反激电路占空比问题
反激电路的占空比必须在0.5附近么(看到一般的设计都在0.45左右)？宽范围输入时，输入电压高了之后到0.2行么？这个占空比的选取有什么依据么？非常感谢给位大虾。
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@liuhou
反激占空比一般是由匝比决定的，匝比大，占空比就大，设计的时候一般考虑在低压，满载时，占空比不超过0.5就好了。
其实不能完全说匝比确定占空比，他们是相互影响的。Uo=(Uin*D)/(1-D)N;Uo,Uin已经给出，D和N可以相互影响，设计之前N也是不确定的。那么如果要求最大占空比在0.5以内的话，可以根据最大占空比确定N；如果要求N取一个范围内的话（大部分N都小于10），也可以根据N确定占空比。
我想问的是能不能为了把最大占空比调整到0.5而改变匝比？此时的匝比可能大于20。
或者把匝比控制在10以内，而是最大占空比也很小，大概在0.25？这两者之间怎么平衡？
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@bode
还是尽量按照最大占空比0.5来计算匝比吧~
之前找过一些资料：
一、种是知道了MOS管的耐压，去掉一部分余量，之后的耐压值=输入电压最大值+匝比*（主输出电压+1）；这种方法得出的匝比，按资料给的例子算出来的占空比D正好在0.5附近，匝比也合适。
但是我怀疑这是一种巧合，因为：1.这种方法余量取得不同，算出来的结果差别很大；2.一般是根据需求选所需耐压的MOS管吧，而不是选好了MOS管来算电路的其他参数；；3.作者算出来的结果有没有凑数的成分就不知道了
二、提前确定反射电压Vor，之后通过D=Vor/(Vmin-Vds+Vor) 即：反射电压除以最小输入电压—MOS导通压降+反射电压。计算出占空比，再确定匝比N。
感觉这样比较合理，但是疑问1.这样得出来的匝比N可能大于20（因为这个电路输入宽泛而且电压高），这样的匝比能不能用？2.这个反射电压Vor选取有没有什么经验值，或者依据什么的？
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@让你记得我的好
你可以看看我写的跟我学系列之四。一般不喜欢超过0.5的原因，是超过0.5可能会有次谐波振荡。那么在低于0.5的情况下，如果占空比取的很小，那么在同样的平均电流的情况下，RMS电流很大，变压器的初级损耗和MOS的导通损耗都比较大。此外，占空比取的太小，也容易有振荡的，因为初级电流的斜率会很大，误差放大器的输出略微变化，初级占空比就会变化很大。故而大多喜欢设计在低于0.5的情况下，尽量取大一些。但同时需要兼顾其他考虑。
您好！感谢您写了那么多的经验贴，很辛苦，呵呵！
看了那个帖子，理解是：通过器件的降额得到了反射电压Vf，从而计算最大占空比；通过最小输入电压、最大占空比、峰值电流和频率计算得到电感量；利用AP法选磁芯；之后计算得到原边匝数Np；最后利用输出电压，原边匝数和反馈电压Vf得到副边匝数。
那么有几个疑问：
1.这样计算可能最大占空比能控制在合理的范围（最大值在0.45—0.5），但是最后出来的匝比可能很大，大于20甚至30；这该怎么调整，或者说变比有没有一个经验值，超出这个值就不稳定或其他问题。
2.对于同一个电压输入，不考虑成本的时候可以选很大容量的MOS，这样的出来的Vf差别很大，根据这个确定最大占空比不行吧。
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@wybjtu
您好！感谢您写了那么多的经验贴，很辛苦，呵呵！看了那个帖子，理解是：通过器件的降额得到了反射电压Vf，从而计算最大占空比；通过最小输入电压、最大占空比、峰值电流和频率计算得到电感量；利用AP法选磁芯；之后计算得到原边匝数Np；最后利用输出电压，原边匝数和反馈电压Vf得到副边匝数。那么有几个疑问：1.这样计算可能最大占空比能控制在合理的范围（最大值在0.45—0.5），但是最后出来的匝比可能很大，大于20甚至30；这该怎么调整，或者说变比有没有一个经验值，超出这个值就不稳定或其他问题。2.对于同一个电压输入，不考虑成本的时候可以选很大容量的MOS，这样的出来的Vf差别很大，根据这个确定最大占空比不行吧。
只要反射电压和占空比合理，匝比大不是问题呀。
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@wybjtu
嗯，其实之前。已经做了，一段时间了。用的TOP芯片+他们的StackFET技术，结果发现有本质上的缺陷，所以进行不下去了，只能其他的控制IC，查了查主流是3842,43一类的。不知道能不能作为宽范围输入的应用。
我做过300-700VDC输入的反激电源
这个电源的难点在于变压器的设计上，不知你的输出功率多大，功率小还好，如果功率大的话，变压器的分布参数要小心处理
首先变压器的选型要选好，其次是在兼顾电路MOSFET与次级diode之后，还要考虑到变压器的绕制工艺，漏感，分布电容等
最后说明一点，宽范围输入的电源不要期望有特别高的效率
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@心中有冰
我做过300-700VDC输入的反激电源这个电源的难点在于变压器的设计上，不知你的输出功率多大，功率小还好，如果功率大的话，变压器的分布参数要小心处理首先变压器的选型要选好，其次是在兼顾电路MOSFET与次级diode之后，还要考虑到变压器的绕制工艺，漏感，分布电容等最后说明一点，宽范围输入的电源不要期望有特别高的效率
谢谢，输入是150V—600VDC要求是四路输出：5V/2A;正负15V/0.5A;24V/1A;总输出功率是49W。不大也不小。
之前做的效果不好，300V以下还凑合能用，到600V的时候TOP和MOS发热严重，二十分钟散热器能上80度，没法用。主要原因是开通的时候有非常大的电流和电压尖峰重叠区，损耗非常大。这个不像正常的尖峰，电流尖峰比正常值大3倍以上，电压尖峰大2倍。
想换成单管，3842或45驱动，不知道行不行？像上面担心的一样，是不是要控制一下变比和占空比？
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@wybjtu
谢谢，输入是150V—600VDC要求是四路输出：5V/2A;正负15V/0.5A;24V/1A;总输出功率是49W。不大也不小。之前做的效果不好，300V以下还凑合能用，到600V的时候TOP和MOS发热严重，二十分钟散热器能上80度，没法用。主要原因是开通的时候有非常大的电流和电压尖峰重叠区，损耗非常大。这个不像正常的尖峰，电流尖峰比正常值大3倍以上，电压尖峰大2倍。想换成单管，3842或45驱动，不知道行不行？像上面担心的一样，是不是要控制一下变比和占空比？
这个输出怎么感觉有点似曾相识？
用3842再加外挂的MOS管吧，其余上面都说了
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