无损吸收,阻挡反向恢复电流的。
是否是说在MOSFET导通期间,减少L8上端的电压和二极管右边的电压之间的压差(大电解的电压),尽可能的减少反向恢复电流?但是CR3下面的二极管和CR2还是有反向电流的。
对于L8的取值可有什么要求?
谢谢,我找到了详细说明文件。
是Q1零电压关断的无损吸收电路。
Q1关断时,L6对C51进行充电,C51上的电压由零逐渐上升,同时L8通过CR2为C11充电,C11上电压也一样由零逐渐上升;这时使得Q1可以零电压关断;当C51与C11上的电压和达到385V时,L6、L8通过DR3,L6与C11为负载供电。当C51上的电压升至385V时,C11的电流泄放为零,此时C11两端电压也为零。
Q2开启的工作流程分析略。
分析的很不错。。
学习了。。