图腾柱对输入信号有要求吗?
电路主要部分如下:
MOS上管前的图腾柱输入信号与下管的图腾柱信号互补,有死区。信号峰峰值都在15V左右,(Max 15V ,Min 0 V), 基本没有负电压。
我的电路问题是,当Vin 开始加电, 20V左右出现米勒平台。Vin继续加大,米勒平台开始下陷,60V时开始 V GS 波形开始抖动,并且米勒平台下陷有5V,300V时 G极信号一塌糊涂。MOS基本报销。
要消除米勒平台,无外乎:加大删及电阻并且并关断二极管,软开关技术,加大驱动能力 等
因为MOS输出不是接变压器,在这个应用中软谐振开关不知道如何实现。于是想在加大驱动方面做文章。想着是不是图腾柱力气不够大,将图腾柱的输入波形改成有正负的脉冲而不是图中的信号,是不是驱动更好?
还有,两个问题。
1,信号频率多少?
2,图腾之前的电路结构是什么样子的?
另外,先回答你一个问题,要想实现软开关,后面的负载特性必须呈现感性!否则,不论如何加大驱动能力,或多或少,都会有米勒平台。
这是一个主动式的高频无极灯电路,因此频率是2.65M
图腾柱前的电路如下
SD是来自过流、过压保护回路的封锁信号
DR1用高速光耦6n137隔离后驱动上管图腾柱
DR2则是驱动下管的信号
74HC04(n级)表示用若干个非门来延时与6n137的延时匹配。具体用多少级视调试的情况而定
现在调试的情况是,米勒现象太严重
但非常偶然的,米勒现象没出现,点灯非常正常,信号也很好,但实在是非常偶然! 这种偶然现象可能在一旦断电后,又不可重复出现了。
我知道ZVS在这里恐怕难以实现,但依然期望存在这种可能性
也希望有更强大的驱动方式,能克服米勒现象
Vin大时,C dg 加大,在这么高的频率下,可能加大的速度大过驱动电流给 Cdg充电的速度,所以米勒平台下陷。
这么高的频率呀,还真没做过。
频率高的话,首先就是对你的驱动电路的驱动能力要求很高。不清楚你的图腾柱的能力够不够。
其次,MOS的栅极电阻居然有27欧之多,这么高的频率下,这个电阻似乎是太大了吧?
再者,不能实现ZVS,和你具体的电路谐振参数有关系。你需要检查一下。如果能实现ZVS,那么对驱动能力的要求会降低很多。
我想请问一下你指的米勒平台是在MOS的输出上出现的,还是MOS的驱动Vgs上出现的?我最近也似乎碰见和你一样的问题!还有你上图中左下角出现你所说的米勒效应的波形是哪个位置的波形啊?
你的问题解决了吗?