MOS 的雪崩电压和雪崩耐量的关系

上周测试了几个电源，发现电源在启动时，后级滤波电容充电在30%-100%的Vout的时候（整个时间持续5mS左右），前级的MOS 的VDS是远远超过了MOS的耐压的，待充电完成后，VDS稳定在正常范围。

AC150V输入，滤波电容充电在30%-100%的Vout的时候，VDS竟然达到了700V，MOS的标称耐压是650V，正常工作的时候，VDS最大380V。在这段时间中，VDS是超过了MOS的额定VDS的，甚至达到了雪崩电压值，那么此时尖峰部分的能量应该有一部分被MOS消耗了，这部分能量应该是小于雪崩耐量的。

在VDS超过MOS的标称电压的时候，MOS是先以雪崩的方式吸收能量，然后到到雪崩电压才击穿；还是达到雪崩电压之后才以雪崩的方式吸收能量，当超过雪崩耐量的时候才击穿？