驱动变压器（正激驱动，半桥驱动等）怎么计算呀，哪位好心人能给个资料

给你一个吧。

大功率晶体管一般要用变压器驱动，桥式扑拓也必须用变压器驱动。驱动变压器的作用是变换电压，变换流，变换阻抗，隔离，传递功率等。以一个大功率的晶体管驱动为例，分析一下高频驱动变压器的设计方法。

已知原边最大电源电压Vcc（V），最低工作频率F（KHz），最大占空比D，磁芯截面积S（mm），输出电压Vbe（V）。

1，计算最大导通时间：Ton（uS）=1000*D/F

2，计算初级匝数：Np=Vcc*Ton/0.2/S

3，计算每匝伏数：N=Vcc/Np

4，计算次级匝数：Ns=K*Vbe/N/D

K 一个由变压器次级线圈直流阻抗，晶体管rbe，驱动电流决定的系数，它大于1

驱动变压器计算和正激变压器计算方法一样吗？

电感量也不用考虑吗？磁芯选择呢？

是不是对的？

驱动变压器：首先你要知道驱动什么？？IGBT 、 MOS、  晶体管、驱动条件是不一样的，这之前你要做的功课是熟知被驱动的器件性能要求。如功率IGBT给定的驱动电压。以半桥驱动，需有两组驱动电压信号，且驱动变压器只做为隔离强电使用，驱动变压器别把线圈绕满就可以。因驱动电路设计不同驱动次级给定的电压不同，应调整驱动变压器参数

一般来说，大都取1:1，然后让驱动变压器不饱和。

驱动变压器可以粗略估算，无需精确计算。

意思就是说主要是定感量和匝数就OK了，是吧。