ob2532低压不恒流，急请高手指点

当把输出电流降到0.18A时，全电压范围内恒流在5MA以内。弱弱的问一句，是不是这个芯片不能做到10W呀，但FAE说可以做到20W呢，，请高手指点，在线急等！！

可以做到10W,可以到15W 的

我觉得可能进入CCM了，将负载减轻就到DCM了，现在如何调整才能回到DCM？电感量才1MH，做10.5W的功率电感量应该算很小了，，如何解决？

R3是高低壓電流補償的

INV你的電阻阻值選值是多少？你的空載電壓是多少？

现在为33K:2K..空载电压随输入电压增加而上升，90V时为32V,,,265V时为42V,,

如果将空载电压控制到标准的35V，低压就不能恒流，，空载电压越高，恒流电压就越往下走，我现在控制在80V为300MA，(80-265V 恒流300MA。）

梁兄，针对这个有什么好的建议没，，（VDD=20V    90V时为25V)

实际负载测试为32.8V 300MA,是否可以将输出电压降低一点，如果能将空载电压控制在35V那里最好的，，

空載電壓隨輸入電壓變化是不對的,有沒有加足假負載？35V輸出的用一個10K電阻應該是夠了。你的工作頻率是多少？

工作频率37K,假负载为10K.

如果把输出电压稳定在35V，但低压不恒流呀，

因为尺寸问题，最好是能用EE19的。

明天我再试一下dianyuanone兄的參數。

你的電源損耗太大了吧，负载32.8V，空载就有35V呀，我做48V 0.31A，空载和负载的电压都是48V左右的。你的效率肯定不高吧。

我的负载是LED。标准是35V300MA，

所以我做负载也按35V300MA来做的，但是实际中,调试电流为300MA时，负载电压仅为32.8V,

考虑到不同功率的LED，所以电源以恒流300MA为准。电压不去考虑，最大负载为10.5W,,最小为3W,经过实际测试，能达到3－10.5W通用的效果，电流恒定300MA,

现在问题就是空载电压会随输入电压变化而有所变化。。。。是否芯片工作在恒流模式，才会有这样的问题？？

俺的神，，你真神，，，

我按你提供的ＥＦ２０參數試做一個，調整ＩＮＶ值后，用１２：２的方式。電流竟然可以在低壓恒流，輸出也可以高低壓恒壓３５Ｖ，想不通這個何種問題呢。。。負載電阻還是用１０Ｋ的，

我現在還有疑問：

為何我算出來的參數和你的差異這么大呢，，，

我算的如下：

ＥＦ２０　　電感１ＭＨ　　初級Ｐ＝９０　回饋為２４　次級５４

為何你的次級僅為３４.。。。。

可否提供一下你的計算公式呀，我的計算公式按好版主的那個表格計算的，，為何和你的差異這么大，如果用ＥＥ１９是否也是可行呀。。還請指點！！１

EE19 1.5MH 120T/40T/19T.这个没试过，你试试，应该可以的。

我也是按好老师表格算的，但他的表格也只能参考，主要还是要以调试为准，就说他那个高压电容的计算也和实际不符，哪里会用那么大的电容。另外不是一个输出电压就做一种变压器的，正常的情况会是在一定的输出电压范围内共用一个合适的变压器，通过INV的电阻来调整输出电压的。完全按好老师的算也只有44T.

下午按您提供的ＥＥ１９參數，再試一個，，再公佈效果。

我看了一下您的那個ＥＦ２０數據，匝比為２.５８左右，按ＥＥ１９的匝比為３，這樣您算的占空比應該比較高吧，我的才為０.３７，估計你的上了０.４５以上。。不知對不。。

是的，，我是按60V算的，反射电压还是和占空比有关系，占空比越大，反射电压越高，占空比越小，反射电压越低，因为当时考虑的是600V的晶体，80%的降额使用，如果占空比过高，晶体的耐压值超过600V了，所以才选的0.37.

我用EE19重新做了一个，120：45：26，，经过测试。确实可以达到恒压恒流的效果。不过恒流精度比原来降低了，但还在5%以内，原来 那种可以控制在3%以内。现在来讲问题还是出来变压器上面了。

另外关于RCD钳位电路中的C的耐压问题，我看到很多电源的耐压用到1KV，但实际测试中P-P值也就几十伏，不超过50V,为何他们要用这么高，。我觉得用200－250V左右的就已经很高了，没必要用那么高吧。下图是我实测C二端的电压：

我觉得这个和电容去不去掉没有多大关系，我看到有的小功率的都不加RCD电路。刚才在网上看了一个贴子，上面也说明一下，，

从上面的公式中可以发现，C上的电压低于MOS的耐压，600V的MOS，按上面计算，VC电压170左右，170*1.414＝240.38，我估摸250V就足够了。。

呵，，这是个人理解，，，

关于你讲的把C去掉，我觉得这个可能不大，如果一个产品上出现零件有问题，那肯定会造成不良，不然加这个零件就是浪费成本了，

你的理解是对的，所以一般用400V的绦沦电容就可以了。不用1000V的

多谢肯定，，

我手头一个三星的充电器上面就是用一个CL11 102/250V的，（应该是国产代工的）我想三星能接受用它来贴牌肯定是有所考虑的，所以才针对这个电容的耐压值找一下资料。

另外引出一个问题，这个电容用什么材质好？

常用的大多是高压瓷片电容：222/1KV 

还有CL11    用这二种哪一种比较好，为什么？

如果是這樣算的話所有使用600VMOS管的反激電路都只用200V就夠了，那就沒必要使用哪么高的電壓了。我覺得他這種算電壓的方法只是為了求出RC并聯中的R所消耗的功率，并不能說明C的耐壓只需要這么多。希望高人解釋下！