变压器饱和电流问题请教

1）对于第一个问题，我觉得应该是励磁电流Imag导致变压器饱和。正激变压器在工作时，变压器原边绕组电流产生的磁力线方向和副边绕组产生的磁力线方向是相反的，那么变压器就不会因为nIo太大而导致变压器饱和。反击变压器因为原边mosfet导通过程中，副边绕组没有电流流过，而不能产生反方向的磁力线，此时原边流过的电流完全为励磁电流，因此原边电流如果太大变压器就会饱和，开气隙可以解决因励磁电流太大而饱和的问题。

2）第二个问题不知道怎么解释

3）第三个问题我认为deltaB应该是一三象限磁通变化之和。今天和同事讨论这个问题，同事说仅仅是一个象限磁通变化值。半桥的一个mosfet关断时励磁电流达到最大，死区时间内保持不变，当另外一个mosfet导通时，励磁电流减小并且改变方向，因此磁通是逐渐由一个象限变到另外一个象限的，因此deltaB应该是一三象限磁通变化之和。