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T5-2x80W电子镇流器电磁辐射不过请教有何良策解决

  

    T5-2x80W电子镇流器,MC33262+IR2520D电路,EE25王字电感+工字电感12x16+2X电容+2Y电容,用EMC300A测试很好过,但是辐射就是过不了,不知有何良策想请教!

 

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ebenshi
LV.8
2
2010-10-15 17:14

垂直,水平方向都超了很多!你可以用频谱仪看看,这个点是从哪来的.

你可从以下几个方面入手:

1.减小电路的di/dt,dv/dt

2.在开关管,包括boost二极管上加磁珠以及RC吸收.

3.接地问题

4.屏蔽.

5.减小LAYOUT环路

 

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ballastt
LV.6
3
2010-10-15 21:33

输入最前端,用多层绝缘线,在磁环上双线并绕,5~10T.

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ebenshi
LV.8
4
2010-10-16 09:06
@ballastt
输入最前端,用多层绝缘线,在磁环上双线并绕,5~10T.

3楼的兄弟的对策主要是堵!还是尽量从源头解决.空间辐射不像传导只从电源线出来!

兄台要搞清楚,加磁环是对哪个频段有效,是对水平还是垂直有效?

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2010-10-16 10:26

最行之有效的是用金属箔胶带包住。3M有一种胶带专门对付此类问题。加磁珠是有明显效果。电源输入端加浪涌抑制器件。

大于30M,耦合途径主要通过电源线及与之连接端子泄露,建议着手泄露源。

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ebenshi
LV.8
6
2010-10-16 10:37
@梦里河南
最行之有效的是用金属箔胶带包住。3M有一种胶带专门对付此类问题。加磁珠是有明显效果。电源输入端加浪涌抑制器件。大于30M,耦合途径主要通过电源线及与之连接端子泄露,建议着手泄露源。

镇流器相对来说,辐射是很好过的,用不着加太多的东西.

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zhangcan
LV.3
7
2010-10-16 11:50
@ebenshi
垂直,水平方向都超了很多!你可以用频谱仪看看,这个点是从哪来的.你可从以下几个方面入手:1.减小电路的di/dt,dv/dt2.在开关管,包括boost二极管上加磁珠以及RC吸收.3.接地问题4.屏蔽.5.减小LAYOUT环路 

谢谢!我从上面几方面都试一下,主要问题是公司没有测辐射设备看不到调试效果难下手啊!

 

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zhangcan
LV.3
8
2010-10-16 11:58
@ebenshi
垂直,水平方向都超了很多!你可以用频谱仪看看,这个点是从哪来的.你可从以下几个方面入手:1.减小电路的di/dt,dv/dt2.在开关管,包括boost二极管上加磁珠以及RC吸收.3.接地问题4.屏蔽.5.减小LAYOUT环路 
请问接地(接外壳)电容用两个3300PF/250VAC会不会电容量太大了辐射更难过呢?
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ebenshi
LV.8
9
2010-10-16 13:37
@zhangcan
请问接地(接外壳)电容用两个3300PF/250VAC会不会电容量太大了辐射更难过呢?

不需要那么大容量的,你可更改一下Y电容在电路上连接的位置,不过Y电容对你这个频点的影响不大.你可以去试一下.

做电源以及做照明的公司,很少有公司能建得起半波暗室(听说现在都还要过百万),所以我们都是在专业的试验室去测的.

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ballastt
LV.6
10
2010-10-16 15:04
@ebenshi
3楼的兄弟的对策主要是堵!还是尽量从源头解决.空间辐射不像传导只从电源线出来!兄台要搞清楚,加磁环是对哪个频段有效,是对水平还是垂直有效?[图片]

信号都要形成回路,加大信号回路中的阻抗,实质上都是在衰减信号强度.

由于偶合电容的原因(本人认为,欢迎指正),使高频信号的阻抗很小.而小的磁环电感刚好能拟补这一点.

我所提供的方法,都是亲自实验的.

