【讨论】限制MOSFET开关速度的因素

我先来说几点：

1、MOSFET的G极驱动电阻引起的延时

2、PCB Layout引起的寄生电感影响驱动电流

3、MOSFET封装本身引起的ESR与ESL

4、MOSFET的米勒效应

5……

抛砖引玉，欢迎大家继续补充。

关键词：MOSFET

俺补充一点，开关损耗

想听想听超想听，刚刚还在看有关MOSFET的知识

不理解  为什么是骗自己的理由?

期待。。。

驱动的原因比较好理解。

对其寄生参数引起的，很有兴趣~了解。

高压功率器件速度越来越快，最早的SCR/BJT速度是大约4~20微秒开关速度；后来BJT/IGBT提高到150纳秒左右，现在实际可以达到8纳秒水平。在不久将来；会达到1纳秒左右。

驱动要求也越来越高；仅以驱动线长为例，早期的驱动线没啥特别要求；只要双绞就基本够用了。后来的高速IGBT/FET的栅线；除双绞外；长度被限制在10CM以内。从现在的测试看；要求未来的高速器件的驱动线被限制在1CM以内。

就这驱动线长的问题；估计大多数工程师只是经验所谈；没多少人能从理论上说清楚而自觉的设定工程参数。

理论的缺乏和经验口口相传的不确定性；直接拖了应用后退。找各种理由去解释？就上面提出的假设；多是出自于此。

呵呵，我发此帖的目的是大家来讨论，不是我来上课呢。

老兄来说几句吧。

水大师是站在MOSFET的前沿技术，以及理想应用特性的高度，给我们很好的上了一课

我想在这里跟大家讨论下，实际工程应用中，MOSFET的开关速度跟哪些因素有关，以及我们在应用中如何去折衷，平衡各个参数，以达到较好的综合性能。

,张知识了'什么叫  双绞线啊?

是滴

先占个位子，有时间再看~

驱动也不是那么简单的，要理解透彻需要一番功夫

怎么都不愿意说呢？我来开个头吧

先来说说MOSFET的开通过程

我们知道，MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。

大家从这个开通过程来说说，到底哪些因素在这里影响了MOSFET的开通速度？