西还要我们自己去理解,去摸索。相比以前,主要在驱动方式上做了很大的改进,不但大大降低了驱动所要的功率(100只1000V/8A的MOS管驱动的功率大约为6W),而且可以实现任意脉宽的开关。还做了一个产品是正负15kV的环保用的脉冲电源,也是用这种方式做的,频率从10Hz~1kHz可调,脉宽2~5us,脉冲电流12A,完成模仿变压器输出的波形,因为以前是用开关变压器做的脉冲电源,失败了。现在已经成功交付使用了,真是不容易。
有魏智老师的书的链接吗?如何找到?
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classtwo
LV.6
27
2013-10-24 09:11
@fyfandy520
我的产品终于出来了,分三种系列,高压小电流,最高50kV;高压大电流,最高40kV,脉冲电流20A,占空比1%;高频系列,电流小,3kV/200kHZ,脉宽最小300ns,上升沿15ns(0%-100%),还有460kHZ/800V,损耗30W,这个是给一个弹载行波管做的栅级高制器,以前损耗70W,现在终于降下来了。还有,这个东西其实也没什么要保密的,魏智老师的书上说得很详细了,大家都能看得懂,只是有很多东西还要我们自己去理解,去摸索。相比以前,主要在驱动方式上做了很大的改进,不但大大降低了驱动所要的功率(100只1000V/8A的MOS管驱动的功率大约为6W),而且可以实现任意脉宽的开关。还做了一个产品是正负15kV的环保用的脉冲电源,也是用这种方式做的,频率从10Hz~1kHz可调,脉宽2~5us,脉冲电流12A,完成模仿变压器输出的波形,因为以前是用开关变压器做的脉冲电源,失败了。现在已经成功交付使用了,真是不容易。

你这个数据有点过了吧?例如 “3kV/200kHZ,脉宽最小300ns,上升沿15ns(0%-100%)

设负载电容200p(这个值已经很小了),电源损耗理论值分别为180W,脉冲电流为最小100A,你用的8A/1000V的MOS管,最大电流不会超过50A,而且高压MOS管据我所知的反向恢复时间最小150ns、导通时间最小50ns,怎麽会实现上述数据的?所以还请能解释清楚

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ruohan
LV.9
28
2022-09-13 08:58
@btma
有魏智老师的书的链接吗?如何找到?

魏智老师出得书名字叫什么名字,

能推荐一下吗

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