请教：MOS管的Ciss与Qg有何区别？

CISS=Cgs+Cgd

指的是mosfet的输入电容。

Qg只是在一个栅电容的充电电荷。关系的是一个MOSFET的充电损耗。

理论上来说，两者是越小越好啊。

Qg是一个mos管从关断状态到饱和导通状态，

驱动电路需要向G注入的电荷总数~

见下图，

QG是MOSFET的栅极的电容一部分，实际上的QG=QGS+QGD+QOD,其中QOD是miller电容充满后的过充电荷。

Qod是Qgs和Qgd的一部分吧.驱动电压过了miller点后,Vgs继续升高,这个时候仍然对Cgs和Cgd充电的啊,所以Qod并不能独立出来.

Qg=Qgs+Qgd

Qg=Ciss*Vgs

 

刚刚我仔细看看了看启动模型:我昨天回复的关系式不正确.

liuhou大大说的对.

Qod是单独存在的,Qod=Vds*Cds

Qg=Qgs+Qgd+Qod

Qg=Ciss*Vgs+Vds*Cds