MOSFET问题,是高手的过来看看!!!求高手高手高手!

怎么样,没有人过来,欢迎积极发言

并联:现在的半导体工艺非常成熟,MOSFET 并联基本上没有任何问题.你在 Layout 时,只要注意以下几点:1. 到 drain 极的导线基本一致2. 从 Source 极出来的长度基本一致3. Gate 极的驱动线路长度一致串联:主要关注的是两个MOSFET 的均压问题,毕竟MOSFET 导通时,内阻会有一些差异,同样两个开通的时间不一致那你就惨啦!

高手们多发表点意见!

有没有用过台湾华瑞的MOS-FET

谢谢啦,可不可以再详细一点

SYNC POWER 的 MOSFET 管品質更上一層樓 , 內阻更低 , 更小包裝樣式 , 更省空間 

具体要看你的应用啦!不针对应用实例进行交流的话,只能是纯理论的东西,呵呵~~~~ 你认为呢?

请教:我并联时都要在栅极加10欧电阻,否则就烧管,是否就是不满足您说的那三点!!

不一定,你烧管的原因,十之八九是你在G/S极之间你没有串泄放电阻(仅个人猜测)并联时,一个10R 的电阻也可以同时驱动两个 MOSFET,电阻分开的关键是在于你的MOSFET Qg 以及你的Layout 方便.MOSFET 烧管的原因,基本上都是自触发导通造成的(归根的说法).当然自触发的原因有很多,俺也不想对这个专门写一个长篇!

这个泻放电阻一般是k欧级的是吗,您的意思是加了泄放电阻就不用加10欧电阻了吗,还是都加??
     关于自触发导通的相关论文或书籍方便相告吗?当然如果您能贴出一些,那小弟不胜感激!!了

泄放电阻主要是用来防止Qg被非正常充电导致导通(被动).而10R的电阻是driver限流的(主动).当然都加是最好啦!当你的设计完毕以后,再拆掉泄放电阻,一般日本和台湾的设计都会这样.一个方面降耗;另一方面对抄板新手增加一定的难度.上网一搜,就可以找到啦! 从半导体特性方面入手就可以啦!

要注意你的IC 能否正常驱动两个MOS,尤其是两个Ciss比较大的MOS.

非常感谢!!!

最好选用功率较大的代用,并联就怕开关断的时间不一样.

頂

MOSFET并联使用很方便,很多情况下,可以直接并联.