我制作一台五千瓦的电源原来用600V的IGBT，工作很好，由于要用三项电供电。准备使用1200V的IGBT，只换IGBT和功率部分。发现工作参数基本没变，但是IGBT的温升明显上升。工作几分钟即过温保护。
或者将600V的IGBT直接换成1200V的用单项供电结果基本相同。实际测试饱和压降为1.5v到1.7V，（小功率时）区别并不大。在3相供电时，满功率1200v的IGBT饱和压降为2.5V，峰值电流50A。输出下降时间140nS，上升时间300nS
目前我正在测试用VMOS管代替IGBT，看温升是否会更低。
请求有兴趣的同仁共同讨论。
