大家帮忙看看这个电路cdx[ablun%%3n[o.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20)
在单片机PWM输入端输入 15K 的PWM信号，从PWM输出信号，调整电阻R3 为什么我调整R3 由 2.2K改为200欧姆之后，B点的输出波形和单片机PWM输入信号延时变的很大
就是三极管Q1的基极和集电极的延时，在减小R3之后会变大，原来很小 不到1US，改R3为200欧姆之后变为2US
在单片机PWM输入端输入 15K 的PWM信号，从PWM输出信号，调整电阻R3 为什么我调整R3 由 2.2K改为200欧姆之后，B点的输出波形和单片机PWM输入信号延时变的很大
就是三极管Q1的基极和集电极的延时，在减小R3之后会变大，原来很小 不到1US，改R3为200欧姆之后变为2US
注意：Q1工作于放大状态，不是开关状态，
这是一个简化电路，实际电路的15V是一个悬浮的电压，用来驱动半桥的NMOS ，所以需要自举电源，而这个15V是叠加到母线上的，所以为了保证Q2的VBE的压降是0.7V，就只能使的Q1工作于恒流放大状态
