TKS!自以为，Boost和Buck-Boost拓扑断续模式，电感电流在一个开关周期导通时间（D1+D2，不包括D3，书籍《高频功率电子学》是这样描述的）内的平均值不受输出电压（也即输出滤波电容和负载）的影响，故系统变为一阶的；Buck拓扑的电感电流即使是断续模式其平均值却受输出电压的影响，何故仍为一阶系统？看了一下sometimes推荐的书才豁然开朗。

我想了解在一般情况下，PF值为多少时，就能满足认证对谐波电流的要求。

大地是零电位的，不管输出通过什么方式接外壳，如果外壳接了大地，外壳也就是零电位的。不知道一般的通信电源负端不通过电容直接接外壳是否有什么问题？

电源网的各位达人、版主溜到哪里啦，一个回复也没有，问题是否太低B了，还是表达不清？

何故没人讨论，自己顶下。

我说两点(只针对L6599、SG3525做的LLC)：1、可能不能实现软开2、最高频率限制不当，电压可能会飘高你说的过流是否只输出过功率，如果是，则可能炸管，没有电流环，过功率要谨慎。

本来我是这样理解的，对于普通二极管，耐流一样，耐压越高，结电容越小，对FR二极管，数据手册上标明，耐压越高，Trr就越大，结电容没标，所以揣测结电容就越大。看了你的回复后我再看多了几份FR二极管的数据手册，发现百度文库里面有一份关于FR二极管的数据手册http://wenku.baidu.com/view/f547e838376baf1ffc4fad8e.html里面有说明结电容的，耐压越大，结电容越小，但Trr越大，这更加不解了？为什么结电容越小，Trr就越大呢？通常耐流越大晶体的结面积就越大，从外观封装也可以看到耐流越大的封装就越大，但耐压越大，晶体是否就越长，还是同样长度而只是参杂的浓度不同？对于MOS管，结电容与Id、Rds和Vds都有关，Id一样，Vds大的，结电容小，我也是这样理解的，但没办法找到两个同一厂家同一系列同种工艺Id一样，而Vds不同的MOS管来对比一下其结电容，所以不敢妄自定论，还希冀行家指点迷津。

如我上面所说的，假负载是加了，假负载对空载那路可以压制电压飘高，但对满嘴那路是不利的，使电压更低。两路的功率是一样的，不知你指的电流比是什么比，斜率、峰值、有效值？望指点一二。

为使耦合更加好，已经特意选用了磁芯较长、截面积较大的EFD40了。综合考虑损耗、电压应力等各因素调整了几次变压器，但还不能满足调整率，以前做过50W的，用我所的方法是可以满足调整率的，此次可能是功率大了一点。由于经验有限，自己没有什么好的点子，目前做的大部分都是反激，交叉调整率往往是我的瓶颈，我想强调的是有没有一些方法专门提高反激的交叉调整率的，还是劳烦大家指点下。

忘了说了，假负载是有了假负载在空载那路，压制电压飘高是有效的，但对满载那路是有害的，使电压更加低。