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IGBT有哪些参数需要测试

(1)栅极-发射极阈值电压VGE(TO)测试:由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压;从零开始逐渐增加栅极-发射极间的电压,当检测到集电极电流达到规定值时,此时的栅极电压值即为栅极-发射极阈值电压。

  (2)栅极-发射极漏电流IGES测试:

  集电极-发射极间短路;由电压源对被测器件施加规定的栅极-发射极电压,这时通过栅极

-发射极回路的电流即为栅极-发射极漏电流。

  (3)集电极-发射极截止电流ICES测试:栅极-发射极短路;由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压,这时通过集电极-发射极回路的电流即为集电极-发射极截止电流。

  (4)集电极-发射极饱和电压VCE(sat)测试:由电压源对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极-发射极电流至规定值,这时相对栅极脉冲稳定部分的集电极-发射极电压即为集电极-发射极饱和电压值。

  (5)开通时间ton测试:由电压源对被测器件施加规定幅值、脉宽及上升率的栅极电压;调节集电极电流至规定幅值,开通时间是指开通延迟时间与集电极电流上升时间之和。

  (6)关断时间toff测试:关断时间测试包含阻性负载和感性负载的测试。在相应的阻性负载或感性负载条件下,对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极电流至规定值,然后施加规定幅值、脉宽及下降率的反向栅极电压,关断时间是指关断延迟时间与电流下降时间之和。

  (7)恢复时间测试:用于测量IGBT上反向续流二极管的恢复时间。首先在二极管上施加规定幅值的电流,经过一定时间后施加一个反向电流使其关断,同时施加规定幅值的反向电压。

 

这个链接说得更详细一些:http://hi.baidu.com/82303388/blog/item/5c385259557dfa3a2834f017.html

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82303344
LV.1
2
2010-11-25 22:42
各种元器件封装形式大全,值得收藏,绝对好资料,见下面链接:http://hi.baidu.com/82303388/blog/item/2443c1def13a165894ee37b0.html
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2010-12-10 13:17
@82303344
各种元器件封装形式大全,值得收藏,绝对好资料,见下面链接:http://hi.baidu.com/82303388/blog/item/2443c1def13a165894ee37b0.html

 

 

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