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反激变换器——占空比计算的疑惑

看到很多前辈在设计反激变换器的时候,计算占空比的D的公式基本都是D=Vf/Vf+Vin

这个公式都是通过对变压器一次侧线圈Np的伏秒数平衡原则进行计算的,即Von*Ton=Voff*Toff。但是我今天在公司观察FET的波形的时候,发现波形和计算出来的参数并不完全对应(其实我之前也都是用上面的公式进行计算)。

经过思考,小弟得到下面的结论,请大师指正:

在DCM的时候,在Toff没有结束的时候,二次侧线圈电流就已经下降到零,此时Vf已经消失了,消失的阶段不能参杂到整个T中,也就是说,公式(Von*Ton=Voff*Toff)中的Toff并不是纯粹的(1-D),应该是Vf开始到结束的阶段。这样的话我们计算的D都是偏小了。这个也是我从波形中观察到的。

后来我参考了精通开关电源设计这本书中的反激变换器设计这一章节,其中作者提到,公式D=Vf/Vf+Vin所求出的D并不是真正的D,他建议大家用电感电流的中心值,即一次侧的电流中心值等于二次线圈反射到一次侧的电流中心值。具体公式为      

I/D=I’/(1-D)

上面公式里,I 是最大输入电流,

                   I'=Io/n

虽然这个公式我认为也存在我上面提到的Toff的问题。但是得出的记过却跟波形现实的相同。

如果有前辈手上有那本《精通开关电源设计》,可以翻到第三章,反激设计。

以上,谢谢

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lvyuanpu
LV.5
2
2010-11-19 20:54

 小弟加个图片解释下


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yong168
LV.7
3
2010-11-19 20:59

我也来研讨下~“在DCM的时候,在Toff没有结束的时候,二次侧线圈电流就已经下降到零,此时Vf已经消失了”,我有点想不通

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cheng111
LV.11
4
2010-11-19 23:41
@yong168
我也来研讨下~“在DCM的时候,在Toff没有结束的时候,二次侧线圈电流就已经下降到零,此时Vf已经消失了”,我有点想不通

找一本书,看一下DCM模式下电流波形与驱动信号的图对比看一下

 

死去时间:二次侧线圈电流下降到零这一刻,到下一次MOS管导通的这段时间。

理解这个名词,应该就知道了。

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2010-11-20 10:48
@lvyuanpu
[图片] 小弟加个图片解释下
确实是这样
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2010-11-20 10:48
@lvyuanpu
[图片] 小弟加个图片解释下
确实是这样
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yong168
LV.7
7
2010-11-20 10:50
@cheng111
找一本书,看一下DCM模式下电流波形与驱动信号的图对比看一下 死去时间:二次侧线圈电流下降到零这一刻,到下一次MOS管导通的这段时间。理解这个名词,应该就知道了。
理解,就是有点模糊~~·
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lvyuanpu
LV.5
8
2010-11-20 11:17
@yong168
理解,就是有点模糊~~·

在FET关断期间,二次侧释放变压器里的能量,在Toff结束前,电流达到了零,也就是图中C点的位置,这时,已经没有磁通量的变化,也就是没有电压了。二次侧的电压消失了,那么反射电压Vf也就不存在了啊。

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lvyuanpu
LV.5
9
2010-11-20 11:18
@moses2002cn
确实是这样
确实是怎么样的啊,前辈。。。
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lvyuanpu
LV.5
10
2010-11-21 21:54
这个帖子发的时间有点尴尬。周末发的。大师们都不在,先顶上去让斑竹们帮帮忙看看。
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wangjiudan
LV.5
11
2014-03-31 19:57
我正为这个占空比发愁呢!谢谢前辈啊!
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