对于高频辐射,布线的确很重要.曾经就被一大环路搞的很头疼.

特别是地线和一些方波震荡的地方.

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zhangcan
LV.3
11
2010-10-19 16:50
@ebenshi
不需要那么大容量的,你可更改一下Y电容在电路上连接的位置,不过Y电容对你这个频点的影响不大.你可以去试一下.做电源以及做照明的公司,很少有公司能建得起半波暗室(听说现在都还要过百万),所以我们都是在专业的试验室去测的.
    今天去了广州威凯检测技术研究所,在MOS管与散热器之间加绝缘片绝缘帽时辐射降低了些。但是加磁珠、Y电容大小、改变Y电容位置测试都没效果。
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zhangcan
LV.3
12
2010-10-27 09:57
@ebenshi
不需要那么大容量的,你可更改一下Y电容在电路上连接的位置,不过Y电容对你这个频点的影响不大.你可以去试一下.做电源以及做照明的公司,很少有公司能建得起半波暗室(听说现在都还要过百万),所以我们都是在专业的试验室去测的.

    把电子镇流器工作频率降到30KHz加大输出电感量,三个MOS管都加上栅极加一个小磁珠,MOS管与散热片加绝缘片绝缘帽,灯管输出公共端对直流地接一个222/1000V/1206贴片电容,灯管输出公共端对地线(外壳)接一个102/250VAC/Y电容。现在辐射检测时水平方向好过还有很多余量,但垂直方向还差5db怎么也降不下来,还有什么办法呢?

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ebenshi
LV.8
13
2010-10-27 10:04
@zhangcan
   把电子镇流器工作频率降到30KHz加大输出电感量,三个MOS管都加上栅极加一个小磁珠,MOS管与散热片加绝缘片绝缘帽,灯管输出公共端对直流地接一个222/1000V/1206贴片电容,灯管输出公共端对地线(外壳)接一个102/250VAC/Y电容。现在辐射检测时水平方向好过还有很多余量,但垂直方向还差5db怎么也降不下来,还有什么办法呢?

有看过功率管的di/dt,dv/dt吗,从这个方面先看看.

辐射这东西与太多因素有关,没见到你的实物,我们都只是在猜测你的东西.

你可从我前面2贴提到的几点入手.

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zhangcan
LV.3
14
2010-10-27 10:07
@梦里河南
最行之有效的是用金属箔胶带包住。3M有一种胶带专门对付此类问题。加磁珠是有明显效果。电源输入端加浪涌抑制器件。大于30M,耦合途径主要通过电源线及与之连接端子泄露,建议着手泄露源。

主要要屏蔽哪一部分呢?现在有屏蔽变压器,好象不效果一明显。

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2010-10-27 14:11
@zhangcan
主要要屏蔽哪一部分呢?现在有屏蔽变压器,好象不效果一明显。
包住全板。
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zhangcan
LV.3
16
2010-11-08 17:30
@ebenshi
有看过功率管的di/dt,dv/dt吗,从这个方面先看看.辐射这东西与太多因素有关,没见到你的实物,我们都只是在猜测你的东西.你可从我前面2贴提到的几点入手.
把MOS管11N60换成了20N60,栅极电阻加大用51欧,辐射测试终于过关了。谢谢!
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ebenshi
LV.8
17
2010-11-08 17:47
@zhangcan
把MOS管11N60换成了20N60,栅极电阻加大用51欧,辐射测试终于过关了。谢谢!

恭喜!加大电阻,是把驱动上升沿变缓,降低dv/dt.

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zhangcan
LV.3
18
2010-11-09 10:09
@ebenshi
恭喜!加大电阻,是把驱动上升沿变缓,降低dv/dt.
用MOS管11N60都还过不了,换成了20N60才过又是什么原因呢?
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ebenshi
LV.8
19
2010-11-09 11:06
@zhangcan
用MOS管11N60都还过不了,换成了20N60才过又是什么原因呢?

你在11N60,DS两端并个PF级的电容试试.

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