反激变压器电流波形

变压器不是一个绕组，你不能孤立的看一个绕组的电流波形，需要综合考虑。

可以把这几个绕组等效成一个绕组，再来看看电流波形是不是连续的。

开关电源的工作模式有两种：CCM连续模式、DCM断续模式。

电流从零开始增长的是DCM模式，RCC拓扑的的BCM模式也是从零开始增长。CCM模式的电流并不是从零开始增长，上面的图就是CCM模式了。变压器次级绕组电流没有降到零，开关管就导通了，那次级绕组的电流就映射到了初级。

Is和Ip有一个匝比N的关系。

各位，我是在看    “二次漏感会影响一次侧钳位损耗 ”  这部分内容的时候遇到的问题。  因为书上说到二次漏感会影响一次钳位损耗，但是我看了这部分内容，还是看的不是很明白。我现在把这段话黏贴上来，希望大家浪费点时间帮忙看下，看应该怎么理解。  

谢谢各位了 。。。 

定性分析部分较易理解，一次漏感越大，漏感复位时间越长，一次绕组通过齐纳管续流的时间越长，齐纳管损耗也越大，但这里面的公式，俺按常规做法算了一下，得到的是Pzd=[1/2*Llk*Ipeak^2(Vz/(Vz-Vor))]/Tswitch，与书中公式差一个Ts，是巧合么？还请高手计算一下。

二次漏感的影响与一次漏感，从效果上是一样的，二次漏感越大，二次绕组电流的建立时间越长，对一次绕组的续流抑制也越强，意味着一次绕组的续流将更多的从齐纳管流过，与一次漏感对续流抑制一样。

dolameng，你好，谢谢你的帮忙 ，并且还说的这么详细。

我之前是这么理解的，二次漏感越大，二次电流建立的时间就越长。又知道变压器的能量不能突变，也就是变压器的总的安装数NI不能突变，NI=N₁I₁+N₂I₂是不能突变的。但二次侧漏感的作用，二次侧电流只能够慢慢建立，逐渐增大。所以在二次 电流上升的过程中，只能够是通过一次侧二极管续流来维持总的安装数不突变（因为这个时候开关管是关断的，一次侧二极管成了一次电流的唯一通路）。这样，便使得稳压管的损耗增大。

你后面一段话说到的，二次漏感越大，二次绕组电流建立的时间就越长。但是我还是想不通的是，二次侧电流在开关管关断的瞬间就已经达到了最大值了，数值上等于V_P/N，这里Vp是开关管关断瞬间一次绕组电压，N是变压器变比。这个从前面给出的二次侧的电流波形中也可以看出来。这就使得我很难以理解，既然电流是在开关管关断瞬间就突变到V_P/N，那不就是说，二次漏感没有影响到二次电流的建立了吗？很纠结啊。。。

楼主可以把这个资料上传一下吗？

您的理解比我深入。

但这句话俺有点异议，"二次侧电流在开关管关断的瞬间就已经达到了最大值"

这应该是在变压器理想的情况下可以，当一次侧存在漏感时，在漏感复位的强烈需求下，一次绕组迫不得己的通过齐纳管+漏感通路将能量释放（去磁），在漏感复位时间内，一次绕组电流由Ipeak降为0，在这个时间段内二次绕组电流由0上升到Is=Ipeak*n，漏感越大，时间越长(这个时间应该是Lleak*Ipeak/（Vz-Vout*n），但我按这个计算得到的结果和上面的公式不一样)，二次漏感的效果也是一样的。

DCM还是CCM，Ipeak应该都是在一个较短的时间里降为0。

此时的V一定是被钳位在Vout*n，当然如果没有二次侧续流，或是说二次侧漏感百分比很大，那这个V将会很高。

没看明白您的意思。

能否详细说说您的想法？

如何理解这个公式？U=L*di/dt

U被钳位了，di/dt不也被钳位了吗？

按照您这么说，应该是这样的了？ 

我理解这个公式是适用电感的公式，

但这里是变压器。

我认为是这样。

有这个图就很清晰了

请问图的来源，了解一下。

MOS的D极由Vz决定，V由输出电压决定，我弄错了么？

上面dolameng所说的的钳位，是指输出整流二极管导通，使得变压器映射到初级的电压值。

个人认为，这个钳位与初级电流的下降时间关系不大，主要还是MOS管的关断能力。如果MOS管栅极电压下降的快，不给初级电流通道，别的都没有办法...

哦 呵呵 是我根据您的意思画的