1）对于第一个问题，我觉得应该是励磁电流Imag导致变压器饱和。正激变压器在工作时，变压器原边绕组电流产生的磁力线方向和副边绕组产生的磁力线方向是相反的，那么变压器就不会因为nIo太大而导致变压器饱和。反击变压器因为原边mosfet导通过程中，副边绕组没有电流流过，而不能产生反方向的磁力线，此时原边流过的电流完全为励磁电流，因此原边电流如果太大变压器就会饱和，开气隙可以解决因励磁电流太大而饱和的问题。2）第二个问题不知道怎么解释3）第三个问题我认为deltaB应该是一三象限磁通变化之和。今天和同事讨论这个问题，同事说仅仅是一个象限磁通变化值。半桥的一个mosfet关断时励磁电流达到最大，死区时间内保持不变，当另外一个mosfet导通时，励磁电流减小并且改变方向，因此磁通是逐渐由一个象限变到另外一个象限的，因此deltaB应该是一三象限磁通变化之和。

改驱动电阻当然是改变Mosfet的快慢，影响原变的Vds，经过变压器折射到副边，导致二极管应力高。不知道你是改大还是改小？

PWM的频率=100K

驱动变压器计算和正激变压器计算方法一样吗？电感量也不用考虑吗？磁芯选择呢？

大家说说呀磁芯怎么选.PFC的电感值确定后,它的圈数怎么确定(变压器形式磁芯)?N=sqrt(L/Al),但Al又和气隙有关.大家说说该怎么算.

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陈老师,还是把具体的过程写一写吧.谢谢!!!

陈老师:输出电解电容不知道怎么算,很多书上都有计算公式,但我用公式算的结果和实际的相差很大,难道是公式不对吗?我们公司的工程师很多都是根据经验来选电容的.不知道陈老师是怎么选的?比如反激式:inputVoltage:85Vac--264Vac工作频率:65KHzOutputVoltage:12V,5A,纹波电压:50mVCLC滤波那该电路的输出电容怎么选呢?谢谢!!!