半导体结电容问题

如图，对与MOS 好像是反压越高，结电容越小呵.咱也是外行人啊…… 

好像是这样的~

至于物理结构上的解释，还得水蜘蛛大师来亲自操刀不可~

此图反映的是同一MOS不同Vds的结电容，同一MOS，Vds越大，势垒电容是越小的，从而结电容越小；

而我不解的是：

同一工艺同样耐流不同耐压的MOS，哪个结电容更大?

普通二极管或快管（FR103、FR104......），耐流一样，耐压越大，结电容是越大的，这是什么原因？

同样工艺同样耐流的MOS,耐压不同是怎样实现的？

回楼上，FR103 FR104 电流一样的情况下，耐压大电容就小 跟MOS 管一样的 。电压跟晶体扩散深度有关，电流跟面积有光，电压越高的扩散深度越深导致P/N 结变窄 相对应的结电容会变小，相反电压低P/N结宽，结电容就大。

本来我是这样理解的，对于普通二极管，耐流一样，耐压越高，结电容越小，对FR二极管，数据手册上标明，耐压越高，Trr就越大，结电容没标，所以揣测结电容就越大。看了你的回复后我再看多了几份FR二极管的数据手册，发现百度文库里面有一份关于FR二极管的数据手册http://wenku.baidu.com/view/f547e838376baf1ffc4fad8e.html

里面有说明结电容的，耐压越大，结电容越小，但Trr越大，这更加不解了？为什么结电容越小，Trr就越大呢？

通常耐流越大晶体的结面积就越大，从外观封装也可以看到耐流越大的封装就越大，但耐压越大，晶体是否就越长，还是同样长度而只是参杂的浓度不同？

对于MOS管，结电容与Id、Rds和Vds都有关，Id一样，Vds大的，结电容小，我也是这样理解的，但没办法找到两个同一厂家同一系列同种工艺 Id一样，而Vds不同的MOS管来对比一下其结电容，所以不敢妄自定论，还希冀行家指点迷津。